suanfa de shiyan xw dui GAN xingqu de pengyou you bangzhu
標(biāo)簽： bangzhu pengyou suanfa shiyan
上傳時(shí)間： 2013-12-08
上傳用戶：咔樂(lè)塢
GAN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GAN devices have also been developed for RF wireless applications where they can replace Silicon transistors in some selected systems. That incursion in the RF field has open the door to the power switching capability in the lower frequency range and thus to the power electronic applications. Compared to Silicon, GAN exhibits largely better figures for most of the key specifications: Electric field, energy gap, electron mobility and melting point. Intrinsically, GAN could offer better performance than Silicon in terms of: breakdown voltage, switching frequency and Overall systems efficiency.
標(biāo)簽： GAN-on-Si Displace and SiC Si
上傳時(shí)間： 2020-06-07
上傳用戶：shancjb
作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場(chǎng)前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開(kāi) 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點(diǎn) ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GAN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標(biāo)簽： 第三代半導(dǎo)體 GAN 功率開(kāi)關(guān)器件
上傳時(shí)間： 2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
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標(biāo)簽： GAN 功率半導(dǎo)體
上傳時(shí)間： 2021-12-17
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該文檔為基于GAN器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2021-12-23
上傳用戶：XuVshu
半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GAN、SiC）材料及器件測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GAN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料被稱為第三代半導(dǎo)體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測(cè)量技術(shù)，對(duì)樣品形狀沒(méi)有要求， 且不需要測(cè)量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個(gè)條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。? 所有四個(gè)觸點(diǎn)必須位于樣品的邊緣。
上傳時(shí)間： 2022-01-03
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標(biāo)簽： GAN 功率半導(dǎo)體
上傳時(shí)間： 2022-02-28
上傳用戶：qingfengchizhu
本文主要是基于氮化鋅（GAN）器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)，在s波段頻率范圍內(nèi)，應(yīng)用CREE公司的氮化稼（GAN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進(jìn)行的寬帶功率放大電路設(shè)計(jì).主要工作有以下幾個(gè)方面：首先，設(shè)計(jì)功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi)，對(duì)中間級(jí)和末級(jí)功放晶體管進(jìn)行穩(wěn)定性分析并設(shè)置其靜態(tài)工作點(diǎn)，繼而進(jìn)行寬帶阻抗匹配電路的設(shè)計(jì)。本文采用雙分支平衡漸變線拓?fù)潆娐方Y(jié)構(gòu)，使用ADS軟件對(duì)其進(jìn)行仿真優(yōu)化，設(shè)計(jì)出滿足指標(biāo)要求的匹配電路。具體指標(biāo)如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內(nèi)的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點(diǎn)分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設(shè)計(jì)功放偏置電源電路。電路要求是負(fù)電壓控制正電壓并帶有過(guò)流保護(hù)功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設(shè)計(jì)出滿足要求的電源電路。最后，分別運(yùn)用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過(guò)對(duì)硬件電路的調(diào)試，最終使得整體電路滿足了設(shè)計(jì)性能的要求。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開(kāi)了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍，然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片，包括GAN多量子阱，重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對(duì)材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜，并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GAN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ)，并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來(lái)大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。
標(biāo)簽： led
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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松下2015年最新研究的適用于SiC，GAN等大功率器件的封裝材料介紹
上傳時(shí)間： 2016-04-20
上傳用戶：吉林輝仔
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