開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā)
開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā) 資料...
驅(qū)動(dòng)電源技術(shù)資料
?? 資源總數(shù)：22762
?? 源代碼：21581
驅(qū)動(dòng)電源是現(xiàn)代電子系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于LED照明、電機(jī)控制及各類自動(dòng)化設(shè)備中。它不僅能夠高效轉(zhuǎn)換電能，還具備出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保系統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。通過深入學(xué)習(xí)和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)電源技術(shù)，工程師可以大幅提升產(chǎn)品性能與競(jìng)爭(zhēng)力。本頁面匯集了22762個(gè)精選資源，涵蓋設(shè)計(jì)原理、電路圖、應(yīng)用案例等，助力您快速掌握驅(qū)動(dòng)電源的關(guān)鍵知識(shí)和技術(shù)要點(diǎn)。
?? 驅(qū)動(dòng)電源熱門資料
查看全部22762個(gè)資源 ?使用簡(jiǎn)易閂鎖電路保護(hù)電源
設(shè)計(jì)時(shí)需要過一款簡(jiǎn)單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ？圖一顯示的就是這樣一款電路，基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR)，結(jié)合了一些離散組件，只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。 ...
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET ...
DDR記憶體電源
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。 ...
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍
透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress ...
?? 驅(qū)動(dòng)電源源代碼
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