透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
學習處理電源EMI的幾點體會【趙修科】...
電子、電氣產品的設計,必須保證在一定的電磁環(huán)境中能正常工作,既滿足標準規(guī)定的抗干擾極限值要求,在受到一定的電磁干擾時,無性能降級或故障;又要滿足標準規(guī)定的電磁輻射極限值的要求,對電磁環(huán)境不構成污染。所以,產品設計之初,就要從分析產品預期的電磁環(huán)境、干擾源、耦合途徑和敏感部件入手,采用相應的技術措施,...
交直流轉換器 AT-VA2-D-A3-DD-ADL 1.產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離;如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號,機...
EMC電磁兼容...