AD8397內(nèi)置兩個(gè)電壓反饋型運(yùn)算放大器，能夠以出色的線性度驅(qū)動(dòng)高負(fù)載。共發(fā)射極、軌到軌輸出級(jí)的輸出電壓能力優(yōu)于典型射隨輸出級(jí)，驅(qū)動(dòng)25 負(fù)載時(shí)擺幅可以達(dá)到任一供電軌的0.5 V范圍以內(nèi)。低失真、高輸出電流和寬輸出動(dòng)態(tài)范圍使AD8397特別適合要求高負(fù)載上大信號(hào)擺幅的應(yīng)用。
上傳時(shí)間： 2013-12-22
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ID 型號(hào)廠家用途構(gòu)造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
標(biāo)簽： MOS 開關(guān)管 參數(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-10
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基于CSMC的0.5 μmCMOS工藝，設(shè)計(jì)了一個(gè)高增益、低功耗、恒跨導(dǎo)軌到軌CMOS運(yùn)算放大器，采用最大電流選擇電路作為輸入級(jí)，AB類結(jié)構(gòu)作為輸出級(jí)。通過cadence仿真，其輸入輸出均能達(dá)到軌到軌，整個(gè)電路工作在3 V電源電壓下，靜態(tài)功耗僅為0.206 mW，驅(qū)動(dòng)10pF的容性負(fù)載時(shí)，增益高達(dá)100.4 dB，單位增益帶寬約為4.2 MHz，相位裕度為63°。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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單端雙極輸入信號(hào)的推薦電路如圖 1 所示。Vs+ 是放大器的電源；負(fù)電源輸入接地。VIN 為輸入信號(hào)源，其表現(xiàn)為一個(gè)在接地電位（±0 V）附近擺動(dòng)的接地參考信號(hào)，從而形成一個(gè)雙極信號(hào)。RG 和 RF 為放大器的主增益設(shè)置電阻。VOUT+和 VOUT- 為 ADC 的差動(dòng)輸出信號(hào)。它們的相位差為 180o，并且電平轉(zhuǎn)換為VOCM。
標(biāo)簽： ADC 輸入電壓 單電源 差動(dòng)放大器
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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設(shè)計(jì)了一種帶振幅控制的晶體振蕩器，用于32 768 Hz的實(shí)時(shí)時(shí)鐘。振幅調(diào)節(jié)環(huán)采用源接地振蕩器形式來得到高的頻率穩(wěn)定性和低的功耗。使用MOS管電阻有效的減小了版圖面積。電路在0.35 μm、5 V CMOS工藝上實(shí)現(xiàn)，仿真和測(cè)試結(jié)果都能滿足設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽： 振幅 調(diào)節(jié) 晶體振蕩器
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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AD5933/AD5934的電流-電壓（I-V）放大級(jí)還可能輕微增加信號(hào)鏈的不準(zhǔn)確性。I-V轉(zhuǎn)換級(jí)易受放大器的偏置電流、失調(diào)電壓和CMRR影響。通過選擇適當(dāng)?shù)耐獠糠至⒎糯笃鱽韴?zhí)行I-V轉(zhuǎn)換，用戶可挑選一個(gè)具有低偏置電流和失調(diào)電壓規(guī)格、出色CMRR的放大器，提高I-V轉(zhuǎn)換的精度。該內(nèi)部放大器隨后可配置成一個(gè)簡(jiǎn)單的反相增益級(jí)。
標(biāo)簽： 阻抗轉(zhuǎn)換器 阻抗測(cè)量 高精度
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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圖1所示電路采用digiPOT+系列數(shù)字電位計(jì)AD5292、雙通道運(yùn)算放大器ADA4091-2和基準(zhǔn)電壓源ADR512，提供一種低成本、高電壓、單極性DAC。該電路提供10位分辨率，輸出電壓范圍為0 V至30 V，能夠提供最高±20 mA的輸出電流。AD5292可以通過SPI兼容型串行接口編程。
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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提出了一種基于gm /ID方法設(shè)計(jì)的可變?cè)鲆娣糯笃鳌ＴO(shè)計(jì)基于SMIC90nmCMOS工藝模型，可變?cè)鲆娣糯笃饔梢粋€(gè)固定增益級(jí)、兩個(gè)可變?cè)鲆婕?jí)和一個(gè)增益控制器構(gòu)成。固定增益級(jí)對(duì)輸入信號(hào)預(yù)放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可變性由兩個(gè)受增益控制器控制的可變?cè)鲆婕?jí)實(shí)現(xiàn)。運(yùn)用gm /ID的綜合設(shè)計(jì)方法，優(yōu)化了任意工作范圍內(nèi)，基于gm /ID和VGS關(guān)系的晶體管設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了低電壓低功耗。為得到較寬的增益范圍，應(yīng)用了一種新穎的偽冪指函數(shù)。利用Cadence中spectre工具仿真，結(jié)果表明，在1.2 V的工作電壓下，具有76 dB的增益，控制電壓范圍超過0.8 V，帶寬范圍從34 MHz到183.6 MHz，功耗為0.82 mW。
標(biāo)簽： gm_ID 上傳時(shí)間： 2013-11-10
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為了測(cè)量某試件多點(diǎn)溫度，且溫度跨度很大，還要達(dá)到要求精度，本文利用幾種不同類型的傳感器（AD590、PT1000和K型熱電偶）進(jìn)行采集，其輸出形式（電流源、電阻和熱電勢(shì)）和大小均不相同，設(shè)計(jì)了電源電路、信號(hào)轉(zhuǎn)換電路和放大抬升電路，使各種傳感器的輸出達(dá)到統(tǒng)一的1～5 V的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)；在實(shí)驗(yàn)室利用高精度電壓、電流源和電阻箱分別對(duì)熱電偶、AD590和PT1000進(jìn)行模擬，結(jié)果表明該方法可行，調(diào)理電路的相對(duì)精度可達(dá)到0.1級(jí)。
標(biāo)簽： 溫度傳感器 信號(hào)調(diào)理 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-11
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ADM1073 –48 V熱插拔控制器，可通過動(dòng)態(tài)控制置于電源路徑中外部N溝道FET上的柵極電壓，精確限制該電源產(chǎn)生的電流。內(nèi)部檢測(cè)放大器可以檢測(cè)連接在電源VEE和SENSE引腳之間的檢測(cè)電阻上的電壓。該電平體現(xiàn)了負(fù)載電流水平。檢測(cè)放大器具有100 mV (±3%)的預(yù)設(shè)控制環(huán)路閾值。這意味著當(dāng)檢測(cè)電阻上檢測(cè)到100 mV的電壓時(shí)，電流控制環(huán)路就會(huì)調(diào)節(jié)負(fù)載電流。這樣檢測(cè)電阻值可以設(shè)置促使環(huán)路進(jìn)行調(diào)節(jié)的電流水平。100 mV除以RSENSE可以得到電流值，此時(shí)檢測(cè)電阻會(huì)促使環(huán)路進(jìn)行調(diào)節(jié)。
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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