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使用整合的模組,定義在都普勒效應(yīng)下,應(yīng)用較小的數(shù)學(xué)模式,模擬出較佳的效應(yīng)
標(biāo)簽： 模 普勒 模式
上傳時(shí)間： 2014-01-10
上傳用戶：xcy122677
這里本站向大家介紹的逆變器（見(jiàn)圖1）主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。它的輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛(ài)好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過(guò)程。
標(biāo)簽： MOS 電源變壓器 場(chǎng)效應(yīng)管 逆變器
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：農(nóng)藥鋒6
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
標(biāo)簽： IGBT 模塊
上傳時(shí)間： 2013-11-03
上傳用戶：panpanpan
0.35umCMOS製成簡(jiǎn)介 內(nèi)容含LDD,熱載子,熱載子效應(yīng),Silicided ，Polycide，Salicide等介紹
標(biāo)簽： CMOS
上傳時(shí)間： 2017-03-27
上傳用戶：WHYang
設(shè)計(jì)高速電路必須考慮高速訊 號(hào)所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng)，所以訊號(hào)完整性 (signal integrity)將是考量設(shè)計(jì)電路優(yōu)劣的一項(xiàng)重要指標(biāo)，電路日異複雜必須仰賴(lài)可 靠的軟體來(lái)幫忙分析這些複雜的效應(yīng)，才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計(jì)， 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項(xiàng)目之一。另外了解高速訊號(hào)所引發(fā)之 各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。目前高速示波器的功能越來(lái)越多，使用上很複雜，必須事先 進(jìn)修學(xué)習(xí)，否則無(wú)法全盤(pán)了解儀器之功能，因而無(wú)法有效發(fā)揮儀器的量測(cè)功能。 其次就是高速訊號(hào)量測(cè)與介面的一些測(cè)試規(guī)範(fàn)也必須熟悉，像眼圖分析，探針 效應(yīng)，抖動(dòng)(jitter)測(cè)量規(guī)範(fàn)及高速串列介面量測(cè)規(guī)範(fàn)等實(shí)務(wù)技術(shù)，必須充分 了解研究學(xué)習(xí)，進(jìn)而才可設(shè)計(jì)出優(yōu)良之教學(xué)教材及教具。
標(biāo)簽： 高速電路
上傳時(shí)間： 2021-11-02
上傳用戶：jiabin
三極管,MOS管 樣本
標(biāo)簽： MOS 三極管 樣本
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
實(shí)用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應(yīng)用
標(biāo)簽： IGBT SCR MOS GTR
上傳時(shí)間： 2013-06-13
上傳時(shí)間： 2013-06-08
專(zhuān)輯類(lèi)----元器件樣本專(zhuān)輯 三極管,MOS管-樣本-150M.rar
標(biāo)簽： MOS 150 三極管
上傳時(shí)間： 2013-06-17
上傳用戶：CETM008
晶閘管-可控硅專(zhuān)輯-14冊(cè)-131M 實(shí)用晶閘管電路大全-SCR-MOS-GTR-IGBT應(yīng)用-481頁(yè)-11.3M.pdf
標(biāo)簽： SCR-MOS-GTR-IGBT 11.3 481
上傳時(shí)間： 2013-07-16
上傳用戶：BIBI
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