四方針，方針，U型針，門形針,n型針，扁針，插針，拱形插針，弧形彎針，弧形插針
標簽： 四方針 方針 U型針 門形針 n型針 扁針 插針 拱形插針 弧形彎針 弧形插針
上傳時間： 2016-08-12
上傳用戶：sztfjm
分析了MATLAB/Simulink 中DSP Builder 模塊庫在FPGA 設計中優點，\\r\\n然后結合FSK 信號的產生原理，給出了如何利用DSP Builder 模塊庫建立FSK 信號發生器模\\r\\n型，以及對FSK 信號發生器模型進行算法級仿真和生成VHDL 語言的方法，并在modelsim\\r\\n中對FSK 信號發生器進行RTL 級仿真，最后介紹了在FPGA 芯片中實現FSK 信號發生器的設\\r\\n計方法。
標簽： Simulink Builder MATLAB FPGA
上傳時間： 2013-08-20
上傳用戶：herog3
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
磨尖銅針,磨尖銅彎針,可加工成尖頭彎針,U型成,N型,S鉤針
標簽： 磨尖鋼針 尖頭鋼針 尖角針 轉角針 彈簧針 銅針 軸針 刺針 磨尖銅針 圓規針
上傳時間： 2016-01-09
上傳用戶：1234lucy
FD2501 是一個高電壓、高速柵極驅動器，能夠驅動N型功率MOSFET和IGBT。內置欠壓保護功能，防止功率管在過的電壓下工作。
標簽： Datasheet_V 20150818 HVIC-DS 2501 001 1.2 FD 發布
上傳時間： 2019-01-29
上傳用戶：風梭@6
C-N解偏微分方程的程序。解的是定步長的拋物型偏微分方程： du/dx - a * d2u/dx2 = 0 在程序中可以更改 a 的值以實現不同系數的解。在循環中改變 a 的值以實現變系數. 該說明在壓縮包是也有
上傳時間： 2014-01-26
上傳用戶：love_stanford
C語言利用Levinson遞推演算法求解n階Toeplitz型的聯立方程式
上傳時間： 2013-12-19
上傳用戶：磊子226
拋物型方程古典&c-n格式差分算法 dasdsadsadasdsdsadas
標簽： dasdsadsadasdsdsadas c-n 方程 差分
上傳時間： 2013-12-31
上傳用戶：tb_6877751
是1-n-1和2-n-1型的基于MATLAB的標準BP算法程序，加入了動量項，以便獲得更好的訓練效果
上傳時間： 2014-01-05
上傳用戶：sevenbestfei
