在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
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PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
上傳時間： 2013-10-22
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影響數字信號處理發展的最主要因素之一就是處理速度。DFT使計算機處理頻域信號成為可能，但當N很大時，直接計算N點DFT的計算量非常大。FFT可使DFT的運算量下降幾個數量級，從而使數字信號處理的速度大大提高。本文介紹了如何利用高性能數字信號處理器實現FFT算法，給出了程序流程圖及關鍵程序源碼。該算法采用基2 FFT算法，參數計算主要采用查表法，計算量小，實時性高。在電網諧波檢測應用中表明，該方法既能有效地檢測出電網諧波，又能滿足實時性要求。
上傳時間： 2013-10-21
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下一代蜂窩電話將擁有高質量的照相功能。為了獲得上佳的照相性能，基於閃光燈的照明是至關重要的
上傳時間： 2013-12-28
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一直以來， 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。
上傳時間： 2013-10-18
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
【摘要】電力直流系統是變電站安全運行的基礎，隨著變電站數字化、智能化程度的不斷提高，對站用電源的管理也提出了新的、更高的要求。而管理的的基礎，就是設備能準確、高速的反應當前設備的電壓、電流、開關狀態等信息。做到設備不死機，不停機，干擾不誤報等。隨著微電子技術、計算機和通訊技術的飛速發展，新器件的研制、生產周期的日益縮短。為了滿足工業自動化，新技術、新器件不斷應用到新產品中。模擬量采集包括直流電壓和電流。開關量采集包括開關的分合，繼電器的投入切除等。
上傳時間： 2013-11-02
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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
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數字電子技朮
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上傳時間： 2013-10-09
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摘要：本文對變壓器磁心氣隙量的各種計算公式進行分析討論.追蹤它們的來源，判別它們的正確性和實用性。關鍵詞：磁路定律；磁阻；有效磁路長度；有效磁導率。
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：李夢晗
