基于USB6008的多功能數據測控系統
標簽： 6008 USB 多功能 數據測控
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：lijianyu172
用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
標簽： THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
隨著對IEEE1641標準研究的逐漸深入，信號的構建成為了研究重點。對信號模型進行同步和門控控制，可以影響到TSF（測試信號框架）模型的輸出，從而達到控制信號的目的，使測試需求更加完善以及測試過程更加精確。
標簽： STD 標準 信號模型 門控機制
上傳時間： 2014-01-01
上傳用戶：YUANQINHUI
基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
在使用一些專用開發工具如Authorware時，常遇到不支持COM組件調用的問題。文中介紹了將COM組件和ActiveX控件的轉化方法以解決這種問題。根據組件的函數和數據成員在控件中添加相應的屬性、方法和事件來設計控件。文中以一個語音識別組件來詳細說明轉化方法和流程。最后，在Authorware工具中調用語音識別控件并能夠識別出文本。
標簽： 語音識別 控件 轉化
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：XLHrest
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
標簽： CoolMos 制造
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽： 歸零法 N進制計數器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
聲光雙控燈1
標簽： 聲光雙控
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：lu2767
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
能實現VCO 功能的電路很多，常用的有分立器件構成的振蕩器和集成壓控振蕩器。如串聯諧振電容三點式電路、壓控晶體振蕩器，積分-施密特電路、射級耦合多諧振蕩器、變容二極管調諧LC 振蕩器和數字門電路等幾種。它們之間各有優缺點，下面做簡要分析，并選擇最合適的方案。
標簽： 壓控 振蕩電路
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：tdyoung
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