這是高阻態(tài)的一些學(xué)習(xí)，了解對(duì)學(xué)單片機(jī)非常有用的，希望能對(duì)你們有幫助
上傳時(shí)間： 2013-07-06
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對(duì)大學(xué)物理實(shí)驗(yàn)中放電法測高阻的傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)，采用單片機(jī)-計(jì)算機(jī)接口技術(shù)和模數(shù)變換技術(shù)，用計(jì)算機(jī)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理得出結(jié)果。它既可以作為自動(dòng)化測量設(shè)備，也可以作為高年級(jí)大學(xué)生課程設(shè)計(jì)或畢業(yè)設(shè)計(jì)題目，對(duì)于拓寬大學(xué)生知識(shí)面，提高實(shí)際動(dòng)手能力和解決問題能力有一定的價(jià)值。
標(biāo)簽： 89C51 放電 高阻 數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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總線比較,比較兩總線的值相等是輸出脈沖,否則輸出0或高阻
上傳時(shí)間： 2014-05-23
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哈明窗設(shè)計(jì)帶通濾波器 低阻帶邊緣：0.3*pi ； 高阻帶邊緣：0.6*pi AS＝50dB； 低通帶邊緣：0.4*pi RP＝0.5dB； 高通帶邊緣：0.5*pi
上傳時(shí)間： 2017-08-08
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本文分析了影響VA法高阻測量精度的主要因素，設(shè)計(jì)了以單片機(jī)為核心的高阻測量儀。采用加壓瀏流 的 方 案 ， 運(yùn)用 雙 屏蔽輸入電纜、優(yōu)選輸入級(jí)器件、隔離等關(guān)健技術(shù)，使電阻瀏量可達(dá)10160，電流測量可達(dá)10一”Aa
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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電力系統(tǒng)的中性點(diǎn)是指三相電力系統(tǒng)中作量型連接的變壓器或發(fā)電機(jī)的中性點(diǎn),其運(yùn)行方式有:不接地方式(絕緣方式)、經(jīng)電阻接地方式(又可細(xì)分為經(jīng)高阻和低阻接地兩種情況)、經(jīng)電抗接地方式、經(jīng)消弧線圈接地方式和直接接地方式等.如何選擇發(fā)電機(jī)或變壓器中性點(diǎn)的運(yùn)行方式是一個(gè)比較復(fù)雜的綜合性技術(shù)、經(jīng)濟(jì)問題.不論采用哪種運(yùn)行方式,都涉及到供電可靠性、故障范圍、用電安全、過電壓、繼電保護(hù)和對(duì)電訊及無線電干擾等一系列問題.該文結(jié)合一工程實(shí)際問題就以上幾個(gè)方面對(duì)電力系統(tǒng)中性點(diǎn)的幾種運(yùn)行方式分別加以分析比較,并分別對(duì)幾種運(yùn)行方式進(jìn)行了短路電流計(jì)算、繼電保護(hù)的配置及整定工作.
上傳時(shí)間： 2013-07-25
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EMC設(shè)計(jì)中的濾波器通常指由L，C構(gòu)成的低通濾波器。濾波器結(jié)構(gòu)的選擇是由"最大不匹配原則"決定的。即在任何濾波器中，電容兩端存在高阻 抗，電感兩端存在低阻抗。
標(biāo)簽： EMC 設(shè)計(jì)技巧
上傳時(shí)間： 2014-12-23
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由于電磁兼容的迫切要求，電磁干擾(EMI)抑制元件獲得了廣泛的應(yīng)用。然而實(shí)際應(yīng)用中的電磁兼容問題十分復(fù)雜，單單依靠理論知識(shí)是完全不夠的，它更依賴于廣大電子工程師的實(shí)際經(jīng)驗(yàn)。為了更好地解決電子產(chǎn)品的電磁兼容性這一問題，還要考慮接地、 電路與PCB板設(shè)計(jì)、電纜設(shè)計(jì)、屏蔽設(shè)計(jì)等問題[1][2]。本文通過介紹磁珠的基本原理和特性來說明它在開關(guān)電源電磁兼容設(shè)計(jì)中的重要性與應(yīng)用，以期為設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)新產(chǎn)品時(shí)提供必要的參考。 2 磁珠及其工作原理 磁珠的主要原料為鐵氧體，鐵氧體是一種立方晶格結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料，鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金，它的制造工藝和機(jī)械性能與陶瓷相似，顏色為灰黑色。電磁干擾濾波器中經(jīng)常使用的一類磁芯就是鐵氧體材料，許多廠商都提供專門用于電磁干擾抑制的鐵氧體材料。這種材料的特點(diǎn)是高頻損耗非常大，具有很高的導(dǎo)磁率，它可以使電感的線圈繞組之間在高頻高阻的情況下產(chǎn)生的電容最小。鐵氧體材料通常應(yīng)用于高頻情況，因?yàn)樵诘皖l時(shí)它們主要呈現(xiàn)電感特性，使得損耗很小。在高頻情況下，它們主要呈現(xiàn)電抗特性并且隨頻率改變。實(shí)際應(yīng)用中，鐵氧體材料是作為射頻電路的高 頻衰減器使用的。實(shí)際上，鐵氧體可以較好的等效于電阻以及電感的并聯(lián)，低頻下電阻被電感短路，高頻下電感阻抗變得相當(dāng)高，以至于電流全部通過電阻。鐵氧體是一個(gè)消耗裝置，高頻能量在上面轉(zhuǎn)化為熱能，這是由它的電阻特性決定的。 對(duì)于抑制電磁干擾用的鐵氧體，最重要的性能參數(shù)為磁導(dǎo)率和飽和磁通密度。磁導(dǎo)率可以表示為復(fù)數(shù)，實(shí)數(shù)部分構(gòu)成電感，虛數(shù)部分代表損耗，隨著頻率的增加而增加。因此它的等效電路為由電感L和電阻R組成的串聯(lián)電路，如圖1所示，電感L和電阻R都是頻率的函數(shù)。當(dāng)導(dǎo)線穿過這種鐵氧體磁芯時(shí)，所構(gòu)成的電感阻抗在形式上是隨著頻率的升高而增加，但是在不同頻率時(shí)其機(jī)理是完全不同的。
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上傳時(shí)間： 2013-11-19
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Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個(gè)電路設(shè)計(jì)為例，簡單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計(jì)中的使用。下面是一個(gè)DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計(jì))，其中DRAM作為DSP的擴(kuò)展Memory(64位寬度，低8bit還經(jīng)過3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM時(shí)鐘頻率133M。因?yàn)轭l率較高，設(shè)計(jì)過程中我們需要考慮DRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線是否需加串阻。下面，我們以數(shù)據(jù)線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗(yàn)證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面，我們開始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線D0腳模型。左鍵點(diǎn)芯片管腳處的標(biāo)志，出現(xiàn)未知管腳，然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對(duì)應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點(diǎn)OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣，一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)管腳和3245的對(duì)應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出，3245高阻，DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點(diǎn)DSP芯片腳相連的傳輸線，增添傳輸線，然后右鍵編輯屬性。因?yàn)槲覀兪褂盟膶影澹诒韺幼呔€，所以要選用“Microstrip”，然后點(diǎn)“Value”進(jìn)行屬性編輯。這里，我們要編輯一些PCB的屬性，布線長度、寬度和層間距等，屬性編輯界面如下：再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠(yuǎn)直線間距1.4inch，對(duì)線長為1.7inch)。現(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點(diǎn)加示波器探頭了，按照下圖紅線所示路徑為各測試點(diǎn)增加探頭：為發(fā)現(xiàn)更多的信息，我們使用眼圖觀察。因?yàn)闀r(shí)鐘是133M，數(shù)據(jù)單沿采樣，數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M，對(duì)應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下：之后按照芯片手冊(cè)制作眼圖模板。因?yàn)槲覀冏铌P(guān)心的是接收端(DRAM)信號(hào)，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊(cè)的輸入需求設(shè)計(jì)。芯片手冊(cè)中要求輸入高電平VIH高于2.0V，輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個(gè)NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信號(hào)(不長于3ns)：按下邊紅線路徑配置眼圖模板：低8位數(shù)據(jù)線沒有串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求，而其他的56位都是一對(duì)一，經(jīng)過仿真沒有串阻也能通過。于是數(shù)據(jù)線不加串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求，但有一點(diǎn)需注意，就是寫數(shù)據(jù)時(shí)因?yàn)榇嬖诨貨_，DRAM接收高電平在位中間會(huì)回沖到2V。因此會(huì)導(dǎo)致電平判決裕量較小，抗干擾能力差一些，如果調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)寫RAM會(huì)出錯(cuò)，還需要改版加串阻。
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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AL-FNR系列發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)接地電阻柜 我公司擁有技術(shù)優(yōu)秀的研發(fā)隊(duì)伍和精良的設(shè)備,引進(jìn)并消化國外先進(jìn)技術(shù),長期致力于對(duì)中性點(diǎn)接地技術(shù)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)，對(duì)降低電網(wǎng)過電壓、提高電網(wǎng)的安全性、可靠性，具有良好的效果。我公司以進(jìn)口特殊不銹鋼合金材料，開發(fā)生產(chǎn)的系列不銹鋼中性點(diǎn)接地電阻柜。產(chǎn)品具有精度高，線性度好，運(yùn)行可靠，安裝方便，外形美觀等特點(diǎn)，已廣泛用于許多國家重點(diǎn)工程。所生產(chǎn)的0.4KV～35KV發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)接地電阻柜是發(fā)電機(jī)組中采用高阻接地的專用成套裝置。 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜連接在發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)上，當(dāng)電網(wǎng)或發(fā)電機(jī)定子繞組發(fā)生單相接地故障時(shí)，向接地點(diǎn)提供附加阻性電流，使接地點(diǎn)電流由容性變成阻容性電流，從而保證產(chǎn)生的過電壓不超過2.6倍的相電壓。 1、精心設(shè)計(jì)、保護(hù)到位 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜連接在發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)與地之間，當(dāng)電網(wǎng)或發(fā)電機(jī)定子繞組發(fā)生單相接地故障時(shí)，向接地點(diǎn)提供附加阻性電流，使接地點(diǎn)電流由容性變成阻容性電流，從而保證產(chǎn)生的過電壓不超過2.6倍的相電壓。 2、專業(yè)保護(hù)，避免燒損發(fā)電機(jī)鐵芯 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜在設(shè)計(jì)參數(shù)時(shí)，力求將總的接地電流控制在15A以內(nèi)，不僅可以滿足繼電保護(hù)靈敏度的要求，同時(shí)也可減輕發(fā)電機(jī)定子繞組接地時(shí)鐵芯的損傷。 3、結(jié)構(gòu)緊湊，元器件性能優(yōu)異 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜將零散的單相變壓器、電阻器、電流互感器、接地保護(hù)輸出端子等電器設(shè)備整體組合在一個(gè)封閉金屬柜內(nèi)，并可選配隔離開關(guān)、避雷器，智能保護(hù)儀表等成套供貨；安全可靠性高，布置清晰整齊，便于安裝調(diào)試及操作維護(hù)。裝置采用的單相變壓器為干式絕緣變壓器，工作性能穩(wěn)定，抗沖擊能力強(qiáng)。變壓器二次側(cè)采用不銹鋼材料電阻。 4、監(jiān)控功能齊全，并提供模擬量輸出 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜是0.4KV～35KV發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)接地電阻柜是發(fā)電機(jī)組中采用高阻接地的專用成套裝置，可選配電流和動(dòng)作記錄儀等智能控制儀表，正常時(shí)可監(jiān)測中性點(diǎn)不平衡電流，出現(xiàn)單相接地故障時(shí)，可記錄動(dòng)作次數(shù)；且可為保護(hù)和監(jiān)控系統(tǒng)提供模擬量輸出。 5、性能可靠，維護(hù)簡便 AL-FNR型發(fā)電機(jī)中性點(diǎn)電阻柜中裝設(shè)干式單相接地變壓器及相應(yīng)的大容量電阻器，柜中還可裝設(shè)單相隔離開關(guān)，以便在進(jìn)行檢修或?qū)嶒?yàn)時(shí)隔離電源。 6、技術(shù)力量雄厚，服務(wù)周到 我公司為中性點(diǎn)設(shè)備專業(yè)生產(chǎn)廠家，技術(shù)力量雄厚，售前的技術(shù)交流咨詢可隨時(shí)到位；售后的安裝技術(shù)指導(dǎo)可按用戶要求及時(shí)進(jìn)行。
標(biāo)簽： 發(fā)電機(jī) 中性點(diǎn)接地 電阻柜
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