透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
電源處理技術資料
?? 資源總數(shù)：22888
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電源處理是電子設計中不可或缺的一環(huán)，涵蓋了從AC-DC轉(zhuǎn)換、DC-DC穩(wěn)壓到電池管理等關鍵技術。在消費電子、工業(yè)控制乃至新能源汽車等領域有著廣泛的應用。掌握高效的電源處理技術不僅能提升產(chǎn)品性能與可靠性，還能顯著降低能耗。本頁面匯集了22888個精選資源，包括電路圖、設計指南及最新研究論文，旨在為工程師提供全面的學習資料和技術支持，助力您成為電源設計領域的專家。
?? 電源處理熱門資料
查看全部22888個資源 ?可替代整合型MOSFET的獨立元件
在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因為閘極驅(qū)動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。 ...
DDR記憶體電源
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。 ...
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍
透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress ...
開關電源設計實例和開關電源調(diào)試基礎
開關電源設計資料...
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