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銅鉑厚度

  • 如何計(jì)算具有狹窄氣隙的圓形轉(zhuǎn)子電機(jī)中的繞組感應(yīng)

    本文的目的在于,介紹如何計(jì)算具有狹窄氣隙的圓形轉(zhuǎn)子電機(jī)中的繞組感應(yīng)。我們僅處理理想化的氣隙磁場(chǎng),不考慮槽、外部周邊或傾斜電抗。但我們將考察繞組磁動(dòng)勢(shì)(MMF)的空間諧頻。 在圖1中,給出了12槽定子的軸截面示意圖。實(shí)際上,所顯示的是薄鋼片的形狀,或用于構(gòu)成磁路的層片。鐵芯由薄片構(gòu)成,以控制渦流電流損耗。厚度將根據(jù)工作頻率而變,在60Hz的電機(jī)中(大體積電機(jī),工業(yè)用)層片的厚度典型為.014”(.355毫米)。它們堆疊在一起,以構(gòu)成具有恰當(dāng)長度的磁路。繞組位于該結(jié)構(gòu)的槽內(nèi)。 在圖1中,給出了帶有齒結(jié)構(gòu)的梯形槽,在大部分長度方向上具有近乎均勻的截面,靠近氣隙處較寬。齒端與相對(duì)狹窄的槽凹陷區(qū)域結(jié)合在一起,通過改善氣隙場(chǎng)的均勻性、增加氣隙磁導(dǎo)、將繞組保持在槽中,有助于控制很多電機(jī)轉(zhuǎn)子中的寄生損耗。請(qǐng)注意,對(duì)于具有名為“形式纏繞”線圈的大型電機(jī),它具有直邊矩形槽,以及非均勻截面齒。下面的介紹針對(duì)兩類電機(jī)。

    標(biāo)簽: 如何計(jì)算 轉(zhuǎn)子 電機(jī) 繞組

    上傳時(shí)間: 2013-10-13

    上傳用戶:我干你啊

  • Construction Strategy of ESD P

    Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words:ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電(ESD,Electrostatic Discharge)給電子器件環(huán)境會(huì)帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不斷縮小,金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄,MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小,因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能,需要從全芯片ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)來進(jìn)行考慮。

    標(biāo)簽: Construction Strategy ESD of

    上傳時(shí)間: 2013-11-09

    上傳用戶:Aidane

  • 超高頻窄帶單級(jí)低噪聲放大器的設(shè)計(jì)

    文中介紹了一款超高頻窄帶低噪聲放大器電路,該電路結(jié)構(gòu)小巧(20 mm ×13 mm ,厚度為0.6 mm),功能可靠、穩(wěn)定。放大器芯片采用3SK318YB,該芯片具有高增益、低噪聲等特點(diǎn)。電路主要用于超高頻段微波通信,電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用反饋型、穩(wěn)定衰減器法和低端增益衰減法進(jìn)行設(shè)計(jì)。生產(chǎn)成品并經(jīng)測(cè)試,該產(chǎn)品性價(jià)比高,完全達(dá)到了設(shè)計(jì)要求

    標(biāo)簽: 超高頻 窄帶 低噪聲放大器

    上傳時(shí)間: 2013-11-03

    上傳用戶:xja31415

  • 簡述PCB線寬和電流關(guān)系

      PCB線寬和電流關(guān)系公式   先計(jì)算Track的截面積,大部分PCB的銅箔厚度為35um(即 1oz)它乘上線寬就是截面積,注意換算成平方毫米。 有一個(gè)電流密度經(jīng)驗(yàn)值,為15~25安培/平方毫米。把它稱上截面積就得到通流容量。   I=KT(0.44)A(0.75), 括號(hào)里面是指數(shù),   K為修正系數(shù),一般覆銅線在內(nèi)層時(shí)取0.024,在外層時(shí)取0.048   T為最大溫升,單位為攝氏度(銅的熔點(diǎn)是1060℃)   A為覆銅截面積,單位為square mil.   I為容許的最大電流,單位為安培。   一般 10mil=0.010inch=0.254mm 1A , 250mil=6.35mm 8.3A ?倍數(shù)關(guān)系,與公式不符 ?  

    標(biāo)簽: PCB 電流

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

    上傳用戶:ls530720646

  • PCB設(shè)計(jì)時(shí)銅箔厚度,走線寬度和電流的關(guān)系

    汽車電子設(shè)計(jì)要求

    標(biāo)簽: PCB 計(jì)時(shí) 電流

    上傳時(shí)間: 2013-11-01

    上傳用戶:agent

  • PCB設(shè)計(jì)銅鉑厚度與線寬和電流以及溫升的關(guān)系

    pcb應(yīng)注意的問題

    標(biāo)簽: PCB 銅鉑厚度 電流

    上傳時(shí)間: 2013-11-15

    上傳用戶:jing911003

  • PCB板材

    多層板是由芯板和半固化片互相層疊壓合而成的。而半固化片構(gòu)成所謂的浸潤層,起到粘合芯板的作用,雖然也有一定的初始厚度,但是在壓制過程中其厚度會(huì)發(fā)生一些變化。

    標(biāo)簽: PCB 板材

    上傳時(shí)間: 2013-10-29

    上傳用戶:a296386173

  • PCB布線原則

    PCB 布線原則連線精簡原則連線要精簡,盡可能短,盡量少拐彎,力求線條簡單明了,特別是在高頻回路中,當(dāng)然為了達(dá)到阻抗匹配而需要進(jìn)行特殊延長的線就例外了,例如蛇行走線等。安全載流原則銅線的寬度應(yīng)以自己所能承載的電流為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì),銅線的載流能力取決于以下因素:線寬、線厚(銅鉑厚度)、允許溫升等,下表給出了銅導(dǎo)線的寬度和導(dǎo)線面積以及導(dǎo)電電流的關(guān)系(軍品標(biāo)準(zhǔn)),可以根據(jù)這個(gè)基本的關(guān)系對(duì)導(dǎo)線寬度進(jìn)行適當(dāng)?shù)目紤]。印制導(dǎo)線最大允許工作電流(導(dǎo)線厚50um,允許溫升10℃)導(dǎo)線寬度(Mil) 導(dǎo)線電流(A) 其中:K 為修正系數(shù),一般覆銅線在內(nèi)層時(shí)取0.024,在外層時(shí)取0.048;T 為最大溫升,單位為℃;A 為覆銅線的截面積,單位為mil(不是mm,注意);I 為允許的最大電流,單位是A。電磁抗干擾原則電磁抗干擾原則涉及的知識(shí)點(diǎn)比較多,例如銅膜線的拐彎處應(yīng)為圓角或斜角(因?yàn)楦哳l時(shí)直角或者尖角的拐彎會(huì)影響電氣性能)雙面板兩面的導(dǎo)線應(yīng)互相垂直、斜交或者彎曲走線,盡量避免平行走線,減小寄生耦合等。一、 通常一個(gè)電子系統(tǒng)中有各種不同的地線,如數(shù)字地、邏輯地、系統(tǒng)地、機(jī)殼地等,地線的設(shè)計(jì)原則如下:1、 正確的單點(diǎn)和多點(diǎn)接地在低頻電路中,信號(hào)的工作頻率小于1MHZ,它的布線和器件間的電感影響較小,而接地電路形成的環(huán)流對(duì)干擾影響較大,因而應(yīng)采用一點(diǎn)接地。當(dāng)信號(hào)工作頻率大于10MHZ 時(shí),如果采用一點(diǎn)接地,其地線的長度不應(yīng)超過波長的1/20,否則應(yīng)采用多點(diǎn)接地法。2、 數(shù)字地與模擬地分開若線路板上既有邏輯電路又有線性電路,應(yīng)盡量使它們分開。一般數(shù)字電路的抗干擾能力比較強(qiáng),例如TTL 電路的噪聲容限為0.4~0.6V,CMOS 電路的噪聲容限為電源電壓的0.3~0.45 倍,而模擬電路只要有很小的噪聲就足以使其工作不正常,所以這兩類電路應(yīng)該分開布局布線。3、 接地線應(yīng)盡量加粗若接地線用很細(xì)的線條,則接地電位會(huì)隨電流的變化而變化,使抗噪性能降低。因此應(yīng)將地線加粗,使它能通過三倍于印制板上的允許電流。如有可能,接地線應(yīng)在2~3mm 以上。4、 接地線構(gòu)成閉環(huán)路只由數(shù)字電路組成的印制板,其接地電路布成環(huán)路大多能提高抗噪聲能力。因?yàn)榄h(huán)形地線可以減小接地電阻,從而減小接地電位差。二、 配置退藕電容PCB 設(shè)計(jì)的常規(guī)做法之一是在印刷板的各個(gè)關(guān)鍵部位配置適當(dāng)?shù)耐伺弘娙荩伺弘娙莸囊话闩渲迷瓌t是:􀁺?電電源的輸入端跨½10~100uf的的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采Ó100uf以以上的電解電容器抗干擾效果會(huì)更好¡���?原原則上每個(gè)集成電路芯片都應(yīng)布置一¸0.01uf~`0.1uf的的瓷片電容,如遇印制板空隙不夠,可Ã4~8個(gè)個(gè)芯片布置一¸1~10uf的的鉭電容(最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來的,這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感,最好使用鉭電容或聚碳酸醞電容)。���?對(duì)對(duì)于抗噪能力弱、關(guān)斷時(shí)電源變化大的器件,ÈRA、¡ROM存存儲(chǔ)器件,應(yīng)在芯片的電源線和地線之間直接接入退藕電容¡���?電電容引線不能太長,尤其是高頻旁路電容不能有引線¡三¡過過孔設(shè)¼在高ËPCB設(shè)設(shè)計(jì)中,看似簡單的過孔也往往會(huì)給電路的設(shè)計(jì)帶來很大的負(fù)面效應(yīng),為了減小過孔的寄生效應(yīng)帶來的不利影響,在設(shè)計(jì)中可以盡量做到£���?從從成本和信號(hào)質(zhì)量兩方面來考慮,選擇合理尺寸的過孔大小。例如¶6- 10層層的內(nèi)存模¿PCB設(shè)設(shè)計(jì)來說,選Ó10/20mi((鉆¿焊焊盤)的過孔較好,對(duì)于一些高密度的小尺寸的板子,也可以嘗試使Ó8/18Mil的的過孔。在目前技術(shù)條件下,很難使用更小尺寸的過孔了(當(dāng)孔的深度超過鉆孔直徑µ6倍倍時(shí),就無法保證孔壁能均勻鍍銅);對(duì)于電源或地線的過孔則可以考慮使用較大尺寸,以減小阻抗¡���?使使用較薄µPCB板板有利于減小過孔的兩種寄生參數(shù)¡���? PCB板板上的信號(hào)走線盡量不換層,即盡量不要使用不必要的過孔¡���?電電源和地的管腳要就近打過孔,過孔和管腳之間的引線越短越好¡���?在在信號(hào)換層的過孔附近放置一些接地的過孔,以便為信號(hào)提供最近的回路。甚至可以ÔPCB板板上大量放置一些多余的接地過孔¡四¡降降低噪聲與電磁干擾的一些經(jīng)Ñ?能能用低速芯片就不用高速的,高速芯片用在關(guān)鍵地方¡?可可用串一個(gè)電阻的方法,降低控制電路上下沿跳變速率¡?盡盡量為繼電器等提供某種形式的阻尼,ÈRC設(shè)設(shè)置電流阻尼¡?使使用滿足系統(tǒng)要求的最低頻率時(shí)鐘¡?時(shí)時(shí)鐘應(yīng)盡量靠近到用該時(shí)鐘的器件,石英晶體振蕩器的外殼要接地¡?用用地線將時(shí)鐘區(qū)圈起來,時(shí)鐘線盡量短¡?石石英晶體下面以及對(duì)噪聲敏感的器件下面不要走線¡?時(shí)時(shí)鐘、總線、片選信號(hào)要遠(yuǎn)ÀI/O線線和接插件¡?時(shí)時(shí)鐘線垂直ÓI/O線線比平行ÓI/O線線干擾小¡? I/O驅(qū)驅(qū)動(dòng)電路盡量靠½PCB板板邊,讓其盡快離¿PC。。對(duì)進(jìn)ÈPCB的的信號(hào)要加濾波,從高噪聲區(qū)來的信號(hào)也要加濾波,同時(shí)用串終端電阻的辦法,減小信號(hào)反射¡? MCU無無用端要接高,或接地,或定義成輸出端,集成電路上該接電源、地的端都要接,不要懸空¡?閑閑置不用的門電路輸入端不要懸空,閑置不用的運(yùn)放正輸入端接地,負(fù)輸入端接輸出端¡?印印制板盡量使Ó45折折線而不Ó90折折線布線,以減小高頻信號(hào)對(duì)外的發(fā)射與耦合¡?印印制板按頻率和電流開關(guān)特性分區(qū),噪聲元件與非噪聲元件呀距離再遠(yuǎn)一些¡?單單面板和雙面板用單點(diǎn)接電源和單點(diǎn)接地、電源線、地線盡量粗¡?模模擬電壓輸入線、參考電壓端要盡量遠(yuǎn)離數(shù)字電路信號(hào)線,特別是時(shí)鐘¡?對(duì)¶A/D類類器件,數(shù)字部分與模擬部分不要交叉¡?元元件引腳盡量短,去藕電容引腳盡量短¡?關(guān)關(guān)鍵的線要盡量粗,并在兩邊加上保護(hù)地,高速線要短要直¡?對(duì)對(duì)噪聲敏感的線不要與大電流,高速開關(guān)線并行¡?弱弱信號(hào)電路,低頻電路周圍不要形成電流環(huán)路¡?任任何信號(hào)都不要形成環(huán)路,如不可避免,讓環(huán)路區(qū)盡量小¡?每每個(gè)集成電路有一個(gè)去藕電容。每個(gè)電解電容邊上都要加一個(gè)小的高頻旁路電容¡?用用大容量的鉭電容或聚酷電容而不用電解電容做電路充放電儲(chǔ)能電容,使用管狀電容時(shí),外殼要接地¡?對(duì)對(duì)干擾十分敏感的信號(hào)線要設(shè)置包地,可以有效地抑制串?dāng)_¡?信信號(hào)在印刷板上傳輸,其延遲時(shí)間不應(yīng)大于所有器件的標(biāo)稱延遲時(shí)間¡環(huán)境效應(yīng)原Ô要注意所應(yīng)用的環(huán)境,例如在一個(gè)振動(dòng)或者其他容易使板子變形的環(huán)境中采用過細(xì)的銅膜導(dǎo)線很容易起皮拉斷等¡安全工作原Ô要保證安全工作,例如要保證兩線最小間距要承受所加電壓峰值,高壓線應(yīng)圓滑,不得有尖銳的倒角,否則容易造成板路擊穿等。組裝方便、規(guī)范原則走線設(shè)計(jì)要考慮組裝是否方便,例如印制板上有大面積地線和電源線區(qū)時(shí)(面積超¹500平平方毫米),應(yīng)局部開窗口以方便腐蝕等。此外還要考慮組裝規(guī)范設(shè)計(jì),例如元件的焊接點(diǎn)用焊盤來表示,這些焊盤(包括過孔)均會(huì)自動(dòng)不上阻焊油,但是如用填充塊當(dāng)表貼焊盤或用線段當(dāng)金手指插頭,而又不做特別處理,(在阻焊層畫出無阻焊油的區(qū)域),阻焊油將掩蓋這些焊盤和金手指,容易造成誤解性錯(cuò)誤£SMD器器件的引腳與大面積覆銅連接時(shí),要進(jìn)行熱隔離處理,一般是做一¸Track到到銅箔,以防止受熱不均造成的應(yīng)力集Ö而導(dǎo)致虛焊£PCB上上如果有¦12或或方Ð12mm以以上的過孔時(shí),必須做一個(gè)孔蓋,以防止焊錫流出等。經(jīng)濟(jì)原則遵循該原則要求設(shè)計(jì)者要對(duì)加工,組裝的工藝有足夠的認(rèn)識(shí)和了解,例È5mil的的線做腐蝕要±8mil難難,所以價(jià)格要高,過孔越小越貴等熱效應(yīng)原則在印制板設(shè)計(jì)時(shí)可考慮用以下幾種方法:均勻分布熱負(fù)載、給零件裝散熱器,局部或全局強(qiáng)迫風(fēng)冷。從有利于散熱的角度出發(fā),印制板最好是直立安裝,板與板的距離一般不應(yīng)小Ó2c,,而且器件在印制板上的排列方式應(yīng)遵循一定的規(guī)則£同一印制板上的器件應(yīng)盡可能按其發(fā)熱量大小及散熱程度分區(qū)排列,發(fā)熱量小或耐熱性差的器件(如小信號(hào)晶體管、小規(guī)模集³電路、電解電容等)放在冷卻氣流的最上(入口處),發(fā)熱量大或耐熱性好的器件(如功率晶體管、大規(guī)模集成電路等)放在冷卻Æ流最下。在水平方向上,大功率器件盡量靠近印刷板的邊沿布置,以便縮短傳熱路徑;在垂直方向上,大功率器件盡量靠近印刷板上方布置£以便減少這些器件在工作時(shí)對(duì)其他器件溫度的影響。對(duì)溫度比較敏感的器件最好安置在溫度最低的區(qū)域(如設(shè)備的µ部),千萬不要將它放在發(fā)熱器件的正上方,多個(gè)器件最好是在水平面上交錯(cuò)布局¡設(shè)備內(nèi)印制板的散熱主要依靠空氣流動(dòng),所以在設(shè)計(jì)時(shí)要研究空氣流動(dòng)的路徑,合理配置器件或印制電路板。采用合理的器件排列方式,可以有效地降低印制電路的溫升。此外通過降額使用,做等溫處理等方法也是熱設(shè)計(jì)中經(jīng)常使用的手段¡

    標(biāo)簽: PCB 布線原則

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

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  • PCB設(shè)計(jì)時(shí)銅箔厚度,走線寬度和電流的關(guān)系.pdf

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    標(biāo)簽: PCB 計(jì)時(shí)

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶:wendy15

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

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