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本次啟動項目主要面向3~5nm節點器件基礎問題，包括新材料、新結構和新原理，設立若干主題，鼓勵原始創新，支持科學家開展相關研究。

傳統MOSFET器件的亞閾值擺幅受熱力學限制存在理論極限（室溫下最小為60 mV/decade），即玻爾茲曼限制，這一限制成為阻礙器件功耗降低的關鍵因素。基于帶帶隧穿導通機制的量子隧穿晶體管、基于鐵電材料極化轉變的負電容晶體管等新原理器件技術，有望突破玻爾茲曼限制，實現具有更低功耗的信息處理器件。

基于“馮?諾依曼”體系的計算機架構中計算與存儲相互分離，計算速度和存儲信息讀寫速度之間存在巨大的鴻溝，被稱為“存儲墻”問題，該問題導致整個芯片系統的性能下降和功耗增加。突破“存儲墻”限制的關鍵途徑是發展高性能、低功耗非易失存儲器件和存儲-計算融合的新原理器件。

基于異質材料體系的器件集成存在著不同材料的多種物理失配問題，這些問題制約了器件向高性能、低功耗和集成化方向發展。解決異質集成中的失配問題，需要研究晶圓級單晶薄膜硅基異質集成等技術，實現能量有效轉換和不同材料體系下的協同匹配。

圍繞上述科學問題，本應急管理項目擬重點支持以下研究方向：

（1）突破CMOS器件亞閾值擺幅玻爾茲曼限制的新機制和器件技術；

（2）突破現行計算機架構“存儲墻”限制的新機制和器件技術；

（3）突破異質集成中多種物理失配限制的新材料和器件技術。

2018年度針對上述研究方向，擬擇優資助6項，每項直接費用的平均資助強度為300萬元，資助期限為3年，申請書中的研究期限應填寫“2019年01月01日-2021年12月31日”。

（一）申報要求：

1. 本應急管理項目要求堅持問題導向，強化需求牽引，注重交叉融合, 鼓勵高校與研究院所等聯合申請，提出獨到的創新思路。

2. 項目申請人根據本指南發布的研究方向選擇相應的研究主題。

3. 項目申請人應具有高級專業技術職務（職稱）。

（二）限項規定：

本應急管理項目不受具有高級專業技術職務（職稱）的人員申請（包括申請人和主要參與者）和正在承擔（包括負責人和主要參與者）的項目總數合計限為3項的限制。

（三）申請注意事項：

1. 申請書報送日期為2018年10月10日至17日16時。

2. 申請人在填報申請書前，應當認真閱讀本指南和《2018年度國家自然科學基金項目指南》中申請須知的相關內容，不符合指南相關要求的申請項目不予受理。

3. 申請人登錄科學基金網絡信息系統https://isisn.nsfc.gov.cn/（以下簡稱信息系統，沒有系統賬號的申請人請向依托單位基金管理聯系人申請開戶）撰寫申請書。申請代碼1選擇 F04；“資助類別”選填“應急管理項目”；亞類說明選填“委綜合管理項目”；附注說明選填“研究類項目”。正文部分按照“重點項目申請書撰寫提綱”撰寫。申請書正文開始請注明“研究方向:ｘｘｘ（即：上述三個研究方向之一）”。以上選擇不準確或未選擇的項目申請將不予受理。

4. 申請人應根據《國家自然科學基金資助項目資金管理辦法》的有關規定，以及《國家自然科學基金項目資金預算表編制說明》的具體要求，按照“目標相關性、政策相符性、經濟合理性”的基本原則，認真編制《國家自然科學基金項目資金預算表》。

5. 申請人完成申請書撰寫后，在線提交電子申請書及附件材料，下載并打印最終PDF版本申請書，向依托單位提交簽字后的紙質申請書原件以及其他特別說明要求提交的紙質材料原件等附件。

6. 申請人應保證紙質申請書與電子版內容一致。

7. 依托單位應對本單位申請人所提交申請材料的真實性和完整性進行審核，并在規定時間內將申請材料報送國家自然科學基金委員會。具體要求如下：

(1)應在規定的項目申請截止時間（2018年10月17日16時）前提交本單位電子申請書及附件材料，并統一報送經單位蓋章后的紙質申請書原件（一式一份）及要求報送的紙質附件材料。

(2) 提交電子版申請書時，應通過信息系統逐項確認。

(3) 報送紙質申請材料時，還應包括本單位公函和申請項目清單，材料不完整不予接收。

(4) 可將紙質申請書直接送達或者郵寄至國家自然科學基金委員會信息科學部。采用郵寄方式的，請在項目申請截止日期前（以發信郵戳日期為準）以快遞方式郵寄，以免延誤申請。

8. 信息科學部聯系方式：

國家自然科學基金委員會信息科學四處

通訊地址：北京市海淀區雙清路83號

郵　編：100085

聯系人：潘慶

聯系電話：010-62327140

電子郵件：panqing@nsfc.gov.cn

文章來源：國家自然科學基金會

了解詳情：

http://4vshop.reezitop.com/wap/cxzs.html

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