該文檔為基于GAN器件射頻功率放大電路的設(shè)計總結(jié)文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時間： 2021-12-23
上傳用戶：XuVshu
本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設(shè)計，在s波段頻率范圍內(nèi)，應(yīng)用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進行的寬帶功率放大電路設(shè)計.主要工作有以下幾個方面：首先，設(shè)計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi)，對中間級和末級功放晶體管進行穩(wěn)定性分析并設(shè)置其靜態(tài)工作點，繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設(shè)計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結(jié)構(gòu)，使用ADS軟件對其進行仿真優(yōu)化，設(shè)計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內(nèi)的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設(shè)計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設(shè)計出滿足要求的電源電路。最后，分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過對硬件電路的調(diào)試，最終使得整體電路滿足了設(shè)計性能的要求。
上傳時間： 2022-06-20
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作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點 ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標簽： 第三代半導體 GaN 功率開關(guān)器件
上傳時間： 2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術(shù)，對樣品形狀沒有要求， 且不需要測量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。
上傳時間： 2022-01-03
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計兩個方面對氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍，然后根據(jù)實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜，并解釋其光譜藍移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計結(jié)構(gòu)，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ)，并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計結(jié)構(gòu)，給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現(xiàn)較好散熱效果和功率。
標簽： led
上傳時間： 2022-06-25
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壓電器件
標簽： 壓電器件
上傳時間： 2013-06-23
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現(xiàn)代光電器件技術(shù)及應(yīng)用
標簽： 光電器件
上傳時間： 2013-08-01
上傳用戶：eeworm
激光器件原理與設(shè)計
標簽： 激光器件
上傳時間： 2013-06-27
上傳用戶：eeworm
ALTERA可編程邏輯器件及其應(yīng)用
上傳時間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
常用器件選型表
上傳時間： 2013-06-01
上傳用戶：eeworm
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