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D-flash

  • PSGJR-D硅橡膠電加熱板

    PSGJR-D硅橡膠電加熱板介紹

    標簽： PSGJR-D 硅 橡膠 電加熱板

    上傳時間： 2013-10-08

    上傳用戶：遠遠ssad

  • 三菱PLC的學習FLASH

    三菱PLC的學習FLASH

    標簽： FLASH PLC 三菱

    上傳時間： 2013-12-29

    上傳用戶：leyesome

  • PSGKC-D高壓開關測試儀

    PSGKC-D型開關機械特性測試儀，是我公司針對各種高壓開關研制的一種通用型電腦智能化測試儀器。該儀器應用光電脈沖技術，單片計算機技術及可靠的抗電磁輻射技術，配以精確可靠的速度/距離傳感器，可用于各種電壓等級的真空、六氟化硫、少油、多油等高壓開關的機械性參數的調試與測量。 公司：揚州品勝電氣科技有限公司 地址：江蘇寶應開發區安宜東路284號 電話：0514-88992611 傳真：0514-88268181 88992611 手機：13382732611 13705255281 網址：http://www.yzpsdq.com 郵箱：88992611@yzpsdq.com ＱＱ: 987006099 1014936215 聯系人：張春華

    標簽： PSGKC-D 高壓開關 測試儀

    上傳時間： 2013-10-15

    上傳用戶：腳趾頭

  • D泵性能測試系統研制

    進行了D泵測試系統的機械結構設計和計算機測試系統設計，構建了測試系統軟、硬件體系結構，闡述了D泵性能參數(如流量、揚程、效率、軸功率等)的測試原理和測量方法，并使用數據采集卡對相關的參數、數據進行了采集與處理，得到了相關性能參數的測試值，繪制出了D泵的性能曲線，并進行了誤差分析。

    標簽： 性能測試

    上傳時間： 2013-11-01

    上傳用戶：徐孺

  • 繞線片式功率電感GDRH-D系列

    名稱：繞線功率電感器 編號：Pro201257114027 型號：GDRH-D系列 類別：屏蔽式繞線電感器 品牌： 繞線片式功率電感GDRH-D系列 一 特征 采用磁屏蔽結構 低直流阻抗、高飽和電流 厚度薄、體積小，適合表面貼裝 二 用途 錄像機、液晶顯示器、筆記本電腦、通訊、 設備、辦公自動化等電子設備的電源扼流

    標簽： GDRH-D 繞線 片式 功率電感

    上傳時間： 2013-12-12

    上傳用戶：2525775

  • FLASH短接圖(解決U盤

    FLASH短接圖

    標簽： FLASH U盤

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：shus521

  • NAND FLASH在儲存測試系統中的應用

    NAND FLASH在儲存測試系統中的應用

    標簽： FLASH NAND 儲存 中的應用

    上傳時間： 2013-11-19

    上傳用戶：star_in_rain

  • TinyM0配套教程 串行NOR Flash存儲方案

    串行NOR Flash是用串口進行連續數據存取的小尺寸、低功耗Flash存儲器；相對于并行Flash，它用更少的引腳傳送數據，這降低了系統空間、功耗、成本。它內部的地址空間是線性的，隨機訪問速度快；它的傳輸效率高，在1~ 4MB的小容量時具有很高的性價比。更重要的是，串行NOR Flash的讀寫操作十分簡單。這些優勢使得串行NOR Flash被廣泛地用于微型、低功耗的數據存儲系統。串行NOR Flash 可通過SPI進行操作。用戶根據NOR Flash芯片自定義的協議，通過SPI發送命令到芯片，并接收NOR Flash芯片返回的狀態信息和數據信息。此外，用戶在使用串行NOR Flash時需要注意其支持哪些類型的SPI操作方式。

    標簽： TinyM0 Flash NOR 教程

    上傳時間： 2013-11-08

    上傳用戶：wangjin2945

  • LPC1300用戶手冊 Flash存儲器編程固件

    引導裝載程序（boot loader）控制復位后的初始化操作，并提供對Flash存儲器進行編程的方法。這可以對空片進行初始編程、對事先已編程的芯片進行擦除和再編程或者是在系統運行時通過系統中的應用程序對Flash存儲器進行編程。19.3特性在系統編程：在系統編程（ISP）是通過使用引導裝載程序軟件和UART0串口對片內Falsh存儲器進行編程/再編程的方法。這種方法也可以在芯片位于終端用戶板時使用；在應用編程：在應用編程（IAP）是通過終端用戶的應用代碼對片內Flash存儲器進行擦除/寫操作的方法；只有LPC134x系列Cortex-M3微控制器支持從USB端口引導，通過將其枚舉為大容量存儲器等級（MSC）設備來連接到USB主機接口（僅適用于Windows操作系統）；Flash訪問時間可通過Flash控制器模塊中的寄存器來配置；每個扇區的擦除時間為100ms±5%；而每個256字節的模塊，其編程時間為1ms±5%。

    標簽： Flash 1300 LPC 用戶手冊

    上傳時間： 2013-11-04

    上傳用戶：weixiao99

  • NAND和NOR flash詳解

    NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。

    標簽： flash NAND NOR

    上傳時間： 2013-10-09

    上傳用戶：haojiajt

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