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BLS電調(diào)

  • 纖巧型同步升壓轉(zhuǎn)換器在700mV條件下啟動(dòng)

    由於性電池容易購買而且價(jià)格相對(duì)便宜,因此它為人們帶來了方便,並且成為了便攜式儀器以及室外消遣娛樂設(shè)備的電源選擇。

    標(biāo)簽: 700 mV 同步升壓 轉(zhuǎn)換器

    上傳時(shí)間: 2014-01-07

    上傳用戶:xiaoyaa

  • 熱插拔解決方案符合AMC和MicroTCA標(biāo)準(zhǔn)

    LTC®4223 是一款符合微通信計(jì)算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器,該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計(jì)算機(jī)制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。

    標(biāo)簽: MicroTCA AMC 熱插拔 方案

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:我累個(gè)乖乖

  • 具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

    時(shí)至今日,以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

    標(biāo)簽: PoE 集成 反激式控制器 PD接口

    上傳時(shí)間: 2013-11-06

    上傳用戶:xmsmh

  • 雙通道8A DCDC uModule穩(wěn)壓器能夠容易地通過并聯(lián)來提供16A電流

    LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器,采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi),因此只需少量的外部元件。

    標(biāo)簽: uModule DCDC 16A 雙通道

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

    上傳用戶:頂?shù)弥?/p>

  • 對(duì)于電源故障保護(hù)應(yīng)用,超級(jí)電容器能夠替代后備電池

    在越來越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中,超級(jí)電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一,在該電路中,如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障,則接入一個(gè)後備電源,用於給負(fù)載供電

    標(biāo)簽: 電源故障保護(hù) 后備電池 超級(jí)電容器

    上傳時(shí)間: 2014-01-08

    上傳用戶:lansedeyuntkn

  • 四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí),必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

    標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器

    上傳時(shí)間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • 開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā)

    開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā) 資料

    標(biāo)簽: 開關(guān)電源設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:38553903210

  • 使用簡(jiǎn)易閂鎖電路保護(hù)電源

    設(shè)計(jì)時(shí)需要過一款簡(jiǎn)單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

    標(biāo)簽: 閂鎖電路 保護(hù)電源

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:zq70996813

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中,工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

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