隨著電力電子技術的發展，開關電源的小型化、高頻化成為趨勢，其中各個部分工作時的電磁干擾問題也越來越嚴重，因此開關電源的電磁兼容性也越來越引起人們的重視。目前，軟開關技術因其能減少開關損耗和提高效率，在開關電源中應用越來越廣泛。本文的主要目的是針對開關電源中的電磁干擾進行分析，研究軟開關技術對電磁干擾的影響，并且提出一種抑制共模干擾的濾波方法。 本文首先介紹了電磁兼容的定義、開關電源EMI的特點，論述了開關電源中EMI的研究現狀。從電磁干擾的三要素出發，介紹了開關電源中電磁干擾的干擾源和干擾的耦合通路。分析了電感、電容、高頻變壓器等器件的高頻特性，并介紹了線性阻抗穩定系統(LISN)的定義和作用。在了解了軟開關基本概念的基礎上，本文以全橋變換器為對象，介紹了移相全橋ZVS的工作原理，分析了它在實現過程中對共模干擾的影響，并在考慮IGBT寄生電容的情況下，對其共模干擾通道進行了分析。然后以UC3875為核心，設計了移相全橋ZVS的控制電路和主電路，實現了軟開關。為了對共模干擾進行抑制，本文提出了一種新型的有源和無源相結合的EMI濾波器，即無源部分采用匹配網絡法，將阻抗失配的影響降到最低；有源部分采用前饋控制，對共模電流進行補償。 針對以上提出的問題，本文通過Saber軟件對移相全橋ZVS進行了仿真，并和硬開關條件下的傳導干擾進行了比較，得出了在高頻段，ZVS的共模干擾小于硬開關，在較低頻段改善不大，甚至更加嚴重，而差模干擾有較大衰減的結論。通過對混合濾波器進行仿真，取得了良好的濾波效果，和傳統的無源EMI濾波器相比，在體積和重量上都有一定優勢。
上傳時間： 2013-05-28
上傳用戶：iswlkje
近幾十年來,由于大功率電力電子裝置的廣泛應用,使公用電網受到諧波電流和諧波電壓的污染日益嚴重,功率因數低,電能利用率低。為了抑制電網的諧波,提高功率因數,人們通常采用無功補償、有源、無源濾波器等對電網環境進行改善。近年來,功率因數校正技術作為抑制諧波電流,提高功率因數的行之有效的方法,備受人們的關注。 本文在參閱國內外大量文獻的基礎上,綜述了近年來國內外功率因數校正的發展狀況,簡要分析了無源功率因數與有源功率因數的優、缺點,并詳細分析了有源功率因數校正的基本原理和控制方法。在通過對主電路拓撲與控制方法的優、缺點比較后,選擇BOOST變換器作為主電路拓撲,采用基于平均電流控制的UC3854控制器,設計了容量為300W的兩級有源功率因數校正電路的前一級電路,計算了主電路與控制電路的元件參數。根據此參數,基于MATLAB環境下對功率因數校正前、后的電路進行了仿真,通過仿真波形的分析。最后搭建實驗電路進行實驗,采集實驗波形,對實驗結果進行分析,進-步驗證了本設計參數的正確性與準確性。 本文功率因數校正電路的設計,使電路的功率因數得到了明顯的改善,達到了設計要求,同時電路的總諧波畸變因數控制在了一定的范圍,減少了對電網的污染。并且電路的輸出電壓穩定,為后一級的電路設計奠定了基礎。
上傳時間： 2013-05-22
上傳用戶：源碼3
直接數字合成(DDS)技術采用全數字的合成方法，所產生的信號具有頻率分辨率高、頻率切換速度快、頻率切換時相位連續、輸出相位噪聲低和可以產生任意波形等諸多優點。本文研究的是一種基于DDS/FPGA的多波形信號源系統，其中，DDS技術是其核心技術。DDS可以精確地控制合成信號的三個參量：幅度、相位以及頻率，因此利用DDS技術可以合成任意波形。但因其數字化合成的固有特點，使其輸出信號中存在大量雜散信號。雜散信號的主要來源是：相位截斷帶來的雜散信號；幅度量化帶來的雜散信號；DAC的非線性特性帶來的雜散信號。這些雜散信號嚴重影響了合成信號的頻譜純度。因此抑制這些雜散信號是提高合成信號譜質的關鍵。 本文在研究各種抑制DDS雜散技術的基礎上，提出了中和加擾技術，這可以在很大程度上減小雜散對DDS輸出信號譜質的影響。 EP1S808956C6是一款高性能的FPGA芯片，其超強的數據處理能力十分適合應用于DDS多波形信號源的開發。在QuartusⅡ平臺下運用Verilog HDL語言和原理圖設計可以很方便地應用各種抑制雜散信號的方法來提高輸出信號的譜質。 結合高速DDS技術和FPGA兩者的優點，本文設計了一種基于DDS/FPGA的多波形信號源，它能完成正弦波、余弦波、三角波、鋸齒波、方波、AM、SSB、FM、2ASK、2FSK、π/4-QDPSK等多種信號。使得所設計的信號源可以適應多種不同的工作環境，給工作帶了方便。
上傳時間： 2013-07-27
上傳用戶：sc965382896
根據汽車發動機控制芯片的工作環境，針對常見的溫度失效問題，提出了一種應用在發動機控制芯片中的帶隙基準電壓源電路。該電路采用0.18 μm CMOS工藝，采用電流型帶隙基準電壓源結構，具有適應低電源電壓、電源抑制比高的特點。同時還提出一種使用不同溫度系數的電阻進行高階補償的方法，實現了較寬溫度范圍內的低溫度系數。仿真結果表明，該帶隙基準電路在-50℃~+125℃的溫度范圍內，實現平均輸出電壓誤差僅5.2 ppm/℃，可用于要求極端嚴格的發動機溫度環境。該電路電源共模抑制比最大為99 dB，可以有效緩解由發動機在不同工況下產生的電源紋波對輸出參考電壓的影響。
上傳時間： 2014-01-09
上傳用戶：ecooo
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
上傳時間： 2014-12-03
上傳用戶：88mao
:設計了一種基于單片機控制的數控恒流源。數控恒流源以AT89S52 為控制核心,采用了高共模抑制比低溫漂的運算放大器OP07 和達林頓管TIP122 構成恒流源的主體,配以高精度12 bit D/ A 芯片MAX532 以及16 bit A/ D 芯片AD7715 完成單片機對輸出電流的實時監測。
上傳時間： 2013-12-17
上傳用戶：asasasas
多徑干擾信號是導航接收機測量過程中遇到的主要誤差源之一。針對Galileo系統以及GPS現代化過程中擬使用的BOC調制信號，研究了基于Strobe相關的BOC信號跟蹤過程中的多徑抑制方法。分析了多徑效應對碼跟蹤精度的影響，從鑒相函數入手，提出了一種新的En-Strobe相關法。運用窄相關法、Strobe相關法和En-Strobe相關法對BOC（1，1）信號和CBOC（6，1，1/11）信號進行多徑抑制性能分析。仿真結果表明En-Strobe相關法在中短延遲的情況下能夠很好的抑制多徑誤差，且性能優于窄相關法和Strobe相關法。
上傳時間： 2013-10-25
上傳用戶：腳趾頭
長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導，下載、燒寫，設置日期、時間，設置工作頻率等多種功能，並且支持各種參數的存儲和自動調用。 可以用flashpgm等軟件將BIOS燒寫到Flash中去，BIOS的自身駐留地址位于NOR FLASH的0x1f0000處，系統參數保存在0x1ff000以上區域中。所以在燒寫完BIOS，上電復位后先要執一定要執行backup命令把BIOS本身拷貝到NOR FLASH的高端1f0000去。
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：ainimao
本書包括電路中噪聲抑制技術實踐應用的方方面面。涵蓋了兩種基本的噪聲控制方法:屏蔽和接地；介紹了其他一些噪聲抑制技術:如電路平衡、去禍、濾波等;還介紹了電纜布線、無源器件、觸點保護、本征噪聲源、有源器件的噪聲等方面的內容;同時還介紹了數字電路與靜電放電的噪聲和輻射方面的問題。本書適合于從事電子設備或系統設計的工程師使用，也可作為實用噪聲抑制技術的教材。此書網上可下載的都有亂碼 本身對此全部糾正極大方便了閱讀
上傳時間： 2022-02-16
上傳用戶：
設計功率MOSFET驅動電路時需重點考慮寄生參數對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項重要參數,在驅動電路的設計時需要重點關注。重點觀察了MOSFET的開通和關斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅動設計具有一定的指導意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
標簽： mosfet
上傳時間： 2022-04-02
上傳用戶：默默
