在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程
的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階
段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每
顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些
可靠度的問題。
資源簡(jiǎn)介：在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
