傳統的數控系統采用的大多是專用的封閉式結構，它能提供給用戶的選擇有限，用戶無法對現有數控設備的功能進行修改以滿足自己的特殊要求；各種廠商提供給用戶的操作方式各不相同，用戶在培訓人員、設備維護等方面要投入大量的時間和資金。這些問題嚴重阻礙了CNC制造商、系統集成者和用戶采用快速而有創造性的方法解決當今制造環境中數控加工和系統集成中的問題。隨著電子技術和計算機技術的高速發展，數控技術正朝向柔性化、智能化和網絡化的方向發展。針對數控系統已存在的問題和未來發展的趨勢，本文致力于建立一個適合現場加工特征的開放結構數控平臺，使系統具備軟硬件可重構的柔性特征，同時把監控診斷和網絡模塊融入數控系統的框架體系之內，滿足智能化和網絡化的要求。 本文在深入研究嵌入式系統技術的基礎上，引入可重構的設計方法，選擇具體的硬件平臺和軟件平臺進行嵌入式可重構數控系統平臺的研發。硬件結構以MOTOROLA的高性能32位嵌入式處理器MC68F375和ALTERA的現場可編程門陣列(FPGA)芯片為核心，配以系統所需的外圍模塊；軟件系統以性能卓越的VxWorks嵌入式實時操作系統為核心，開發所需要的應用軟件，將VxWorks嵌入式實時操作系統擴展為一個完整、實用的嵌入式數控系統。該系統不僅具有可靠性高、穩定性好、功能強的優點，而且具有良好的可移植性和軟硬件可裁減性，便于根據實際需求進行功能的擴展和重構。 本論文的主要研究工作如下： (1)深入研究了以高性能微處理器MC68F375為核心的主控制板的硬件電路設計，以及存儲、采集、通訊和網絡等模塊的設計。 (2)深入研究了基于FPGA的串行配置方法和可重構設計方法，設計出基于FPGA的電機運動控制、機床IO控制、鍵盤陣列和液晶顯示控制等接口模塊電路。 (3)深入研究了VxWorks嵌入式實時操作系統在硬件平臺上的移植和任務調度原理，合理分配控制系統的管理任務，開發系統的底層驅動程序和應用程序。 最后，本文總結了系統的開發工作，并對嵌入式可重構數控系統的進一步研究提出了自己的一些想法，以指引后續研究工作。
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：gcs333
NS的模擬前端芯片LMP90100的中文DATASHEET
上傳時間： 2013-06-17
上傳用戶：一諾88
大地數控車說明書 142頁說明，對CNC的剖析
上傳時間： 2013-06-07
上傳用戶：1417818867
設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵結構，利用增益提高和三支路電流基準技術實現一個可用于12~14 bit精度，100 MS/s采樣頻率的高速流水線（Pipelined）ADC的運放。設計基于SMIC 0.25 μm CMOS工藝，在Cadence環境下對電路進行Spectre仿真。仿真結果表明，在2.5 V單電源電壓下驅動2 pF負載時，運放的直流增益可達到124 dB，單位增益帶寬720 MHz，轉換速率高達885 V/μs，達到0.1%的穩定精度的建立時間只需4 ns，共模抑制比153 dB。
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：jiiszha
設計了一種用于高速ADC中的全差分套筒式運算放大器.從ADC的應用指標出發,確定了設計目標,利用開關電容共模反饋、增益增強等技術實現了一個可用于12 bit精度、100 MHz采樣頻率的高速流水線(Pipelined)ADC中的運算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工藝,Spectre仿真結果表明,該運放可以達到105.8 dB的增益,單位增益帶寬達到983.6 MHz,而功耗僅為26.2 mW.運放在4 ns的時間內可以達到0.01%的建立精度,滿足系統設計要求.
上傳時間： 2013-10-16
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利用RC高通電路的思想，針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度，而且瞬態增強電路工作的過程中，系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明：整個LDO是靜態電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時，其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs；而在負載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內，由1.8 V跳變到2.3 V時，輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。
上傳時間： 2013-12-20
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為了產生驅動多幅閃光照相的高重頻猝發高壓電脈沖，開展了基于硅堆隔離的猝發高壓脈沖發生裝置的可行性研究。對普通整流硅堆脈沖條件的導通電流，反向關斷時間進行了實驗研究；采用脈沖形成線產生矩形脈沖，利用不同長度傳輸線的傳輸時延產生多脈沖，以硅堆隔離的方式實現多脈沖在負載的輸出。研究表明：硅堆在500 ns脈寬條件下，其電流過載至少736倍，關斷時間約200 ns，硅堆的絕緣恢復時間決定產生脈沖的最高重復頻率。
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：稀世之寶039
本文主要介紹在GOLD4P上實現的獨有的無間斷雙電源切換功能，現在為止，我們還沒有發現有誰家的USB HUB在產品上實現了NS級的無縫雙電源切換功能。要講清這個問題，得先從這個問題的最基本說起。
上傳時間： 2014-03-30
上傳用戶：gengxiaochao
研究領域：電源管理IC、功率IC 涉及廠商：Fairchild、ST、NS、Onsemiconductor、Linear和Maxim等 報告推薦 2009年，受國際金融危機和行業不景氣的雙重沖擊，全球電源管理芯片市場規模出現超過10%的大幅下滑，中國電源管理芯片市場也首次出現負增長。雖然整體市場明顯下滑，但分領域來看，汽車電子類電源管理芯片市場依然實現正增長，而計算機、網絡通信和消費電子等領域則由于下游整機出口下滑的拖累導致相關領域的電源管理芯片市場出現大幅衰退。整體來看，2009年中國電源管理芯片市場雖然陷入了前所未有的負增長，但下半年以來市場的明顯復蘇以及人們對節能、綠色以及低碳需求的不斷增加，未來電源管理芯片市場依然充滿希望。 為了全面而準確的反映中國電源管理芯片市場地發展現狀以及未來趨勢，推出《2009-2010年中國電源管理芯片市場研究年度報告》，將幫助業界廠商、投資者和相關政府機構更準確地把握中國電源管理芯片市場的發展規律。 深入、翔實的市場研究數據。基于對行業產品的深度研究，提供對產品結構、應用結構等多個角度的市場數據，明晰市場發展方向。 全面、深刻的品牌競爭分析。從市場格局、競爭策略、SWOT分析等多個維度分析企業，評點市場領先要素。 科學、完整的未來發展預測。建立在各重點細分市場上的建模校驗，并與相關產業環節進行關聯分析，確保給出有價值的趨勢分析與定量預測結果。 本報告全面總結了2009年中國電源管理芯片市場的發展狀況，全面分析了其推進因素和市場特點，并對主要廠商進行了客觀綜合的評價，通過大量的調研訪談和詳實準確的數據支撐，為客戶提供完整的中國電源管理芯片市場信息，為企業提供有效的決策參考，報告主要為客戶提供了以下方面的內容。 目前國內電源管理芯片市場規模及特點 按產品細分的電源管理芯片市場情況 按應用領域細分的電源管理芯片市場情況 主要廠商分析 未來各個細分市場的預測 報告框架
上傳時間： 2013-11-17
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研究領域：電源管理芯片、功率IC、功率器件 涉及廠商：TI、NS、Fairchild、OnSemiconductor等 報告推薦 和往年一樣，在下游產品產量的不斷增加以及節能需求的不斷提高等因素的刺激下，2006年中國電源管理芯片市場依然保持快速發展的勢頭。為了全面而準確的反映中國電源管理芯片市場的現狀以及未來發展趨勢，顧問特此推出了《2006-2007年中國電源管理芯片市場研究報告》。 本報告全面總結了2006年中國電源管理芯片市場的發展狀況，全面分析了其推進因素和市場特點，并對主要廠商進行了客觀綜合的評價，通過大量的調研訪談和詳實準確的數據，為客戶提供完整的中國電源管理芯片市場信息，為企業提供有效的決策參考，報告主要為客戶提供了以下方面的內容。 目前國內電源管理芯片市場規模及特點 按產品細分的電源管理芯片市場情況 按應用領域細分的電源管理芯片市場情況 主要廠商評價 未來各個細分市場的預測 報告框架 主要結論 重要發現架
上傳時間： 2013-10-18
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