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風鈴傳奇

  • 傳輸線與電路觀點詳解

      •1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配

    標簽: 傳輸線 電路

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:laomv123

  • 傳輸線理論與阻抗匹配

    傳輸線理論與阻抗匹配 傳輸線理論

    標簽: 傳輸線 阻抗匹配

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:wuyuying

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 新型小型化超寬帶功率分配器的設計

    利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯,并在輸入端口引入四分之一波長短路線,設計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進行理論分析,導出設計參數方程,并通過HFSS進行仿真優化。仿真和測量結果表明, 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB,從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達到20 dB。

    標簽: 超寬帶 功率分配器

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:1966649934

  • 降壓-升壓型控制器簡化手持式產品的DCDC轉換器設計

    對於輸出電壓處於輸入電壓範圍之內 (這在鋰離子電池供電型應用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉換器設計,可供采用的傳統解決方案雖有不少,但迄今為止都不能令人非常滿意

    標簽: DCDC 降壓 升壓型 控制器

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:urgdil

  • 具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

    時至今日,以太網供電 (PoE) 技術仍在當今的網絡世界中不斷地普及。由供電設備 (PSE) 提供並傳輸至受電設備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

    標簽: PoE 集成 反激式控制器 PD接口

    上傳時間: 2013-11-06

    上傳用戶:xmsmh

  • 四相升壓型轉換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業和電信行業的設計師當中,使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗),以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要

    標簽: 348W 升壓型轉換器 功率 散熱器

    上傳時間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 80C51特殊功能寄存器地址表

    /*--------- 8051內核特殊功能寄存器 -------------*/ sfr ACC = 0xE0;             //累加器 sfr B = 0xF0;  //B 寄存器 sfr PSW    = 0xD0;           //程序狀態字寄存器 sbit CY    = PSW^7;       //進位標志位 sbit AC    = PSW^6;        //輔助進位標志位 sbit F0    = PSW^5;        //用戶標志位0 sbit RS1   = PSW^4;        //工作寄存器組選擇控制位 sbit RS0   = PSW^3;        //工作寄存器組選擇控制位 sbit OV    = PSW^2;        //溢出標志位 sbit F1    = PSW^1;        //用戶標志位1 sbit P     = PSW^0;        //奇偶標志位 sfr SP    = 0x81;            //堆棧指針寄存器 sfr DPL  = 0x82;            //數據指針0低字節 sfr DPH  = 0x83;            //數據指針0高字節 /*------------ 系統管理特殊功能寄存器 -------------*/ sfr PCON  = 0x87;           //電源控制寄存器 sfr AUXR = 0x8E;              //輔助寄存器 sfr AUXR1 = 0xA2;             //輔助寄存器1 sfr WAKE_CLKO = 0x8F;        //時鐘輸出和喚醒控制寄存器 sfr CLK_DIV  = 0x97;          //時鐘分頻控制寄存器 sfr BUS_SPEED = 0xA1;        //總線速度控制寄存器 /*----------- 中斷控制特殊功能寄存器 --------------*/ sfr IE     = 0xA8;           //中斷允許寄存器 sbit EA    = IE^7;  //總中斷允許位  sbit ELVD  = IE^6;           //低電壓檢測中斷控制位 8051

    標簽: 80C51 特殊功能寄存器 地址

    上傳時間: 2013-10-30

    上傳用戶:yxgi5

  • 單片機雙工通信的校驗方式

      單片機雙工通信時用到的校驗方式   Ø奇偶校驗原理:通過計算數據中“1”的個數是奇數還是偶數來判斷數據的正確性。在被校驗的數據后加一位校驗位或校驗字符用作校驗碼實現校驗。   Ø校驗位的生成方法   Ø奇校驗:確保整個被傳輸的數據中“1”的個數是奇數個,即載荷數據中“1”的個數是奇數個時校驗位填“0”,否則填“1”;   偶校驗:確保整個被傳輸的數據中“1”的個數是偶數個,即載荷數據中“1”的個數是奇數個時校驗位填“1”,否則填“0”  

    標簽: 單片機 雙工通信 校驗方式

    上傳時間: 2013-10-16

    上傳用戶:天誠24

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