透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET ...
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET ...
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。 ...
透過(guò)增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí),還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress ...
一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線(xiàn)射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》,彩色版。其摘要為:本論文討論使用於無(wú)線(xiàn)射頻辨識(shí)系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和晶片製作,初步設(shè)計(jì)標(biāo)籤晶片的基本功能,設(shè)計(jì)流程包含數(shù)位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類(lèi)比電路的設(shè)計(jì)與晶片電路的佈局考量。 論文的第一部份是序論、射頻辨識(shí)...
關(guān)於一些面板的介紹,包括音波式面板、電阻式面板、電容式面板等資料。...