經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
在電源設(shè)計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者因為閘極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
標(biāo)簽： MOSFET 獨立元件
上傳時間： 2013-11-19
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IGBT和MOSFET功率模塊應(yīng)用手冊
標(biāo)簽： MOSFET IGBT 功率模塊 應(yīng)用手冊
上傳用戶：JasonC
功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配；設(shè)計了基于IR2130驅(qū)動模塊的MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點。在驅(qū)動無刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動能力及保護(hù)功能效果良好。
標(biāo)簽： MOSFET 驅(qū)動保護(hù)電路
上傳時間： 2013-12-18
上傳用戶：ccclll
Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝
標(biāo)簽： Vishay MOSFET 252 DP
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：immanuel2006
以C8051F330為核心,開發(fā)單端正激型開關(guān)電源充電器,C8051F330負(fù)責(zé)電流環(huán)及電壓環(huán)采樣及對應(yīng)脈寬PWM輸出,控制主電路MOSFET管,構(gòu)成負(fù)反饋.
標(biāo)簽： C8051F330 MOSFET 8051 330
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：xz85592677
MOSFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真MOSFET的模型程序。
標(biāo)簽： Zero-Current-Quasi-Resonant Converter simulink MOSFET
上傳時間： 2016-01-18
上傳用戶：cjl42111
雙極性晶體管VS MOSFET 非常的具有實用價值
標(biāo)簽： MOSFET 雙極性晶體管 價值
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：wang0123456789
介紹MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動態(tài)特性，并對動態(tài)特性的改進(jìn)進(jìn)行了論述，簡介了MOSFET的驅(qū)動電路及其發(fā)展動態(tài)。
標(biāo)簽： MOSFET 工作原理 動態(tài)特性
上傳時間： 2016-08-31
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功率MOSFET知識介紹.pdf 功率MOSFET知識介紹.pdf
標(biāo)簽： MOSFET 功率
上傳時間： 2014-01-13
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