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開啟電子學(xué)新紀(jì)元的鑰匙——憶阻器材料成IT基礎(chǔ)研究新焦點(diǎn)

時(shí)間:2024-01-22

電子信息技術(shù)的發(fā)展,已然進(jìn)入“后摩爾”時(shí)代。進(jìn)一步縮小半導(dǎo)體器件的尺寸面臨著制備工藝和物理機(jī)理的雙重限制,國際學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界均將研究的重點(diǎn)轉(zhuǎn)向新原理納米信息器件。而憶阻器,一種新型無源納米信息器件,具有非易失性記憶特性,且在開關(guān)性能和工藝尺寸等多方面具有優(yōu)勢,可能成為IT技術(shù)新的物理基礎(chǔ)。

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7月3日,為期3天的2018年憶阻材料、器件和系統(tǒng)國際會(huì)議(MEMRISYS 2018)在北京國際會(huì)議中心拉開帷幕。此次大會(huì)由中國科學(xué)院微電子所劉明院士、英國南安普頓大學(xué)蒂米斯·普羅德羅馬基斯(Themis Prodromakis)教授、德國尤里希研究中心伊利亞·瓦洛夫(Ilia Valov)擔(dān)任主席,來自美國、德國、英國、韓國、日本、新加坡、芬蘭、哈薩克斯坦以及中國的憶阻器領(lǐng)域知名學(xué)者匯聚北京,分享從材料到器件、電路、系統(tǒng)直至應(yīng)用層面的先進(jìn)成果。大會(huì)共吸引了200余人報(bào)名參加,接收的稿件共117篇。

  “第四種”無源電路元件

基礎(chǔ)電子學(xué)教科書列出的三個(gè)基本電路元件是:電阻器、電容器和電感器。但在1971年,美國加州大學(xué)伯克利分校蔡少棠教授在研究非線性電路理論過程中發(fā)現(xiàn),基本電路變量之間的兩兩關(guān)系中,缺少了磁通量與電荷的直接關(guān)系。從電路變量關(guān)系的對稱性和完備性角度出發(fā),蔡少棠推導(dǎo)了這一缺失的關(guān)系,定義了“第四種”基本無源電路元件,并將其命名為憶阻器。

蒂米斯·普羅德羅馬基斯是金屬氧化物阻變存儲(chǔ)器技術(shù)方面的著名學(xué)者。他解釋稱,簡單地講,憶阻器是一種有記憶功能的非線性電阻,其通過控制電流的變化可改變阻值,如果把高阻值定義為“1”,低阻值定義為“0”,則這種電阻就可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的功能。實(shí)際上,它就是一個(gè)有記憶功能的非線性電阻器。

  存儲(chǔ)計(jì)算一體的解決方案

現(xiàn)在,憶阻器被認(rèn)為是新原理納米信息器件中具有重大發(fā)展前景的一種,它具備高集成密度、高讀寫速度、低功耗、多值計(jì)算潛力等優(yōu)勢,是當(dāng)前學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的研究前沿與重點(diǎn)之一。

此次參加憶阻材料、器件和系統(tǒng)國際會(huì)議的專家認(rèn)為,憶阻器已在非易失性存儲(chǔ)、邏輯運(yùn)算、新型計(jì)算/存儲(chǔ)融合架構(gòu)計(jì)算和新型神經(jīng)形態(tài)計(jì)算等方面,呈現(xiàn)出了極有潛力的應(yīng)用前景,將為IT技術(shù)發(fā)展提供新的物理基礎(chǔ)。

劉明院士曾建立了阻變存儲(chǔ)器(RRAM)物理模型,提出并實(shí)現(xiàn)高性能RRAM和集成的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)方法,產(chǎn)生了重要的國際影響。此次,她立足于當(dāng)前大數(shù)據(jù)時(shí)代下存儲(chǔ)和計(jì)算存在的問題和挑戰(zhàn),給出了利用RRAM器件實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)計(jì)算于一體的解決方法,并針對目前隨著摩爾定律下芯片發(fā)展速度的減慢和馮·諾依曼瓶頸(CPU和存儲(chǔ)器之間頻繁的數(shù)據(jù)傳輸造成的信息處理瓶頸)的凸顯,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)計(jì)算能力所面臨的挑戰(zhàn),提出了利用RRAM器件的新的解決方案。

  一個(gè)歷史機(jī)遇的出現(xiàn)

這是一個(gè)信息爆炸的大數(shù)據(jù)時(shí)代,對超高性能計(jì)算與非易失性存儲(chǔ)的需求呈爆發(fā)式增長。但傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)采用的架構(gòu)中,計(jì)算和存儲(chǔ)功能是分離的,分別由中央處理器(CPU)和存儲(chǔ)器完成。CPU和存儲(chǔ)器的速度和容量飛速提升,但傳輸數(shù)據(jù)和指令的總線速度的提升十分有限。另一方面,存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)訪問速度跟不上CPU的數(shù)據(jù)處理速度,且這一差距被越拉越大,這又導(dǎo)致了存儲(chǔ)墻(Memory Wall)問題。

而憶阻器的存儲(chǔ)與計(jì)算“融合”的模式,避免了傳統(tǒng)架構(gòu)中每步都需要將計(jì)算結(jié)果通過總線傳輸?shù)絻?nèi)存或外存之中進(jìn)行存儲(chǔ),從而有效地減小數(shù)據(jù)頻繁存取和傳輸?shù)呢?fù)荷,降低信息處理的功耗,提高信息處理的效率。

亦因此,人們將它視為“掌握著電子學(xué)新紀(jì)元的鑰匙”。與會(huì)專家認(rèn)為,憶阻器的自動(dòng)記憶能力和狀態(tài)轉(zhuǎn)換特性,將推動(dòng)人工智能和存算融合計(jì)算技術(shù)的發(fā)展。

蒂米斯·普羅德羅馬基斯表示,憶阻器要比晶體管更小、更簡單,而且還能通過“記住”通過它們的電荷量來保留數(shù)據(jù)。它確實(shí)是一個(gè)令人興奮的發(fā)現(xiàn),對現(xiàn)代電子學(xué)具有潛在的巨大影響,可以應(yīng)用于云存儲(chǔ)、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子、航空航天、地球資源信息、科學(xué)計(jì)算、醫(yī)學(xué)影像與生命科學(xué)等等電子信息重要領(lǐng)域。

此次大會(huì)的主辦方表示,在這個(gè)行業(yè),中國是位于世界前列的幾個(gè)國家之一。盡管對于憶阻器的實(shí)際應(yīng)用目前還有許多技術(shù)問題有待研究,但這也正意味著一個(gè)歷史機(jī)遇的出現(xiàn),它讓我國研究者能夠在這一領(lǐng)域未來的廣闊空間內(nèi),大有作為。 

來源:科技日報(bào)


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