在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程
的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階
段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每
顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些
可靠度的問題。
資源簡(jiǎn)介:在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。
上傳時(shí)間: 2020-06-05
上傳用戶:shancjb