透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET ...
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET ...
射頻識(shí)別 (RFID) 技術(shù)采用輻射和反射 RF 功率來識(shí)別和跟蹤各種目標(biāo)。典型的 RFID 繫統(tǒng)由一個(gè)閱讀器和一個(gè)轉(zhuǎn)發(fā)器 (或標(biāo)簽) 組成。 ...
實(shí)用射頻技術(shù)...
無線射頻識(shí)別技術(shù) RFID理論與應(yīng)用...
射頻和無線技術(shù)入門...