?? PN結(jié)技術(shù)資料

?? 資源總數(shù)：487
?? 技術(shù)文檔：1
?? 源代碼：5415
PN結(jié)作為半導體技術(shù)的核心基礎(chǔ)，是理解二極管、晶體管等電子元件工作原理的關(guān)鍵。通過本頁面豐富的487個資源，您將深入了解PN結(jié)的形成機制、電流-電壓特性及其在光電轉(zhuǎn)換、信號處理等領(lǐng)域的廣泛應用。無論是初學者還是經(jīng)驗豐富的工程師，這里都是深化知識、激發(fā)創(chuàng)新靈感的理想之地。立即訪問，開啟您的半導體技術(shù)探索之旅！

?? PN結(jié)熱門資料

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本文先設計了一種高性能的CMOS模擬集成溫度傳感器，并在電路中設計了ESD保護電路和啟動電路，以保證電路工作點正常與性能優(yōu)良。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單、工作電壓低、電源抑制比高和線性度良好的特點。采用HSPICE對該溫度傳感器電路進行了模擬仿真，仿真結(jié)果表明其電源抑制比可以達到64dB，在-50℃~150...

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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意...

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