近年來，隨著集成電路技術(shù)和電源管理技術(shù)的發(fā)展，低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）受到了普遍的關(guān)注，被廣泛應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品如PDA、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、無線電話與通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和測(cè)試儀器等中，但國(guó)內(nèi)研究起步晚，市場(chǎng)大部分被國(guó)外產(chǎn)品占有，因此，開展本課題的研究具有特別重要的意義。 首先，簡(jiǎn)單闡述了課題研究的背景及意義，分析了低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）研究的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)，并提出了設(shè)計(jì)的預(yù)期技術(shù)指標(biāo)。 其次，詳細(xì)分析了LDO線性穩(wěn)壓器的理論基礎(chǔ)，包括其結(jié)構(gòu)、各功能模塊的作用、系統(tǒng)工作原理、性能指標(biāo)定義及設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)性能指標(biāo)之間相互矛盾的折衷考慮。 再次，設(shè)計(jì)了基于自偏置電流源的帶隙基準(zhǔn)電壓源，選取PMOS管作為系統(tǒng)的調(diào)整元件并計(jì)算出了其尺寸，設(shè)計(jì)了基于CMOS工藝的兩級(jí)誤差運(yùn)算放大器。利用HSPICE工具仿真了基準(zhǔn)電壓源和誤差運(yùn)算放大器的相關(guān)性能參數(shù)。 然后，重點(diǎn)分析了穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性特征，指出系統(tǒng)存在的潛在不穩(wěn)定性，詳細(xì)論述了穩(wěn)定性補(bǔ)償?shù)谋匾裕容^了業(yè)界使用過的幾種穩(wěn)定性補(bǔ)償方法的不足之處，提出了一種基于電容反饋VCCS的補(bǔ)償方法，對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了穩(wěn)定性的補(bǔ)償； 最后，將所設(shè)計(jì)的模塊進(jìn)行聯(lián)合，設(shè)計(jì)了一款基于CMOS工藝的LDO線性穩(wěn)壓器電路，利用HSPICE工具驗(yàn)證了其壓差電壓、靜態(tài)電流、線性調(diào)整率等性能指標(biāo)，仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論分析的正確性、設(shè)計(jì)方法的可行性。
標(biāo)簽：
CMOS
工藝
低壓差線性穩(wěn)壓器
上傳時(shí)間：
2013-07-08
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