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MOSFET

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effecttransistor）。[1]MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱上包括NMOS、PMOS等。

透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

標(biāo)簽： MOSFET 獨(dú)立元件

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：阿譚電器工作室
IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)

IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)

標(biāo)簽： MOSFET IGBT 功率模塊應(yīng)用手冊(cè)

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：JasonC
MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配；設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動(dòng)無刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。

標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路

上傳時(shí)間： 2013-12-18

上傳用戶：ccclll
Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DP

Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝

標(biāo)簽： Vishay MOSFET 252 DP

上傳時(shí)間： 2013-11-09

上傳用戶：immanuel2006
以C8051F330為核心,開發(fā)單端正激型開關(guān)電源充電器,C8051F330負(fù)責(zé)電流環(huán)及電壓環(huán)采樣及對(duì)應(yīng)脈寬PWM輸出,控制主電路MOSFET管,構(gòu)成負(fù)反饋.

以C8051F330為核心,開發(fā)單端正激型開關(guān)電源充電器,C8051F330負(fù)責(zé)電流環(huán)及電壓環(huán)采樣及對(duì)應(yīng)脈寬PWM輸出,控制主電路MOSFET管,構(gòu)成負(fù)反饋.

標(biāo)簽： C8051F330 MOSFET 8051 330

上傳時(shí)間： 2013-12-25

上傳用戶：xz85592677
MOSFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真MOSFET的模型程序。

MOSFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真MOSFET的模型程序。

標(biāo)簽： Zero-Current-Quasi-Resonant Converter simulink MOSFET

上傳時(shí)間： 2016-01-18

上傳用戶：cjl42111
雙極性晶體管VS MOSFET 非常的具有實(shí)用價(jià)值

雙極性晶體管VS MOSFET 非常的具有實(shí)用價(jià)值

標(biāo)簽： MOSFET 雙極性晶體管價(jià)值

上傳時(shí)間： 2014-01-25

上傳用戶：wang0123456789
介紹MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動(dòng)態(tài)特性

介紹MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動(dòng)態(tài)特性，并對(duì)動(dòng)態(tài)特性的改進(jìn)進(jìn)行了論述，簡(jiǎn)介了MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路及其發(fā)展動(dòng)態(tài)。

標(biāo)簽： MOSFET 工作原理動(dòng)態(tài)特性

上傳時(shí)間： 2016-08-31

上傳用戶：it男一枚
功率MOSFET知識(shí)介紹.pdf 功率MOSFET知識(shí)介紹.pdf

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標(biāo)簽： MOSFET 功率

上傳時(shí)間： 2014-01-13

上傳用戶：manking0408

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MOSFET

透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊(cè)

MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DP

以C8051F330為核心,開發(fā)單端正激型開關(guān)電源充電器,C8051F330負(fù)責(zé)電流環(huán)及電壓環(huán)采樣及對(duì)應(yīng)脈寬PWM輸出,控制主電路MOSFET管,構(gòu)成負(fù)反饋.

MOSFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真MOSFET的模型程序。

雙極性晶體管VS MOSFET 非常的具有實(shí)用價(jià)值

介紹MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動(dòng)態(tài)特性

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