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電阻式

  • 8 KEYS 高抗干擾并防水+省電電容式觸摸按鍵VK3708BM SOP16

    一.產(chǎn)品描述   提供8個觸摸感應(yīng)按鍵,二進(jìn)制(BCD)編碼輸出,具有一個按鍵承認(rèn)輸出的顯示,按鍵後的資料會維持到下次按鍵,可先判斷按鍵承認(rèn)的狀態(tài)。提供低功耗模式,可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)!   二.產(chǎn)品特色   1.工作電壓範(fàn)圍:3.1V – 5.5V   2. 工作電流: 3mA (正常模式);15 uA (休眠模式) @5V   3. 8 個觸摸感應(yīng)按鍵   4.持續(xù)無按鍵 4 秒,進(jìn)入休眠模式   5. 提供二進(jìn)制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111)   6. 按鍵後離開,輸出狀態(tài)會維持到下次按鍵才會改變。   7. 提供按鍵承認(rèn)有效輸出,當(dāng)有按鍵時輸出低電平,無按鍵為高電平。   8. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容,調(diào)整靈敏度,電容越大靈敏度越高   9. 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別   10. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力   三.產(chǎn)品應(yīng)用   各種大小家電,娛樂產(chǎn)品   四.功能描述   1.VK3708BM 於手指按壓觸摸盤,在 60ms 內(nèi)輸出對應(yīng)按鍵的狀態(tài)。   2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn),同時間只有一個按鍵狀態(tài)會被輸出。   3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會做復(fù)位。   4.環(huán)境調(diào)適功能,可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值,確保按鍵判斷工作正常。   5.可分辨水與手指的差異,對水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤,仍可正確判斷按鍵動作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”,若如此則如同手按鍵一般,會有按鍵承認(rèn)輸出。   6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序,對電源漣波的干擾有很好的耐受能力。   7.不使用的按鍵請接地,避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動。 聯(lián)系人:許碩          QQ:191 888 5898   聯(lián)系電話:188 9858 2398(微信)

    標(biāo)簽: KEYS 3708 SOP 16 BM VK 抗干擾 防水 省電

    上傳時間: 2019-08-08

    上傳用戶:szqxw1688

  • VK3602K 2 KEYS 電容式觸摸按鍵 應(yīng)用電路簡單 高抗干擾 雙邏輯控制輸出

    概述 VK3602K 是一款兩觸摸通道帶兩個邏輯控制輸出的電容式觸摸芯片。具有如下功能特點(diǎn)和優(yōu)勢:   可通過觸摸實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實(shí)用。   可在有介質(zhì)(如玻璃、亞克力、塑料、陶瓷等)隔離保護(hù)的情況下實(shí)現(xiàn)觸摸功能,安全性高。   應(yīng)用電壓范圍寬,可在2.4~5.5V之間任意選擇。   應(yīng)用電路簡單,外圍器件少,加工方便,成本低。   抗電源干擾及手機(jī)干擾特性好。EFT可以達(dá)到±2KV以上;近距離、多角度手機(jī)干擾情況下,觸摸響應(yīng)靈敏度及可靠性不受影響。   特性   LO1與LO2在上電后的初始輸出狀態(tài)由上電前OSC的輸入狀態(tài)決定。OSC管腳接VDD(高電平)上電,上電后LO1與LO2輸出高電平;OSC管腳接GND(低電平)上電,上電后LO1與LO2輸出低電平。   TI1觸摸輸入對應(yīng)LO1邏輯輸出,TI2觸摸輸入對應(yīng)LO2邏輯輸出。   按住TI1或TI2,對應(yīng)LO1或LO2的輸出狀態(tài)翻轉(zhuǎn);松開后回復(fù)初始狀態(tài)。

    標(biāo)簽: 抗電源干擾及手機(jī)干擾特性好 可通過觸摸實(shí)現(xiàn)各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實(shí)用。

    上傳時間: 2020-02-25

    上傳用戶:shubashushi66

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • 旋轉(zhuǎn)變壓器及其R2D電路的研究.rar

    在伺服系統(tǒng)中,為了實(shí)現(xiàn)高精度的控制,往往需要實(shí)時地檢測出電動機(jī)轉(zhuǎn)子的位置。用來檢測電動機(jī)轉(zhuǎn)子位置的角度傳感器主要有光電編碼器和旋轉(zhuǎn)變壓器。光電編碼器雖然能夠達(dá)到很高的精度,但是它的抗干擾性差,不宜應(yīng)用在條件惡劣的場合中;相比較而言,旋轉(zhuǎn)變壓器(簡稱旋變)由于結(jié)構(gòu)簡單,堅(jiān)固耐用,抗干擾性強(qiáng),能夠應(yīng)用在各種條件惡劣的場合中,所以獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。 本文采用的旋變樣機(jī)是一種新型的磁阻式旋轉(zhuǎn)變壓器。分析了它的定轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)、定子繞組的連接方式以及轉(zhuǎn)子形狀的優(yōu)化;并在此基礎(chǔ)上,推導(dǎo)出了它的正余弦輸出反電勢的表達(dá)式;最后在電磁場分析軟件Ansoft中,以樣機(jī)為原型建立了仿真模型,分析了它內(nèi)部的電磁場分布以及正余弦輸出反電勢的波形。 其次,本文設(shè)計(jì)了一種以DSP為核心的R2D電路系統(tǒng)。它以振蕩電路產(chǎn)生的正弦波電壓信號作為旋變的激勵信號,加上相關(guān)的外圍電路,構(gòu)成了旋轉(zhuǎn)變壓器一數(shù)字轉(zhuǎn)換器,解算出了旋變的軸角θ;并在此基礎(chǔ)上,分析了產(chǎn)生角度解算誤差的各種因素,同時計(jì)算出了旋變的轉(zhuǎn)速n。 最后,在上述解算方案的基礎(chǔ)上,本文又給出了第二種解算方案,即:DSP產(chǎn)生的方波經(jīng)過濾波之后作為旋變的激勵信號,解算出了旋變的軸角θ;然后比較了這兩種解算方案的優(yōu)缺點(diǎn),重點(diǎn)分析了激勵信號中的諧波分量對正余弦輸出反電勢以及角度解算的影響。

    標(biāo)簽: R2D 旋轉(zhuǎn)變壓器 電路

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:pioneer_lvbo

  • 基于ARM的嵌入式小型飛行參數(shù)測試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

    飛機(jī)飛行的高度、馬赫數(shù)和升降速度等參數(shù)是飛機(jī)的自動控制、導(dǎo)航、火控、空中管制、和告警等系統(tǒng)必不可少的信息。隨著飛機(jī)性能的不斷增強(qiáng),飛機(jī)上各系統(tǒng)對飛行參數(shù)測試的要求也越來越高,舊有的測試系統(tǒng)已逐漸不能適應(yīng)現(xiàn)代高速飛機(jī)飛行參數(shù)的測試需求,本文針對項(xiàng)目委托方提出的技術(shù)要求,經(jīng)過對飛行參數(shù)測試技術(shù)及其發(fā)展趨勢的研究分析,最終確定采用嵌入式技術(shù),設(shè)計(jì)一款基于32位微處理器ARM的集數(shù)據(jù)采集、處理、顯示為一體的測試飛機(jī)飛行高度、馬赫數(shù)和升降速度的系統(tǒng)。 基于課題的研究內(nèi)容,本文在分析研究飛機(jī)飛行參數(shù)測試原理的基礎(chǔ)上,圍繞著設(shè)計(jì)目標(biāo),從整體方案的選擇、系統(tǒng)各部分元件的選取及測試系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)等方面闡述了主要開展的設(shè)計(jì)研究工作。重點(diǎn)對系統(tǒng)硬件電路設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)和氣壓傳感器的溫度補(bǔ)償方法進(jìn)行了深入論述。 應(yīng)當(dāng)指出,本文介紹的大氣數(shù)據(jù)參數(shù)測試專用機(jī),選用小型化高采樣速率的硅壓阻式氣壓傳感器、高性能的32位ARM微處理器、高精度A/D轉(zhuǎn)換器、專用接口芯片等優(yōu)化組合,集成度高,體積小,重量輕。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明了所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)方案合理有效,具有較好的實(shí)時性和可靠性,基本上滿足了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需要。

    標(biāo)簽: ARM 嵌入式 飛行參數(shù) 測試系統(tǒng)

    上傳時間: 2013-06-23

    上傳用戶:kr770906

  • 小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測電阻器

    一直以來, 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。

    標(biāo)簽: DFN 封裝 電子電路 斷路器

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:qwerasdf

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 壓阻式壓力傳感器

    應(yīng)用最廣的壓力傳感器

    標(biāo)簽: 壓阻 壓力傳感器

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:bruce

  • 硅壓阻式傳感器智能數(shù)字補(bǔ)償系統(tǒng)

    傳感器

    標(biāo)簽: 壓阻 傳感器 智能數(shù)字

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:sunchao524

  • NSA2860應(yīng)用手冊

    NSA2860是一顆高集成度的用于阻式或者電壓型傳感器例如阻式壓力傳感器,熱電偶,RTD等傳感器信號調(diào)理和變送輸出的專用芯片。由于NSA2860集成度較高,應(yīng)用場合多樣性,本文將詳細(xì)介紹其硬件外圍電路,使用戶能夠有針對性的了解各種典型應(yīng)用。

    標(biāo)簽: nsa2860

    上傳時間: 2021-11-22

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