本文介紹了使用兩塊555芯片和一塊324芯片設(shè)計(jì)一個(gè)電容測(cè)試儀的實(shí)際電路，實(shí)現(xiàn)了將電容容值通過數(shù)字電壓表的直流檔直接讀出來的功能。并在文后給出了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
標(biāo)簽： 555 芯片 電容測(cè)試 儀的設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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74系列數(shù)字芯片相關(guān)資料
標(biāo)簽： 7474 74系列 數(shù)字 芯片資料
上傳時(shí)間： 2013-10-24
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555 定時(shí)器是一種模擬和數(shù)字功能相結(jié)合的中規(guī)模集成器件。一般用雙極性工藝制作的稱為 555，用 CMOS 工藝制作的稱為 7555，除單定時(shí)器外，還有對(duì)應(yīng)的雙定時(shí)器 556/7556。555 定時(shí)器的電源電壓范圍寬，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，輸出驅(qū)動(dòng)電流約為 200mA，因而其輸出可與 TTL、CMOS 或者模擬電路電平兼容。 555 定時(shí)器成本低，性能可靠，只需要外接幾個(gè)電阻、電容，就可以實(shí)現(xiàn)多諧振蕩器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器及施密特觸發(fā)器等脈沖產(chǎn)生與變換電路。它也常作為定時(shí)器廣泛應(yīng)用于儀器儀表、家用電器、電子測(cè)量及自動(dòng)控制等方面。555 定時(shí)器的內(nèi)部包括兩個(gè)電壓比較器，三個(gè)等值串聯(lián)電阻，一個(gè) RS 觸發(fā)器，一個(gè)放電管 T 及功率輸出級(jí)。它提供兩個(gè)基準(zhǔn)電壓VCC /3 和 2VCC /3 555 定時(shí)器的功能主要由兩個(gè)比較器決定。兩個(gè)比較器的輸出電壓控制 RS 觸發(fā)器和放電管的狀態(tài)。在電源與地之間加上電壓，當(dāng) 5 腳懸空時(shí)，則電壓比較器 A1 的反相輸入端的電壓為 2VCC /3，A2 的同相輸入端的電壓為VCC /3。若觸發(fā)輸入端 TR 的電壓小于VCC /3，則比較器 A2 的輸出為 1，可使 RS 觸發(fā)器置 1，使輸出端 OUT=1。如果閾值輸入端 TH 的電壓大于 2VCC/3，同時(shí) TR 端的電壓大于VCC /3，則 A1 的輸出為 1，A2 的輸出為 0，可將 RS 觸發(fā)器置 0，使輸出為 0 電平。
上傳時(shí)間： 2013-10-15
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555芯片用于組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器、施密特觸發(fā)器以及多諧振蕩器。
標(biāo)簽： 555 芯片 單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 施密特觸發(fā)器
上傳時(shí)間： 2013-10-19
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74系列芯片功能大全
上傳時(shí)間： 2013-12-21
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秒表課程設(shè)計(jì)，非單片機(jī)的，基于74芯片的
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理圖設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)，整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工藝的工藝庫(kù)（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì)，并在一款多功能數(shù)字芯片上使用，版圖面積為1 mm×1 mm，并參與MPW（多項(xiàng)目晶圓）計(jì)劃流片，流片測(cè)試結(jié)果表明，在輸出負(fù)載很大時(shí)，本設(shè)計(jì)能提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)延遲時(shí)間短、并占用版圖面積小。
標(biāo)簽： CMOS 工藝 多功能 數(shù)字芯片
上傳時(shí)間： 2013-10-09
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74系列芯片總匯
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支持IEEE1149.4標(biāo)準(zhǔn)的芯片資料
標(biāo)簽： STA 400 混合信號(hào) 芯片
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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通常以為TTL門的速度高于“CMOS門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大，作速度越低。管子的開關(guān)時(shí)間越長(zhǎng)，門的工作速度越低。門的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對(duì)于輸入波形上有“傳輸延時(shí)”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱“速度-功耗積”，做為器件性能的一個(gè)重要指標(biāo)，其值越小，表明器件的性能越 好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與TTL門電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部，即負(fù)載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時(shí)約為幾十納秒。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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