用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動(dòng)態(tài) 范圍)
上傳時(shí)間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個(gè)高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設(shè)計(jì)中采用了三級級聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu)，通過前級源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò)，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負(fù)電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達(dá)24dB；噪聲系數(shù)小于3．5dB．兩個(gè)放大器都有較高的動(dòng)態(tài)范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點(diǎn)輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車?yán)走_(dá)前端和26．5GHz本地多點(diǎn)通信系統(tǒng)中．
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：masochism
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
標(biāo)簽： 單端應(yīng)用 差分 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶：rocketrevenge
DC-DC經(jīng)典PCB布局
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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DAC34H84 是一款由德州儀器（TI）推出的四通道、16 比特、采樣1.25GSPS、功耗1.4W 高性能的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。支持625MSPS 的數(shù)據(jù)率，可用于寬帶與多通道系統(tǒng)的基站收發(fā)信機(jī)。由于無線通信技術(shù)的高速發(fā)展與各設(shè)備商基站射頻拉遠(yuǎn)單元（RRU/RRH）多種制式平臺(tái)化的要求，目前收發(fā)信機(jī)單板支持的發(fā)射信號頻譜越來越寬，而中頻頻率一般沒有相應(yīng)提高，所以中頻發(fā)射DAC 發(fā)出中頻（IF）信號的二次諧波（HD2）或中頻與采樣頻率Fs 混疊產(chǎn)生的信號（Fs-2*IF）離主信號也越來越近，因此這些非線性雜散越來越難被外部模擬濾波器濾除。這些子進(jìn)行pcb設(shè)計(jì)布局，能取得較好的信號完整性效果，可以在pcb打樣后，更放心。這些雜散信號會(huì)降低發(fā)射機(jī)的SFDR 性能，優(yōu)化DAC 輸出的二次諧波性能也就變得越來越重要。
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶：lalalal
飛思卡爾的PCB布局布線應(yīng)用筆記，很值得學(xué)習(xí)的
標(biāo)簽： PCB 飛思卡爾 布局布線 應(yīng)用筆記
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：elinuxzj
PCB線寬和電流關(guān)系公式 先計(jì)算Track的截面積，大部分PCB的銅箔厚度為35um（即 1oz）它乘上線寬就是截面積，注意換算成平方毫米。 有一個(gè)電流密度經(jīng)驗(yàn)值，為15~25安培/平方毫米。把它稱上截面積就得到通流容量。 I=KT（0.44）A（0.75）， 括號里面是指數(shù)， K為修正系數(shù)，一般覆銅線在內(nèi)層時(shí)取0.024，在外層時(shí)取0.048 T為最大溫升，單位為攝氏度（銅的熔點(diǎn)是1060℃） A為覆銅截面積，單位為square mil. I為容許的最大電流，單位為安培。 一般 10mil=0.010inch=0.254mm 1A ， 250mil=6.35mm 8.3A ？倍數(shù)關(guān)系，與公式不符 ？
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：ls530720646
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