DM11C 是專為LED 顯示應用所設計的沈入電流式恒流驅動芯片。內建移位緩存器，數據鎖存器，以及恒流電路組件于硅CMOS 芯片上。8 個輸出通道的電流可由一外掛電阻調整。內建開/短路偵測電路組件幫助使用者偵測LED 異常(開路與短路)。系統可藉由讀回串行輸出端的偵測數據與原始數據進行比對以判定哪一通道發生異常。過溫斷電功能則可保護芯片避免在高溫環境使用下而毀損
標簽： LED 8位 恒流驅動芯片 錯誤
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：zw380105939
介紹了一款輸入級采用差分放大作倒相的推挽功放, 它的額定輸出功率為, 如果提高輸出級電源電壓, 還可在不變動電路條件下, 把輸出功率提高到, 可以滿足一些對功率要求比較高的發燒友需要。
標簽： EL 34 高功率 推挽功放
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：zhaiye
LTC3803-5是Linear公司的工作在–55℃ 到150℃的固定頻率恒流模式的反激電源控制器,最適合用來驅動高輸入電壓的N-MOSFET.工作電壓可低至5V,輸出電壓精度可達±1.5%,靜態電流僅為240uA,主要用在42V和12V汽車電源,通信電源,以太網供電(POE),輔助電源等.本文介紹了LTC3803-5主要特性, 方框圖和多種應用電路.
標簽： 3803 LTC 反激電源 控制技術
上傳時間： 2014-04-30
上傳用戶：chongcongying
DM634 16通道LED恒流驅動芯片可編程PWM輸出
標簽： 634 LED PWM DM
上傳時間： 2013-11-04
上傳用戶：llandlu
一．產品概述：首先感謝您選用我們的這款太陽能移動電源。該太陽能移動電源由國外名師設計，采用鋁合金外殼，外觀典雅莊重，性能穩定可靠，跟市面上的同類產品相比，具有以下特點：·由國外MODELLABS擔綱外觀結構設計，外觀典雅高貴。·真正能給蘋果設備IPOD，IPHONE充電的太陽能移動電源。·獨有的可拆卸更換電池，解決了太陽能移動電源因為電池問題導致整個產品提前報廢問題，真正體現了“以人為本”的設計思想。·采用低鐵超透光超薄鋼化玻璃封裝，透光率可達到95%以上，徹底解決了普通層壓板透光率不高及滴膠板隨著使用年限增加色澤變黃而導致光電轉換率下降的問題。·采用了當前光電轉換效率最高的優質單晶硅太陽能板，光電轉換效率高達17%，2W太陽能電池板，正常光照下可以產生超過300mA電流，4個小時左右能充滿內置電池，使產品具有超強實用性。·美國進口的IC，CPU配合我們獨有的先進控制電路，使二次轉換效率（電儲存到鋰電池的效率）達到95%，遠勝市面上的同類產品，充電更快捷。·產品采用了雙重電壓保護、過流保護和溫度保護技術，確保我們的產品不會對您的手機和數碼產品造成任何傷害·用途廣泛，可以為手機，MP3，MP4，PDA，PSP，DV家庭小型節能設備等產品提供電源。
標簽： LR-C 007 商 使用手冊
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：it男一枚
基于串聯潴振電路結構。同定導通時間、變頻控制以及零電流切換的技術 ，為激光器高壓儲能電容設計了20kV／50mA的恒流充電電源。對隨著充電電 增高，諧振頻率漂移引起的開關非零切換問題，設汁了零電流同步開天探測控制電路。充電電壓和充電電流的大小}I1微處理器控制。前者正比丁充電電流脈沖的總個數，后者則正比于開關工作頻率。
標簽： 諧振式 激光器 恒流充電 電源
上傳時間： 2013-10-10
上傳用戶：lizhen9880
超低漏失線性穩壓器的技術關鍵，是基準源模塊的設計，在對雙極型LDO穩壓器進行分析的基礎上，提出了對其關鍵模塊基準電壓源進行高精度的設計的方案。
標簽： LDO 穩壓器 電壓基準源 分
上傳時間： 2013-12-07
上傳用戶：guojin_0704
文章針對LDO穩定性的問題，提出了一種內部動態頻率補償電路，使LDO線性穩壓器的穩定性不 受負載電容的等效串聯電阻的影響，其單位增益帶寬也不隨負載電流變化而改變，大大提高了瞬態響應特性； 采用Hynix 0．5 1TI CMOS工藝模型對電路進行仿真；此外，該電路在實現動態頻率補償的基礎上又加人了 系統的過流保護功能，當負載電流大于限制電流時，LDO不能正常工作；當負載電流小于限制電流時，又自動 恢復到正常工作狀態
標簽： LDO 穩壓器 動態 頻率補償
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：黑漆漆
一種好的蓄電池充電方法是分級恒流充電! 分析了PWM控制DCDC變換的原理"給出了一種基于IGBT功率器件#單片機控制的新型蓄電池恒流充電系統的設計方法"并對該系統進行了試驗"給出了試驗結果!
標簽： PWM 恒流充電
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：mqien
摘要：采用共源共柵運算放大器作為驅動，設計了一種高電源抑制比和低溫度系數的帶隙基準電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進行了仿真.仿真結果表明：在-25耀115益溫度范圍內電路的溫漂系數為9.69伊10-6/益，電源抑制比達到-100dB，電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV，是一種有效的基準電壓實現方法.關鍵詞：帶隙基準電壓源；電源抑制比；溫度系數
標簽： 高電源抑制 帶隙基準 電壓源
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：王成林。
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