面向小面積和大面積光電二極管的低躁聲放大器
光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管 ...
光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管 ...
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關,裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。 ...
一篇來自臺灣中華大學的論文--《無線射頻系統標簽晶片設計》,彩色版。其摘要為:本論文討論使用於無線射頻辨識系統(RFID)之標籤晶片系統的電路設計和晶片製作,初步設計標籤晶片的基本功能,設計流程包含數位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類比電路的設計與晶片電路的佈局考量。 論文的第一部份是序論、射頻辨識...
關於一些面板的介紹,包括音波式面板、電阻式面板、電容式面板等資料。...