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MOS

MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)。
  • MOS集成運算放大器的版圖設計.rar

    MOS集成運算放大器的版圖設計 集成電路設計綜合實驗指導書

    標簽: MOS 集成運算放大器 版圖設計

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:yolo_cc

  • MOS運算放大器-原理、設計與應用

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    標簽: MOS 運算放大器

    上傳時間: 2013-07-03

    上傳用戶:lili1990

  • 詳細講解MOS管工作原理

    詳細講解 MOS管工作原理 新手上路 一看就懂

    標簽: MOS 工作原理

    上傳時間: 2013-07-23

    上傳用戶:sjyy1001

  • 實用晶閘管電路大全(SCR,MOS,GTR,IGBT應用)

    ·實用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應用 466頁

    標簽: IGBT SCR MOS GTR

    上傳時間: 2013-07-27

    上傳用戶:hechao3225

  • MOS開關管參數手冊

    ID 型號廠家用途構造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A

    標簽: MOS 開關管 參數

    上傳時間: 2013-10-10

    上傳用戶:13162218709

  • MOS管門級驅動電阻計算

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    標簽: MOS 門級 計算 驅動電阻

    上傳時間: 2013-12-19

    上傳用戶:王楚楚

  • MOS管應用筆記

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    標簽: MOS 應用筆記

    上傳時間: 2013-12-09

    上傳用戶:康郎

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

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    標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • MOS管驅動電路總結

    下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創。包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路。

    標簽: MOS 驅動電路

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:文993

  • MOS管驅動基礎和時間功耗計算

    MOS關模型 Cgs:由源極和溝道區域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd:是兩個不同作用的結果。第一JFET區域和門電極的重疊,第二是耗盡區電容(非線性)。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數。Cds:也是非線性的電容,它是體二極管的結電容,也是和電壓相關的。這些電容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時在輸入和輸出,因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多,這個稱為米勒效應。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的,我們在實際應用的時候需要修改Cgd的值。

    標簽: MOS 驅動 功耗計算

    上傳時間: 2013-12-09

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