產(chǎn)品設(shè)計(jì)越來越趨向小型化，功能多樣化，并對(duì) SI，EMC 設(shè)計(jì)要求更為苛刻（如產(chǎn)品需認(rèn)證SISPR16 CALSS B），根據(jù)單板的電源、地的種類、信號(hào)密度、板級(jí)工作頻率、有特殊布線要求的信號(hào)數(shù)量，適當(dāng)增加地平面是PCB 的EMC 設(shè)計(jì)的殺手锏之一。單面板，雙面板已不能夠滿足復(fù)雜PCB 的設(shè)計(jì)要求，本文以四層板舉例，講述四層板的設(shè)置和相關(guān)的一些設(shè)計(jì)技巧，文中的有些觀點(diǎn)，建議因?yàn)樗接邢蓿e(cuò)誤之處在所難免，還望大家不斷批評(píng)、指正。
上傳時(shí)間： 2013-10-17
上傳用戶：龍飛艇
1) 全數(shù)字化設(shè)計(jì)，交流采樣，人機(jī)界面采用大屏幕點(diǎn)陣圖形128X64 LCD中文液晶顯示器。 2) 可實(shí)時(shí)顯示A、B、C各相功率因數(shù)、電壓、電流、有功功率、無功功率、電壓總諧波畸變率、電流總諧波畸變率、電壓3、5、7、9、11、13次諧波畸變率、電流3、5、7、9、 11、13次諧波畸變率頻率、頻率、電容輸出顯示及投切狀態(tài)、報(bào)警等信息。 3) 設(shè)置參數(shù)中文提示，數(shù)字輸入。 4) 電容器控制方案支持三相補(bǔ)償、分相補(bǔ)償、混合補(bǔ)償方案，可通過菜單操作進(jìn)行設(shè)置。 5) 電容器投切控制程序支持等容/編碼（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手動(dòng)補(bǔ)償/自動(dòng)補(bǔ)償兩種工作方式。 7) 提供電平控制輸出接口（+12V），動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)于20MS。 8) 取樣物理量為無功功率，具有諧波測(cè)量及保護(hù)功能。 9) 控制器具有RS-485通訊接口，MODBUS標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)場(chǎng)總線協(xié)議，方便接入低壓配電系統(tǒng)。
標(biāo)簽： 無功功率 控制器 自動(dòng)補(bǔ)償
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：dancnc
電路連接 由于數(shù)碼管品種多樣，還有共陰共陽的，下面我們使用一個(gè)數(shù)碼管段碼生成器（在文章結(jié)尾） 去解決不同數(shù)碼管的問題： 本例作者利用手頭現(xiàn)有的一位不知品牌的共陽數(shù)碼管：型號(hào)D5611 A/B，在Eagle 找了一個(gè) 類似的型號(hào)SA56-11，引腳功能一樣可以直接代換。所以下面電路圖使用SA56-11 做引腳說明。 注意： 1. 將數(shù)碼管的a~g 段，分別接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的數(shù)碼管未知的話，可以通過通電測(cè)量它哪個(gè)引腳對(duì)應(yīng)哪個(gè)字段，然后找出a~g 即可。 2. 分清共陰還是共陽。共陰的話，接220Ω電阻到電源負(fù)極；共陽的話，接220Ω電阻到電源+5v。 3. 220Ω電阻視數(shù)碼管實(shí)際工作亮度與手頭現(xiàn)有原件而定，不一定需要準(zhǔn)確。 4. 按下按鈕即停。 源代碼 由于我是按照段碼生成器默認(rèn)接法接的，所以不用修改段碼生成器了，直接在段碼生成器選擇共陽極，再按“自動(dòng)”生成數(shù)組就搞定。 下面是源代碼，由于偷懶不用寫循環(huán)，使用了部分AVR 語句。 PORTD 這個(gè)是AVR 的端口輸出控制語句，8 位對(duì)應(yīng)D7~D0，PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高電平。 PORTD = a;就是找出相應(yīng)的段碼輸出到D7~D0。 DDRD 這個(gè)是AVR 語句中控制引腳作為輸出/輸入的語句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作為輸出腳了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 單數(shù)碼管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定義段碼表，表中十個(gè)元素由LED 段碼生成器生成，選擇了共陽極。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定義PortD 的低七位全部用作輸出使用。即0xFF=B11111111對(duì) 應(yīng)D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用來做骰子暫停的開關(guān) } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //將段碼輸出PortD 的低7位，即Arduino 的引腳D0~D6，這樣需要取出PORTD 最高位，即 D7的狀態(tài)，與段碼相加，之后再輸出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延時(shí)50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引腳高電平，則在此死循環(huán),暫停LED 跑 動(dòng) } }
標(biāo)簽： Arduino 10 數(shù)碼管 實(shí)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：baitouyu
? 計(jì)算方法： 1) A值（相位）的計(jì)算：根據(jù)設(shè)置的相位值D（單位為度，0度-360度可設(shè)置），由公式A=D/360，得出A值，按四舍五入的方法得出相位A的最終值； 2) B偏移量值的計(jì)算：按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5； 3) C峰峰值的計(jì)算：按C=VPP/20V*4095；
標(biāo)簽： 模擬信號(hào) 發(fā)生 頻率計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：xdqm
目前，被廣泛使用的經(jīng)典邊緣檢測(cè)算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。這些算子的核心思想是圖像的邊緣點(diǎn)是相對(duì)應(yīng)于圖像灰度值梯度的局部極大值點(diǎn)。然而，當(dāng)圖像中含有噪聲時(shí)這些算子對(duì)噪聲都比較敏感，使得將噪聲作為邊緣點(diǎn)。由于噪聲的干擾，不能檢測(cè)出真正的邊緣。一個(gè)擁有良好屬性的的邊緣檢測(cè)算法是每個(gè)研究者的追求。利用小波交換的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了三次B樣條平滑濾波算子。通過利用這個(gè)算子，對(duì)利用小波變換來檢測(cè)圖像的邊緣進(jìn)行了一定的研究和理解。
標(biāo)簽： 小波變換 圖像邊緣檢測(cè) 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-10-13
上傳用戶：kqc13037348641
在非相參雷達(dá)測(cè)試系統(tǒng)中，頻率合成技術(shù)是其中的關(guān)鍵技術(shù).針對(duì)雷達(dá)測(cè)試系統(tǒng)的要求，介紹了一種用DDS激勵(lì)PLL的X波段頻率合成器的設(shè)計(jì)方案。文中給出了主要的硬件選擇及具體電路設(shè)計(jì)，通過對(duì)該頻率合成器的相位噪聲和捕獲時(shí)間的分析，及對(duì)樣機(jī)性能的測(cè)試，結(jié)果表明該X波段頻率合成器帶寬為800 MHz、輸出相位噪聲優(yōu)于-80 dBc/Hz@10 kHz、頻率分辨率達(dá)0.1 MHz， 可滿足雷達(dá)測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的要求。測(cè)試表明，該頻率合成器能產(chǎn)生低相噪、高分辨率、高穩(wěn)定度的X波段信號(hào)，具有較好的工程應(yīng)用價(jià)值。
標(biāo)簽： X波段 頻率合成器 設(shè)計(jì)方案
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：pkkkkp
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
結(jié)合直接數(shù)字頻率合成（DDS）和鎖相環(huán)（PLL）技術(shù)完成了X波段低相噪本振跳頻源的設(shè)計(jì)。文章通過軟件仿真重點(diǎn)分析了本振跳頻源的低相噪設(shè)計(jì)方法，同時(shí)給出了主要的硬件選擇和詳細(xì)電路設(shè)計(jì)過程。最后對(duì)樣機(jī)的測(cè)試結(jié)果表明，本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優(yōu)點(diǎn)，滿足了實(shí)際工程應(yīng)用。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：jiwy
X電容是指跨于L-N之間的電容器， Y電容是指跨于L-G/N-G之間的電容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).
標(biāo)簽： 電容
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：haohao
定點(diǎn)乘法器設(shè)計(jì)(中文) 運(yùn)算符： + 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)作加法操作; A + B - 從左邊的數(shù)據(jù)中減去右邊的數(shù)據(jù); A - B - 對(duì)跟在其后的數(shù)據(jù)作取補(bǔ)操作，即用0減去跟在其后的數(shù)據(jù); - B * 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)作乘法操作; A * B & 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)按位作與操作; A & B # 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)按位作或操作; A # B @ 對(duì)其兩邊的數(shù)據(jù)按位作異或操作; A @ B ~ 對(duì)跟在其后的數(shù)據(jù)作按位取反操作; ~ B << 以右邊的數(shù)據(jù)為移位量將左邊的數(shù)據(jù)左移; A << B $ 將其兩邊的數(shù)據(jù)按從左至右順序拼接; A $ B
標(biāo)簽： 定點(diǎn) 乘法器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-17
上傳用戶：trepb001
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