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  • 工業監控和便攜式儀器的6通道SAR型ADC

    14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC,具有 6 個同時采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源,並具有 6 個獨立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個 ADC。

    標簽: SAR ADC 工業監控 便攜式

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:dbs012280

  • 基于多環鎖相寬帶細步進頻率合成器的設計

    為了滿足寬頻段、細步進頻率綜合器的工程需求,對基于多環鎖相的頻率合成器進行了分析和研究。在對比傳統單環鎖相技術基礎上,介紹了采用DDS+PLL多環技術實現寬帶細步進頻綜,輸出頻段10~13 GHz,頻率步進10 kHz,相位噪聲達到-92 dBc/Hz@1 kHz,雜散抑制達到-68 dBc,滿足實際工程應用需求。

    標簽: 鎖相 寬帶 合成器 步進頻率

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:Late_Li

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • MT-013 評估高速DAC性能

    ADC需要FFT處理器來評估頻譜純度,DAC則不同,利用傳統的模擬頻譜分析儀就能直接 研究它所產生的模擬輸出。DAC評估的挑戰在于要產生從單音正弦波到復雜寬帶CDMA信 號的各種數字輸入。數字正弦波可以利用直接數字頻率合成技術來產生,但更復雜的數字 信號則需要利用更精密、更昂貴的字發生器來產生。 評估高速DAC時,最重要的交流性能指標包括:建立時間、毛刺脈沖面積、失真、無雜散 動態范圍(SFDR)和信噪比(SNR)。本文首先討論時域指標,然后討論頻域指標。

    標簽: 013 DAC MT 性能

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:Vici

  • 3GHz射頻信號源模塊GR6710

    產品概要: 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊,可以通過測控軟件產生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調制輸出,具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定義IO接口。 產品描述: 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊,可以通過測控軟件產生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調制輸出,還可以通過IQ選件實現其它任意調制輸出。GR6710既可程控發生點頻信號和掃頻信號,也支持內部調制和外部調制。GR6710可安裝于3U/6U背板上工作,也可以獨立供電工作,使用靈活。該模塊可用于通信測試、校準信號源。 技術指標 頻率特性 頻率范圍:9kHz~3GHz,500KHz以下指標不保證 頻率分辨率:3Hz,1Hz(載頻<10MHz時) 頻率穩定度:晶振保證 電平特性 電平范圍:-110dBm~+10dBm 電平分辨率:0.5dB 電平準確度:≤±2.5dB@POWER<-90dBm,≤±1.5dB@POWER>-90dBm 輸出關斷功能 頻譜純度 諧波:9KHz~200MHz≥20dBc,200MHz~3GHz≥30dBc 非諧波:≤80dBc典型值(偏移10kHz,載頻<1GHz),≥68dBc(偏移10kHz,其它載頻), 鎖相環小數分頻雜散≥64dBc(偏移10kHz) SSB相噪: ≤-98dBc/Hz 偏移20kHz(500MHz) ≤-102dBc/Hz 偏移20kHz(1GHz) ≤-90dBc/Hz 偏移20kHz(>1GHz) 調制輸出:調幅AM、調頻FM、脈沖CW,其它調制輸出可以通過IQ選件實現 調制源:內、外 參考時鐘輸入和輸出:10MHz,14dBm 控制接口:CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485、自定義GPIO 射頻和時鐘連接器:SMA-K 電源接口:背板供電、獨立供電 可選 電源及其功耗:+5V DC、±12V DC(紋波≤2%輸出電壓),≤38W 結構尺寸:3U高度4槽寬度(100mm×160mm×82mm,不含連接器部分) 工作環境:商業級溫度和工業級溫度 可選,振動、沖擊、可靠性、MTBF 測控軟件功能:射頻信號發生、調制信號輸出、跳頻/掃頻信號發生、支持WindowsXP系統 成功案例: 通信綜測儀器內部的信號源模塊 無線電監測設備內部的信號校準模塊 無線電通信測試儀器的調制信號發生

    標簽: 3GHz 6710 GR 射頻信號源

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:s363994250

  • 數字預失真(DPD)算法研發工具和驗證方案

    在無線通信系統全面進入3G并開始邁向 4G的過程中,使用數字預失真技術(Digital Pre-distortion,以下簡稱DPD)對發射機的功放進行線性化是一門關鍵技術。功率放大器是通信系統中影響系統性能和覆蓋范圍的關鍵部件,非線性是功放的固有特性。非線性會引起頻譜增長(spectral re-growth),從而造成鄰道干擾,使帶外雜散達不到協議標準規定的要求。非線性也會造成帶內失真,帶來系統誤碼率增大的問題。

    標簽: DPD 數字預失真 算法 驗證方案

    上傳時間: 2013-10-19

    上傳用戶:yy_cn

  • DAC34H84 HD2 性能優化與PCB布局建議

    DAC34H84 是一款由德州儀器(TI)推出的四通道、16 比特、采樣1.25GSPS、功耗1.4W 高性能的數模轉換器。支持625MSPS 的數據率,可用于寬帶與多通道系統的基站收發信機。由于無線通信技術的高速發展與各設備商基站射頻拉遠單元(RRU/RRH)多種制式平臺化的要求,目前收發信機單板支持的發射信號頻譜越來越寬,而中頻頻率一般沒有相應提高,所以中頻發射DAC 發出中頻(IF)信號的二次諧波(HD2)或中頻與采樣頻率Fs 混疊產生的信號(Fs-2*IF)離主信號也越來越近,因此這些非線性雜散越來越難被外部模擬濾波器濾除。這些子進行pcb設計布局,能取得較好的信號完整性效果,可以在pcb打樣后,更放心。這些雜散信號會降低發射機的SFDR 性能,優化DAC 輸出的二次諧波性能也就變得越來越重要。

    標簽: DAC 34H H84 HD2

    上傳時間: 2013-10-23

    上傳用戶:lalalal

  • PCB LAYOUT設計規范手冊

      PCB Layout Rule Rev1.70, 規範內容如附件所示, 其中分為:   (1) ”PCB LAYOUT 基本規範”:為R&D Layout時必須遵守的事項, 否則SMT,DIP,裁板時無法生產.   (2) “錫偷LAYOUT RULE建議規範”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球.   (3) “PCB LAYOUT 建議規範”:為製造單位為提高量產良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout.   (4) ”零件選用建議規範”: Connector零件在未來應用逐漸廣泛, 又是SMT生產時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.

    標簽: LAYOUT PCB 設計規范

    上傳時間: 2013-10-28

    上傳用戶:zhtzht

  • 傳輸線與電路觀點詳解

      •1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配

    標簽: 傳輸線 電路

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:laomv123

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

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