亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲(chóng)蟲(chóng)首頁(yè)| 資源下載| 資源專輯| 精品軟件
登錄| 注冊(cè)

電工電子 環(huán)(huán)境試驗(yàn)(yàn) 低溫

  • 利用Labview控制電源供應(yīng)器ppt-1830測(cè)試電壓電流

    利用Labview控制電源供應(yīng)器ppt-1830測(cè)試電壓電流

    標(biāo)簽: Labview 1830 控制

    上傳時(shí)間: 2014-01-08

    上傳用戶:dengzb84

  • 電源供應(yīng)器analog電壓電流回受控制備PID功能並將運(yùn)算結(jié)果透過(guò)SPI介面回傳另一顆單片機(jī)

    電源供應(yīng)器analog電壓電流回受控制備PID功能並將運(yùn)算結(jié)果透過(guò)SPI介面回傳另一顆單片機(jī)

    標(biāo)簽: analog PID SPI 控制

    上傳時(shí)間: 2017-03-19

    上傳用戶:duoshen1989

  • 電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)利用鍵盤(pán)介面輸入電源電壓值以SPI界面?zhèn)髦亮硪活wCPU做前端之運(yùn)算結(jié)果傳回做LED顯示

    電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)利用鍵盤(pán)介面輸入電源電壓值以SPI界面?zhèn)髦亮硪活wCPU做前端之運(yùn)算結(jié)果傳回做LED顯示

    標(biāo)簽: SPI CPU LED 鍵盤(pán)

    上傳時(shí)間: 2017-03-19

    上傳用戶:二驅(qū)蚊器

  • 一份鋰電池充電的電路圖。線路不是很復(fù)雜

    一份鋰電池充電的電路圖。線路不是很復(fù)雜,功能強(qiáng)大。

    標(biāo)簽: 電池

    上傳時(shí)間: 2014-01-12

    上傳用戶:懶龍1988

  • 符合能量星標(biāo)準(zhǔn)的電源電路圖

    符合能量星標(biāo)準(zhǔn)的電源電路圖符合能量星標(biāo)準(zhǔn)的電源電路圖符合能量星標(biāo)準(zhǔn)的電源電路圖

    標(biāo)簽: 電源電路

    上傳時(shí)間: 2021-12-09

    上傳用戶:

  • 采用集成電流檢測(cè)來(lái)監(jiān)視和保護(hù)汽車(chē)系統(tǒng)

    對(duì)於集成電路而言,汽車(chē)是一種苛刻的使用環(huán)境,這裡,引擎罩下的工作溫度範(fàn)圍可寬達(dá) -40°C 至 125°C,而且,在電池電壓總線上出現(xiàn)大瞬變偏移也是預(yù)料之中的事

    標(biāo)簽: 集成 電流檢測(cè) 保護(hù) 汽車(chē)系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶:zhaiye

  • 微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng))

    微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng)) 特點(diǎn): 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測(cè)與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定 瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測(cè)試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格: 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過(guò)載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過(guò)載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時(shí)間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測(cè)試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標(biāo)簽: 微電腦 單相交流 單相 電表

    上傳時(shí)間: 2015-01-03

    上傳用戶:幾何公差

  • 本文是以數(shù)位訊號(hào)處理器DSP(Digital Singal Processor)之核心架構(gòu)為主體的數(shù)位式溫度控制器開(kāi)發(fā)

    本文是以數(shù)位訊號(hào)處理器DSP(Digital Singal Processor)之核心架構(gòu)為主體的數(shù)位式溫度控制器開(kāi)發(fā),而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來(lái)完成。而就硬體電路來(lái)看分為量測(cè)電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個(gè)部分,其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅(qū)動(dòng)裝置, RS232 除了可以與PC聯(lián)絡(luò)外也可以與具有CPU的熱能驅(qū)動(dòng)器做命令傳輸。在計(jì)畫(huà)中分析現(xiàn)有工業(yè)用加熱驅(qū)動(dòng)裝置和溫度曲線的關(guān)係,並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式,亦即DSP控制程式,其中包括控制理論、感測(cè)器線性轉(zhuǎn)換程式、I/O介面及通訊協(xié)定相關(guān)程式。在控制法則上,提出一個(gè)新的加熱體描述模型,然後以前饋控制為主並輔以PID控制,得到不錯(cuò)的控制結(jié)果。

    標(biāo)簽: Processor Digital Singal DSP

    上傳時(shí)間: 2013-12-24

    上傳用戶:zjf3110

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問(wèn)題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問(wèn)題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時(shí)間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

主站蜘蛛池模板: 额尔古纳市| 石嘴山市| 仪陇县| 宁城县| 兴仁县| 张掖市| 外汇| 醴陵市| 日照市| 德兴市| 江山市| 通化市| 吉安市| 五莲县| 米林县| 大埔区| 百色市| 文安县| 宝丰县| 罗甸县| 轮台县| 辉南县| 平罗县| 武夷山市| 雷州市| 云南省| 新密市| 教育| 彰化县| 怀化市| 道真| 贡觉县| 正镶白旗| 肇州县| 泰宁县| 临沧市| 新绛县| 洮南市| 抚远县| 梅河口市| 通道|