<li id="cwasg"></li> <li id="cwasg"></li> 本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ)，針對(duì)手機(jī)芯片封裝行業(yè)過于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù)，建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng)，通過對(duì)手機(jī)芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理，對(duì)手機(jī)芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進(jìn)行分析和統(tǒng)計(jì)，診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國(guó)內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢(shì)，并對(duì)手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理進(jìn)行了綜述。在對(duì)數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進(jìn)行深入分析探討的基礎(chǔ)上，提出了手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)目標(biāo)、設(shè)計(jì)思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個(gè)方面：1、對(duì)手機(jī)芯片封裝的制造過程、系統(tǒng)模式進(jìn)行了分析，著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機(jī)芯片封裝中的應(yīng)用；2、運(yùn)用數(shù)據(jù)挖掘的方法，針對(duì)影響芯片封裝質(zhì)量的多個(gè)相關(guān)因素，進(jìn)行各因素的權(quán)重判定，確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，針對(duì)影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，通過對(duì)低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析，定位封裝過程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點(diǎn)，為質(zhì)量改善提供依據(jù)：3、搜集W公司2006年5月到8月的手機(jī)芯片封裝測(cè)試數(shù)據(jù)，進(jìn)行實(shí)證研究，驗(yàn)證了所提出的研究方法的準(zhǔn)確性。
標(biāo)簽： 手機(jī)芯片封裝 質(zhì)量管理系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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N-Thread簡(jiǎn)介RT-Thread，來(lái)自中國(guó)的開源實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)延生于2006年：硬實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)核心；，低資源占用的軟件系統(tǒng)平臺(tái)；o RTThread本自依賴于社區(qū)方式發(fā)展，開源、永遠(yuǎn)開源：（GPv2許可證）社區(qū)多樣性的發(fā)展萬(wàn)式支持眾多的處理器：ARM7TDMI.ARM920T.ARM926EJ-SEIARM Cortex；MIPS外理器：PowerPC/x86/NIOSIII眾多發(fā)展方向：微處理器：帶MMU的處理器；甚至是多核處理器N-Thread目前驅(qū)動(dòng)框架?；诿?nbsp; 對(duì)象化設(shè)備模型：上層應(yīng)用A 查找相應(yīng)設(shè)備名獲得設(shè)備句柄即可采用標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備接口進(jìn)行硬件 的訪問操作；NThread目前驅(qū)動(dòng)框架口通過 套設(shè)備模型，可以做到應(yīng)用與底層設(shè)備的無(wú)關(guān)性?？诋?dāng)前支持：符設(shè)備，塊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、聲音設(shè)備等。改進(jìn)需水，實(shí)際設(shè)備 還有很多；，隨著支持平臺(tái)增多，驅(qū)動(dòng)維護(hù)變得困難；>如何得到一個(gè)剪表方便，驅(qū)動(dòng)容易編寫的框架；，更多的面向?qū)ο筇匦裕琀象操作方法形成ops列表；? 改進(jìn)目標(biāo)，設(shè)備驅(qū)動(dòng)模型應(yīng)能夠覆蓋大多數(shù)設(shè)例如串D，CAN，以太網(wǎng)，USB，SPI設(shè)備，SDIO設(shè)備，F(xiàn)as備，LCD圖形設(shè)備。針對(duì)于上層應(yīng)用，其操作接口精簡(jiǎn)而統(tǒng)一；針勸底層驅(qū)動(dòng)，易于編寫，要輯結(jié)構(gòu)清晰。能夠重用已有的設(shè)備驅(qū)動(dòng)；
標(biāo)簽： RT-Thread
上傳時(shí)間： 2022-06-22
上傳用戶：jason_vip1
我國(guó)的汽車電子與國(guó)外相比發(fā)展還相對(duì)比較落后，但其增長(zhǎng)速度很快。據(jù)初步估計(jì)，我國(guó)的汽車電子系統(tǒng)總市值2004年為40億美元左右，2006年將超過75億美元，2008年將超過120億美元?？梢哉f(shuō)中國(guó)的汽車電子系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)具有巨大的市場(chǎng)潛力待開發(fā)，但目前大部分的汽車電子系統(tǒng)還依賴進(jìn)口或由國(guó)外汽車電子系統(tǒng)公司在國(guó)內(nèi)制造。國(guó)內(nèi)汽車電子系統(tǒng)廠商無(wú)論從生產(chǎn)、制造，還是新產(chǎn)品的開發(fā)方面均比較落后。作為全球最大的汽車電子半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，飛思卡爾（原摩托羅拉半導(dǎo)體部）一直致力于汽車電子半導(dǎo)體器件的開發(fā)與推廣，其豐富的半導(dǎo)體器件可用于所有的汽車電子系統(tǒng)控制單元中。推廣飛思卡爾汽車電子半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用，促進(jìn)相關(guān)技術(shù)的科研與人才培養(yǎng)是飛思卡爾大學(xué)計(jì)劃的一個(gè)重要部分，為此，飛思卡爾半導(dǎo)體已與國(guó)內(nèi)包括北京理工大學(xué)在內(nèi)多所大學(xué)在汽車電子領(lǐng)域開展了全方位的合作。本書作為雙方合作的結(jié)晶之一，系統(tǒng)介紹了各類汽車電子系統(tǒng)的基本原理及控制方式，并扼要介紹了飛思卡爾用于汽車電子系統(tǒng)的半導(dǎo)體器件及系統(tǒng)解決方案。它可以作為汽車公司/汽車電子公司汽車電子系統(tǒng)開發(fā)的參考書，也可以用作汽車電子系統(tǒng)的教學(xué)，可以說(shuō)是一本全面介紹汽車電子系統(tǒng)（包括汽車電子系統(tǒng)開發(fā)）的好書。我相信本書的出版對(duì)于中國(guó)汽車電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展會(huì)有積極的促進(jìn)作用。
標(biāo)簽： 汽車電子
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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以太網(wǎng)供電（PoE）標(biāo)準(zhǔn)由IEEE802.3f任務(wù)組于2003年制定，并已被業(yè)界所廣泛接受。目前，各家主要的制造商均可提供具PoE端口的網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)。IP電話一直是PoE普及的推動(dòng)力，不過PoE也廣泛應(yīng)用于其他多種應(yīng)用，如無(wú)線接入點(diǎn)（WAP）、保安攝像機(jī)，RFID標(biāo)簽閱讀器等，以及用來(lái)為出口標(biāo)志、甚至電吉他等不那么主流的應(yīng)用供電。為了遵循IEEE802.3af規(guī)范，受電設(shè)備（PD）上的PoE功耗被限制為12.95W，而這反過來(lái)又限制了可從以太網(wǎng)電纜供電的應(yīng)用范圍。于是，在2006年，為了克服PoE對(duì)功率預(yù)算的限制，并將其推向新的市場(chǎng)，IEEE成立了一個(gè)新的任務(wù)組，旨在探求提高該國(guó)際電源標(biāo)準(zhǔn)的功率限值方法。IEEE802.3a任務(wù)組應(yīng)運(yùn)而生，并在不久之后發(fā)布了POE+標(biāo)準(zhǔn)。
標(biāo)簽： 大功率 poe 標(biāo)準(zhǔn) mdash
上傳時(shí)間： 2022-06-24
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藍(lán)牙技術(shù)原理，2006年出版，針對(duì)藍(lán)牙2.0及之前版本的原理說(shuō)明。不完全版本，僅包含技術(shù)原理部分藍(lán)牙技術(shù)原理，2006年出版，針對(duì)藍(lán)牙2.0及之前版本的原理說(shuō)明。不完全版本，僅包含技術(shù)原理部分目錄：藍(lán)牙技術(shù)概述無(wú)線技術(shù)通信基礎(chǔ)藍(lán)牙基帶規(guī)范鏈路管理器協(xié)議邏輯鏈路控制和適配協(xié)議服務(wù)發(fā)現(xiàn)協(xié)議適配協(xié)議主控制器接口功能規(guī)范藍(lán)牙剖面概述
標(biāo)簽： 藍(lán)牙
上傳時(shí)間： 2022-06-27
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本資源包含GBT 17626.1-17626.10共10份最新的標(biāo)準(zhǔn)，本資源通過多渠道獲得，希望大家多支持。GBT 17626.1-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論GBT 17626.2-2018 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 靜電放電抗擾度試驗(yàn)GBT 17626.3-2016 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)GBT 17626.4-2018 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GBT 17626.5-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)GBT 17626.6-2017 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度GBT 17626.7-2008 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則GBT 17626.8-2006 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GBT 17626.9-2011 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)GBT 17626.10-1998 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
標(biāo)簽： 電磁兼容
上傳時(shí)間： 2022-07-04
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本規(guī)范規(guī)定了電子產(chǎn)品制造與應(yīng)用系統(tǒng)防靜電測(cè)試方法。本規(guī)范適用于電子產(chǎn)品制造應(yīng)用系統(tǒng)防靜電的檢測(cè)，如：接地系統(tǒng)、地面地墊、墻體、工作臺(tái)、臺(tái)墊、工作。椅、工位器具、物流傳遞器具、包裝用品、人體防靜電防護(hù)用品
標(biāo)簽： 防靜電檢測(cè)
上傳時(shí)間： 2022-07-08
上傳用戶：kingwide
說(shuō)明：本檔案相關(guān)要求來(lái)源《GJB3007A-2009防靜電工作區(qū)技術(shù)要求）標(biāo)準(zhǔn)參考：1.GJB3007A-2009防靜電工作區(qū)技術(shù)要求2.SJT10694-2006電子產(chǎn)品制造與應(yīng)用系統(tǒng)防靜電檢測(cè)通用規(guī)范3.B15463靜電安全名詞術(shù)語(yǔ)4.GJBZ25-1991電子設(shè)備和設(shè)施的接地·搭接和屏蔽設(shè)計(jì)指南5.GlB 2605-1996可熱封柔韌性防簡(jiǎn)電阻隔材料規(guī)范6.GJB1649-1993電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱7.GB12014-1989防前電工作服8.GB50174-93電子計(jì)算機(jī)機(jī)房設(shè)計(jì)規(guī)范9.GB4385-1995防靜電鞋·導(dǎo)電鞋技術(shù)要求10.SJT10796-2001防靜電活動(dòng)地板通用規(guī)范11.GB50169-2006接地裝置施工及驗(yàn)收規(guī)范
上傳時(shí)間： 2022-07-11
上傳用戶：XuVshu
本書的最大特點(diǎn)是以考試大綱規(guī)定的考核點(diǎn)及能力層次為線索 ， 按最新試題結(jié)構(gòu)分章節(jié)進(jìn)行編寫。每個(gè)章節(jié)均列出可能出現(xiàn)的考核知識(shí)點(diǎn)， 按考試題型編寫對(duì)應(yīng)的強(qiáng)化案例，以便讀者能扎實(shí)、準(zhǔn)確掌握本書所整理的知識(shí)內(nèi)容。本書按最新試題結(jié)構(gòu)編寫了25 個(gè)嵌入式系統(tǒng)試題案例并給出了詳細(xì)的要點(diǎn)解析，其中不僅就試題進(jìn)行解題思路及步驟的講解和推理，而且對(duì)其考點(diǎn)及難點(diǎn)進(jìn)行了剖析。其中， 每一個(gè)案例都是融入作者在本門課程的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)并反復(fù)修改后定稿的，力求使讀者的思路能從對(duì)龐雜的嵌入式系統(tǒng)工程知識(shí)點(diǎn)中得到升華。本書第 6 章緊扣考試大綱， 仿照 2006 年下半年考試真題的考核風(fēng)格給出了兩份模擬試卷， 以增強(qiáng)考生學(xué)習(xí)的方向性和目 的性，每份試卷均給出了相應(yīng)的參考答案及要點(diǎn)解析。
標(biāo)簽： 嵌入式系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2022-07-16
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半導(dǎo)體器件物理考試考試范圍 現(xiàn)更改為Physics of Semiconductor Devices/Third Edition，S. M. Sze， KWOK K.NG， John Wiley & Sons，2006 半導(dǎo)體器件物理，施 敏，伍國(guó)玨，西安交通大學(xué)出版社，2010。
標(biāo)簽： 半導(dǎo)體器件
上傳時(shí)間： 2022-07-23
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