LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間： 2013-12-20
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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隨著我國(guó)通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來(lái)越大，系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來(lái)越重要。在中國(guó)通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國(guó)家，各大通信運(yùn)營(yíng)商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。
標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景
上傳時(shí)間： 2014-03-24
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TLC2543是TI公司的12位串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器，使用開關(guān)電容逐次逼近技術(shù)完成A/D轉(zhuǎn)換過(guò)程。由于是串行輸入結(jié)構(gòu)，能夠節(jié)省51系列單片機(jī)I/O資源；且價(jià)格適中，分辨率較高，因此在儀器儀表中有較為廣泛的應(yīng)用。 TLC2543的特點(diǎn) （1）12位分辯率A/D轉(zhuǎn)換器； （2）在工作溫度范圍內(nèi)10μs轉(zhuǎn)換時(shí)間； （3）11個(gè)模擬輸入通道； （4）3路內(nèi)置自測(cè)試方式； （5）采樣率為66kbps； （6）線性誤差±1LSBmax； （7）有轉(zhuǎn)換結(jié)束輸出EOC； （8）具有單、雙極性輸出； （9）可編程的MSB或LSB前導(dǎo)； （10）可編程輸出數(shù)據(jù)長(zhǎng)度。 TLC2543的引腳排列及說(shuō)明 TLC2543有兩種封裝形式：DB、DW或N封裝以及FN封裝，這兩種封裝的引腳排列如圖1，引腳說(shuō)明見表1 TLC2543電路圖和程序欣賞 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double sum_final1; double sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; void delay(unsigned char b) //50us { unsigned char a; for(;b>0;b--) for(a=22;a>0;a--); } void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) { P0=duan[a]|0x80; P2=wei[0]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[b]; P2=wei[1]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[c]; P2=wei[2]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[d]; P2=wei[3]; delay(5); P2=0xff; } uint read(uchar port) { uchar i,al=0,ah=0; unsigned long ad; clock=0; _cs=0; port<<=4; for(i=0;i<4;i++) { d_in=port&0x80; clock=1; clock=0; port<<=1; } d_in=0; for(i=0;i<8;i++) { clock=1; clock=0; } _cs=1; delay(5); _cs=0; for(i=0;i<4;i++) { clock=1; ah<<=1; if(d_out)ah|=0x01; clock=0; } for(i=0;i<8;i++) { clock=1; al<<=1; if(d_out) al|=0x01; clock=0; } _cs=1; ad=(uint)ah; ad<<=8; ad|=al; return(ad); } void main() { uchar j; sum=0;sum1=0; sum_final=0; sum_final1=0; while(1) { for(j=0;j<128;j++) { sum1+=read(1); display(a1,b1,c1,d1); } sum=sum1/128; sum1=0; sum_final1=(sum/4095)*5; sum_final=sum_final1*1000; a1=(int)sum_final/1000; b1=(int)sum_final%1000/100; c1=(int)sum_final%1000%100/10; d1=(int)sum_final%10; display(a1,b1,c1,d1); } }
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：shen1230
適用于51單片機(jī)的串口發(fā)n
標(biāo)簽： 51單片機(jī) 串口 字節(jié)
上傳時(shí)間： 2014-12-25
上傳用戶：qingzhuhu
89c51一種用N+1條線實(shí)現(xiàn)矩陣鍵盤
標(biāo)簽： 矩陣鍵盤
上傳時(shí)間： 2014-12-26
上傳用戶：lhw888
HIGH SPEED 8051 μC CORE - Pipe-lined Instruction Architecture; Executes 70% of Instructions in 1 or 2 System Clocks - Up to 25MIPS Throughput with 25MHz System Clock - 22 Vectored Interrupt Sources MEMORY - 4352 Bytes Internal Data RAM (256 + 4k) - 64k Bytes In-System Programmable FLASH Program Memory - External Parallel Data Memory Interface – up to 5Mbytes/sec DIGITAL PERIPHERALS - 64 Port I/O; All are 5V tolerant - Hardware SMBusTM (I2CTM Compatible), SPITM, and Two UART Serial Ports Available Concurrently - Programmable 16-bit Counter/Timer Array with 5 Capture/Compare Modules - 5 General Purpose 16-bit Counter/Timers - Dedicated Watch-Dog Timer; Bi-directional Reset CLOCK SOURCES - Internal Programmable Oscillator: 2-to-16MHz - External Oscillator: Crystal, RC, C, or Clock - Real-Time Clock Mode using Timer 3 or PCA SUPPLY VOLTAGE ........................ 2.7V to 3.6V - Typical Operating Current: 10mA @ 25MHz - Multiple Power Saving Sleep and Shutdown Modes 100-Pin TQFP (64-Pin Version Available) Temperature Range: –40°C to +85°C
標(biāo)簽： C8051F020
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：lalalal
DP-51PROD單片機(jī)教學(xué)實(shí)驗(yàn)儀是廣州致遠(yuǎn)電子有限公司09年生產(chǎn)的一款單片機(jī)教學(xué)產(chǎn)品。是一套設(shè)計(jì)獨(dú)特、功能強(qiáng)大的單片機(jī)、CPLD、FPGA學(xué)習(xí)開發(fā)工具。DP-51PROD單片機(jī)教學(xué)實(shí)驗(yàn)儀向用戶提供了豐富的外圍器件和接口，整個(gè)產(chǎn)品由多個(gè)功能模塊構(gòu)成，各個(gè)功能模塊之間相互獨(dú)立，分布在11塊電路板上。不僅包含LED、數(shù)碼管、按鍵、蜂鳴器、直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、AD、DA、LCD、實(shí)時(shí)時(shí)鐘等基本模塊幫助初學(xué)者入門，又包含溫度采集、濕度采集、紅外收發(fā)、CAN總線、收音機(jī)、語(yǔ)音模塊、非接觸式IC卡等復(fù)雜模塊，為用戶產(chǎn)品開發(fā)提供了平臺(tái)。是學(xué)校教學(xué)、個(gè)人學(xué)習(xí)、公司產(chǎn)品開發(fā)的好幫手。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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常用主板I/O芯片簡(jiǎn)介
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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