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電容觸摸

透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀(guān)察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶(hù)：swing
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

標(biāo)簽： DDR 記憶體電源

上傳時(shí)間： 2013-10-14

上傳用戶(hù)：immanuel2006
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線(xiàn)壓范圍

透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

標(biāo)簽： 輸入電容電流

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶(hù)：jelenecheung
一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線(xiàn)射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》

一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線(xiàn)射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》，彩色版。其摘要為：本論文討論使用於無(wú)線(xiàn)射頻辨識(shí)系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和晶片製作，初步設(shè)計(jì)標(biāo)籤晶片的基本功能，設(shè)計(jì)流程包含數(shù)位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類(lèi)比電路的設(shè)計(jì)與晶片電路的佈局考量。論文的第一部份是序論、射頻辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)劃、辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)格介紹及制定，而第二部份是標(biāo)籤晶片設(shè)計(jì)、晶片量測(cè)、結(jié)論。電路的初步設(shè)計(jì)功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯(cuò)誤偵測(cè)編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調(diào)變的功能，最後完成晶片的實(shí)作。

標(biāo)簽： 大學(xué) 論文無(wú)線(xiàn)射頻

上傳時(shí)間： 2016-08-27

上傳用戶(hù)：tb_6877751
關(guān)於一些面板的介紹

關(guān)於一些面板的介紹，包括音波式面板、電阻式面板、電容式面板等資料。

標(biāo)簽： 面板

上傳時(shí)間： 2013-12-07

上傳用戶(hù)：啊颯颯大師的
恒流LED驅(qū)動(dòng)芯片 NU510 PWM調(diào)光雙色溫應(yīng)用詳解

臺(tái)灣數(shù)能NU510ES是一款低壓線(xiàn)性恒流驅(qū)動(dòng)芯片，高達(dá)30V耐壓，高精度恒流，低壓差，功率電流可外掛電阻任意調(diào)節(jié)電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應(yīng)用場(chǎng)景如下：一般 LED 照明 LCD 背光商業(yè)照明燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED 手電筒 RGB 顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車(chē)燈照明/轉(zhuǎn)向流星燈備註：雙色溫調(diào)光調(diào)色主要是通過(guò)改變 C1、C2 容量的大小，造成 VDD 的上電時(shí)間延時(shí)不同。多顆電容順序增大，就能產(chǎn)流量燈效果。 NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式，用戶(hù)可以根據(jù)實(shí)際情況靈活選用，通常150mA 以下采用SOT23-6封裝，150-350mA采用SOP-8封裝。

標(biāo)簽： led 驅(qū)動(dòng)芯片 nu510

上傳時(shí)間： 2022-01-07

上傳用戶(hù)：shjgzh
最新FPC生產(chǎn)流程介紹

SMT（Surface mount technology）是可在“板面上”滿(mǎn)及焊牢棲多敷“表面黏裝零件的電子裝配技術(shù).侵貼：1.可在板上雨成同特焊接，封裝密度提高50~70%.WW2.l短，提高博輸速度3.可使用更高刪敷.4.自勤化，快速，成本低.1.表面貼裝零件SOIC（small outline integrate circle）RESISTANCE（電阻）CAPACITANCE（電容）AMPLCC（plastic leaded chip carriers）CONNECT etc.（結(jié)器）封裝材料1.）陶瓷（BeO）：精度高，密封度高（CTE：5～7PPM/℃）封板子熟膨服要求高2.）聚硫胺醚（Polyetherimide）：一可用玻璃逛行封合的耐高溫熟塑性塑廖，機(jī)械，電子性能侵良AwIR各波皆敏感，易分解，生“酸泡”現(xiàn)象.3.）熔融矽砂（Fused silica），暖氧橫脂

標(biāo)簽： fpc

上傳時(shí)間： 2022-07-27

上傳用戶(hù)：zhaiyawei
可以讀取電腦中所有PCI bus, function, device 通道的內(nèi)容

可以讀取電腦中所有PCI bus, function, device 通道的內(nèi)容

標(biāo)簽： function device PCI bus

上傳時(shí)間： 2013-11-30

上傳用戶(hù)：xiaoxiang
這是最新OFDM的完整文件教材是目前國(guó)內(nèi)許多教授授課時(shí)使用的內(nèi)容很充實(shí)

這是最新OFDM的完整文件教材是目前國(guó)內(nèi)許多教授授課時(shí)使用的內(nèi)容很充實(shí)，從OFDM的原理到同步、調(diào)變、數(shù)位電視，都有完善的說(shuō)明

標(biāo)簽： OFDM 教材

上傳時(shí)間： 2013-12-09

上傳用戶(hù)：JIUSHICHEN
本書(shū)以最新的資訊家電、智慧型手機(jī)、PDA產(chǎn)品為出發(fā)點(diǎn)

本書(shū)以最新的資訊家電、智慧型手機(jī)、PDA產(chǎn)品為出發(fā)點(diǎn)，廣泛並深入分析相關(guān)的嵌入式系統(tǒng)技術(shù)。適合閱讀：產(chǎn)品主管、系統(tǒng)設(shè)計(jì)分析人員、欲進(jìn)入此領(lǐng)域的工程師、大專(zhuān)院校教學(xué). 本書(shū)效益：為開(kāi)發(fā)嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品必備入門(mén)聖經(jīng) 進(jìn)入嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域的寶典第三代行動(dòng)通訊終端設(shè)備與內(nèi)容服務(wù)的必備知識(shí).

標(biāo)簽： PDA 家

上傳時(shí)間： 2015-09-03

上傳用戶(hù)：阿四AIR