經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
射頻識別 (RFID) 技術采用輻射和反射 RF 功率來識別和跟蹤各種目標。典型的 RFID 繫統由一個閱讀器和一個轉發器 (或標簽) 組成。
標簽： RFID 接收器 基帶電路
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：huyanju
實用射頻技術
標簽： 射頻技術
上傳時間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
無線射頻識別技術 RFID理論與應用
標簽： RFID 無線 射頻識別技術
上傳時間： 2013-07-17
射頻和無線技術入門
標簽： 射頻 無線技術
上傳時間： 2013-05-26
BNC射頻同軸連接器系列
標簽： BNC 射頻 同軸連接器
上傳時間： 2013-05-20
7／16(L29)射頻同軸連接器系列
標簽： L29 16 射頻 同軸連接器
SMA射頻同軸連接器系列
標簽： SMA 射頻 同軸連接器
上傳時間： 2013-07-12
TNC射頻同軸連接器系列
標簽： TNC 射頻 同軸連接器
SSMB射頻同軸連接器系列
標簽： SSMB 射頻 同軸連接器
上傳時間： 2013-07-04
蟲蟲下載站版權所有 京ICP備2021023401號-1
<strike id="kams8"></strike>
