N+緩沖層設(shè)計(jì)對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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IGBT開關(guān)過程仿真分析中的PSPICE應(yīng)用研究
標(biāo)簽： PSPICE IGBT 開關(guān)過程 仿真分析
上傳時(shí)間： 2013-12-23
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IGBT的變頻電源設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： IGBT 變頻電源
上傳時(shí)間： 2013-10-15
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IGBT的實(shí)用的驅(qū)動電路
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動電路
上傳時(shí)間： 2013-10-16
上傳用戶：zyt
英飛凌IGBT驅(qū)動保護(hù)培訓(xùn)資料，非常經(jīng)典的培圳資料，免費(fèi)供大家分享。
標(biāo)簽： IGBT 英飛凌 培訓(xùn)資料 驅(qū)動保護(hù)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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IGBT驅(qū)動器驅(qū)動能力計(jì)算。
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動器 驅(qū)動 計(jì)算
上傳時(shí)間： 2014-12-03
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IGBT驅(qū)動電路模塊化設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動電路 模塊化設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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IGBT門極驅(qū)動設(shè)計(jì)規(guī)范，很詳細(xì)的免費(fèi)規(guī)范。
標(biāo)簽： IGBT 門極驅(qū)動 設(shè)計(jì)規(guī)范
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igbt
標(biāo)簽： M57962L IGBT 驅(qū)動電路
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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基于目前電動汽車大功率充電裝置的需求，提出了一種基于IGBT器件的直流充電機(jī)充電裝置設(shè)計(jì)方案，并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)的硬件部分架構(gòu)設(shè)計(jì)主要是主回路部分以及控制系統(tǒng)部分，軟件部分采用C語言進(jìn)行編程，能夠完成對其輸出電壓電流等信號的檢測。實(shí)際應(yīng)用表明，該系統(tǒng)達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽： IGBT 直流充電 裝置
上傳時(shí)間： 2013-10-10
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