?? p-si-lcd技術(shù)資料

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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意...

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  討論了高速PCB 設(shè)計中涉及的定時、反射、串?dāng)_、振鈴等信號完整性( SI)問題,結(jié)合CA2DENCE公司提供的高速PCB設(shè)計工具Specctraquest和Sigxp,對一采樣率為125MHz的AD /DAC印制板進行了仿真和分析,根據(jù)布線前和布線后的仿真結(jié)果設(shè)置適當(dāng)?shù)募s束條件...

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