SiCOI MESFET的特性分析

使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。...