透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET ...
在電源設計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題,或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。 ...
IGBT和MOSFET功率模塊應用手冊...
功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用;但它承受短時過載的能力較弱,使其應用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅動與保護電路的設計要求;計算了MOSFET驅動器的功耗及MOSFET驅動器與MOSFET的匹配;設計了基于IR2130驅動模塊的MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單,...
Vishay新型功率MOSFET采用反向導引TO-252DPAK封裝...