DB9 DB15 DB25 DB37 DB50 Altium AD元件庫 PCB封裝庫,90個(gè)器件封裝，可以直接用于你的項(xiàng)目設(shè)計(jì)。PCB Library : DB9~50封裝 .PcbLibComponent Count : 90DB9DB9 公 90°DB9/MDB9/MADB9/MSDB9/P_ADB9/S_ADB9SLWDB15FLWDB15FSDB15FSWDB15HDPFVDB25/MDB25BSMDB25FLDB25FLEDB25FLWDB25FSDB25FSWDB25RA/FDB25RA/MDB25SLDB25SLEDB37FLDB37FLEDB37FLWDB37FSDB37FSWDB37RA/FDB37RA/MDB37SLDB37SLEDB37SLWDB37SSDB37SSMDB37SSWDB50FLDB50FLEDB50FLW
標(biāo)簽： AD元件庫
上傳時(shí)間： 2022-04-17
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表貼插裝電阻功率電阻Altium封裝 AD封裝庫 2D+3D PCB封裝庫-19MB,Altium Designer設(shè)計(jì)的PCB封裝庫文件，集成2D和3D封裝，可直接應(yīng)用的到你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中。PCB庫封裝列表：PCB Library : 1.01-電阻.PcbLibComponent Count : 73Component Name-----------------------------------------------AXIAL0.3-1/8WAXIAL0.3-1/8W-VAXIAL0.4-1/4WAXIAL0.4-1/4W-VAXIAL0.5-1/2WAXIAL0.5-1/2W-VAXIAL0.6-1WAXIAL0.6-1W -VAXIAL0.8-2W-VAXIAL0.8-3WAXIAL1.0-3WAXIAL1.0-3W-VAXIAL1.2-5WAXIAL1.2-5W-FR 0201_LR 0201_MR 0201-HP_LR 0201-HP_MR 0402_LR 0402_MR 0402-HP_LR 0402-HP_MR 0603_LR 0603_MR 0603-HP_LR 0603-HP_MR 0805_LR 0805_MR 0805-HP_LR 0805-HP_MR 1206_LR 1206_MR 1206-HP_LR 1206-HP_MR 1210_LR 1210_MR 1210-HP_LR 1210-HP_MR 1812_LR 1812_MR 1812-HP_LR 1812-HP_MR 2010_LR 2010_MR 2010-HP_LR 2010-HP_MR 2512_LR 2512_MR 2512-HP_LR 2512-HP_MR SIP9-2.54RCA-8P4R-0402RCA-8P4R-0603RI 1.25W - 0.9mmRS 1/2WRS 1/2W-V4RS 1/4WRS 1/4W-V3RS 1/8WRS 1/8W-V2RS 1WRS 1W-F5RS 1W-V5RS 2WRS 2W-F5RS 2W-V6RS 3WRS 3W-F5RS 3W-V7RS 5WRS 5W-F5RS 5W-V8RX10-18*15*5
標(biāo)簽： altium designer
上傳時(shí)間： 2022-05-04
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《射頻通信電路設(shè)計(jì)》學(xué)習(xí)筆記（一）1.1射頻概念1864-1873年，英國(guó)物理學(xué)家麥克斯書通過電磁學(xué)的研究，提出了著名的Maxwell方程組，并在理論上預(yù)言了電磁波的存在。1887-1891年，德國(guó)物理學(xué)家赫茲通過電磁學(xué)實(shí)驗(yàn)首次證實(shí)了電磁波的存在901年，馬可尼利用電磁波實(shí)現(xiàn)了橫跨大西洋的無線通f1.2射頻通信電路應(yīng)用簡(jiǎn)介在電子通信系統(tǒng)中，只有使用更高的載波頻率，才能獲得更大的帶寬。按照10%的帶寬計(jì)算，有線電視系統(tǒng)中使用100MHz的載波可以獲得10MHz的帶寬1.3射頻電路設(shè)計(jì)的特點(diǎn)1.3.1分布參數(shù)集總參數(shù)元件：指一個(gè)獨(dú)立的局域性元件，能夠在一定的頻率范圍內(nèi)提供特定的電路性能。在低頻電路設(shè)計(jì)中，可以把元件看作集總參數(shù)元件，認(rèn)為元件的特性僅由二傳手自身決定，元件的電磁場(chǎng)部集中在元件內(nèi)部。如電容、電阻、電感等；一個(gè)電容的容抗是由電容自身的特性決定不會(huì)受周圍元件的影響，如果把其他元件靠近這個(gè)電容器，其容抗不會(huì)隨之產(chǎn)業(yè)化。分布參數(shù)元件：指一個(gè)元件的特性延伸擴(kuò)展到一定的空間范圍內(nèi)，不再局限于元件自身。由于分布參數(shù)元件的電磁場(chǎng)分布在附近空間中，其特性要受周圍環(huán)境的影響。同一個(gè)元件，在低頻電路設(shè)計(jì)中可以看作是集總參數(shù)元件，但是在射頻電路設(shè)計(jì)中可能需要作為分布參數(shù)元件進(jìn)行處理。例如，一定長(zhǎng)度的一段傳輸線，在低頻電路中可以看作集總參數(shù)元件；在射頻電路中，就必須看作分布參數(shù)元件。分布電容（Cp）：指在元件自身封裝、元件之間、元件到接地平面和線路板布線間形成非期t電容。分布電容與元件瞇并聯(lián)關(guān)系。分布電感（LD）：指元件引腳、連線、線路板布線等形成的非期望電感。分布電感通常與元件為串聯(lián)關(guān)系。
標(biāo)簽： 射頻通信 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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一、IGBT 驅(qū)動(dòng)1 驅(qū)動(dòng)電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。典型的驅(qū)動(dòng)電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路示意圖Q1，Q2 為驅(qū)動(dòng)功率推挽放大，通過光耦隔離后的信號(hào)需通過Q1，Q2 推挽放大。選擇Q1，Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需考慮幾個(gè)因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大，因此IGBT 關(guān)斷時(shí)，最好加一個(gè)負(fù)偏電壓，且負(fù)偏電壓比MOSFET 大， IGBT 負(fù)偏電壓最好在-5V~-10V 之內(nèi)；開通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓最佳值為15V 10％ ,15V 的驅(qū)動(dòng)電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時(shí)通態(tài)壓降也比較低，同時(shí)又能有效地限制短路電流值和因此產(chǎn)生的應(yīng)力。若驅(qū)動(dòng)電壓低于12V ，則IGBT 通態(tài)損耗較大， IGBT 處于欠壓驅(qū)動(dòng)狀態(tài)；若 VGE >20V ，則難以實(shí)現(xiàn)電流的過流、短路保護(hù)，影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算由于IGBT 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，需要的驅(qū)動(dòng)功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅(qū)動(dòng)功率問題。但對(duì)于大功率IGBT ，或要求并聯(lián)運(yùn)行的IGBT 則需要考慮驅(qū)動(dòng)功率。IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)功率受到驅(qū)動(dòng)電壓即開通VGE( ON )和關(guān)斷 VGE( off ) 電壓，柵極總電荷 QG 和開關(guān) f 的影響。柵極驅(qū)動(dòng)電源的平均功率 PAV 計(jì)算公式為：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f對(duì)一般情況 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，則 PAV 簡(jiǎn)化為： PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開關(guān)頻率。柵極峰值電流 I GP 為：
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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用FFT分別計(jì)算Xa(n) (p=8, q=2)與Xb(n) (a =0.1,f =0.0625)的16點(diǎn)循環(huán)卷積和線性卷積。
上傳時(shí)間： 2013-12-09
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替代加密: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W 密文 Y Z D M R N H X J L I O Q U W A C B E G F K P 明文 X Y Z T S V I HAVE A DREAM！# 密文？？ 用ARM編程實(shí)現(xiàn)替代加密。
標(biāo)簽： 加密
上傳時(shí)間： 2016-07-17
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求解拋物型方程的交替隱方向P-R差分格式的matlab程序?qū)崿F(xiàn)。不過大家在用的時(shí)候要用到原函數(shù)f.m和精確解函數(shù)uexact.m，應(yīng)用程序的時(shí)候只要修改精確解和右端項(xiàng)就可以了。
標(biāo)簽： f.m matlab uexact P-R
上傳時(shí)間： 2013-11-25
上傳用戶：hewenzhi
基于HT47C20L的R-F型低電壓八位Mask單片機(jī) HT47C20L 是8 位高性能精簡(jiǎn)指令集單片機(jī)。單指令周期和兩級(jí)流水線結(jié)構(gòu)，使其適合高速應(yīng)用的場(chǎng)合。特別適用于帶LCD 的低功耗產(chǎn)品，例如：電子計(jì)算機(jī)、時(shí)鐘計(jì)數(shù)器、游戲產(chǎn)品、電子秤、玩具、溫度計(jì)、濕度計(jì)、體溫計(jì)、電容測(cè)量?jī)x，以及其它掌上型LCD 產(chǎn)品，尤其是電池供電的系統(tǒng)。
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：assef
基于HT45R37V的低功耗C/R-F型八位OTP單片機(jī) HT45R37V 是一款低功耗C/R-F 型具有8 位高性能精簡(jiǎn)指令集的單片機(jī)，專門為需要VFD 功能的產(chǎn)品而設(shè)計(jì)。作為一款C/R-F 型的單片機(jī)，它可以連接9 個(gè)外部電容型或電阻型傳感器，并把它們的電容值或電阻值轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的頻率進(jìn)行處理。此外，單片機(jī)帶有內(nèi)部A/D 轉(zhuǎn)換器，能夠直接與模擬信號(hào)相連接，且它還集成了一個(gè)雙通道的脈沖寬度調(diào)節(jié)器，用于控制外部的馬達(dá)和LED 燈等。這款單片機(jī)是專門為VFD 產(chǎn)品應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，它能直接驅(qū)動(dòng)VFD 面板。
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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基于HT45R37的低功耗C/R-F型八位OTP單片機(jī) HT45R37 是一款低功耗C/R-F 型具有8 位高性能精簡(jiǎn)指令集的單片機(jī)。作為一款C/R-F 型的單片機(jī)，它可以連接16 個(gè)外部電容/電阻式傳感器，并把它們的電容值或電阻值轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的頻率進(jìn)行處理。此外，單片機(jī)帶有內(nèi)部A/D 轉(zhuǎn)換器，能夠直接與模擬信號(hào)相連接，且它還集成了雙通道的脈沖寬度調(diào)節(jié)器，用于控制外部的馬達(dá)和LED 燈等。
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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