采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
本程序是為51系列單片機開發的16*2型液晶模塊驅動程序。該驅動程序包含兩個文件，將C文件關聯入工程，在調用文件前包含H文件即可。程序提供了簡便實用的接口程序，具體使用方法參見文件注釋。（本驅動程序在Keil C51開發環境中測試成功，并經過多次實踐應用）。
上傳時間： 2014-01-26
上傳用戶：wlcaption
函數 long StrToData(CString strData,int jz) 功能：字符串轉為正整數值 [字符串可為2-16]任意進制數值字符串 返回：長整型數值 參數：strData 為將要轉換的字符串 參數：jz 為字符串的進制 如： CString s s="FFA6" long data=StrToData(s,16) 則：data的值為：65446 用法：將StrToData.h和StrToData.cpp復制加入到您的工程里，在需要調用的函數中 加入#include "StrToData.h"即可調用
標簽： strData StrToData CString long
上傳時間： 2015-07-05
上傳用戶：佳期如夢
本書由知名的C++專家Matthew H．Austern執筆，引導你進入泛型編程思維模型，并將你帶往此一模型的最重要成品：C++ Standard Template Library(STL)。本書揭示STL的奧秘，告訴你STL不僅僅是一組方便運用的容器類(container classes)。對于泛型組件和可交互作用的組件而言，STL是一個具備擴充能力的框架(framework)、 《泛型編程與STL》闡述了泛型編程的中心思想：concepts、modeling、refinement，并為你展示這些思想如何導出STL的基礎概念：iterators、containers、function objects。循此路線，你可以把STL想像為一個由concepts(而非明確之functions或classes)組成的程序庫：、你將學習其正式結構并因此獲得其潛在威力所帶來的完整優勢。本書使你能夠： ●以你自己的“可移植組件”及“可交互作用之泛型組件”擴充STL； ●產生一些算法，讓它們和它們所處理之型別(types)及數據結構徹底劃清界線； ●撰寫更精致、更高效、更有效力的代碼，可跨平臺重復使用。
上傳時間： 2014-01-06
上傳用戶：Avoid98
完成一個FIR數字濾波器的設計。要求： 1、 基于直接型和分布式兩種算法。 2、 輸入數據寬度為8位，輸出數據寬度為16位。 3、 濾波器的階數為16階，抽頭系數分別為h[0]=h[15]=0000，h[1]=h[14]=0065，h[2]=h[13]=018F，h[3]=h[12]=035A，h[4]=h[11]=0579，h[5]=h[10]=078E，h[6]=h[9]=0935，h[7]=h[8]=0A1F。
上傳時間： 2013-11-28
上傳用戶：duoshen1989
利用AFEPack包求解變二次系數的橢圓型方程.在求解這個問題的過程中，先要把程序的結構進行整理，將變二次項系數的因素加進去 ，并使得其更加有利于復雜一些的問題的求解 。為此，我們使用一個類來管理這個求解的問 題，先寫一個對這個類進行聲明的頭文件 EllipticEquation.h
上傳時間： 2014-01-03
上傳用戶：大融融rr
此程序為本人編寫的神經網絡法設計1型FIR濾波器的程序，讀者讀此程序后，可以很深刻地理解如何用BP網絡和LMS算法來設計濾波器。 只需更改程序中的H值，即可生成各種低通，高通，帶通，帶阻濾波器。程序運行結果可得到濾波器系數，幅頻曲線和衰減曲線。 可通過更改迭代步長和誤差極限來調整濾波器特性。
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：金宜
數據結構（嚴慰敏）配套純c代碼實驗十 typedef int InfoType // 定義其它數據項的類型 typedef int KeyType // 定義RedType類型的關鍵字為整型 struct RedType // 記錄類型(同c10-1.h) { KeyType key // 關鍵字項 InfoType otherinfo // 其它數據項 } typedef char KeysType // 定義關鍵字類型為字符型 #include"c1.h" #include"c10-3.h" void InitList(SLList &L,RedType D[],int n) { // 初始化靜態鏈表L（把數組D中的數據存于L中） char c[MAX_NUM_OF_KEY],c1[MAX_NUM_OF_KEY] int i,j,max=D[0].key //
標簽： typedef int InfoType KeyType
上傳時間： 2016-03-03
上傳用戶：2404
值得參考Ucosii.h文件中對OS_TCB結構提的成員變量OSTCBDly的類型進行修改，改成INT16S型。 Os_core.c中，在OSInit函數中加入MinDelayTime初始化為0的語句，同時修改OSTimeTick函數
上傳時間： 2016-05-04
上傳用戶：litianchu
摘要：以N溝道増強型場效應管為核心，基于H橋PWM控制原理，設計了一種直流電機正反轉調速驅動控制電路，滿足大功率直流電機驅動控制。實驗表明該驅動控制電路具有結構簡單、驅動能力強、功耗低的特點。關鍵詞：N溝道增強型場效應管；H橋；PWM控制；電荷泵；功率放大；直流電機1引言長期以來，直流電機以其良好的線性特性、優異的控制性能等特點成為大多數變速運動控制和閉環位置伺服控制系統的最佳選擇。特別隨著計算機在控制領域，高開關頻率、全控型第二代電力半導體器件（GTR、GTO、MOSFET.、IGBT等）的發展，以及脈寬調制（PWM直流調速技術的應用，直流電機得到廣泛應用。為適應小型直流電機的使用需求，各半導體廠商推出了直流電機控制專用集成電路，構成基于微處理器控制的直流電機伺服系統。但是，專用集成電路構成的直流電機驅動器的輸出功率有限，不適合大功率直流電機驅動需求。因此采用N溝道増強型場效應管構建H橋，實現大功率直流電機驅動控制。該驅動電路能夠滿足各種類型直流電機需求，并具有快速、精確、高效、低功耗等特點，可直接與微處理器接口，可應用PWM技術實現直流電機調速控制。2直流電機驅動控制電路總體結構直流電機驅動控制電路分為光電隔離電路、電機驅動邏輯電路、驅動信號放大電路、電荷泵路、H橋功率驅動電路等四部分，其電路框圖如圖1所示。由圖可以看出，電機驅動控制電路的外圍接口簡單。其主要控制信號有電機運轉方向信號Dir電機調速信號PWM及電機制動信號 Brake，vcc為驅動邏輯電路部分提供電源，Vm為電機電源電壓，M+、M-為直流電機接口。
上傳時間： 2022-04-10
上傳用戶：jiabin
