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  標(biāo)簽： SCR-MOS-GTR-IGBT 11.3 481

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  標(biāo)簽： IGBT SCR MOS GTR

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  標(biāo)簽： MOSFET IGBT SCR GTR

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  標(biāo)簽： MOSFET 11.3 IGBT SCR

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  資源簡(jiǎn)介：隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，高壓換流設(shè)備在工業(yè)應(yīng)用中日益廣泛。其核心元件晶閘管（SCR）的電壓與電流越來(lái)越高（已達(dá)到10KV/10KA以上），應(yīng)用場(chǎng)合要求也越來(lái)越高。在國(guó)際上，晶閘管的光控技術(shù)發(fā)展日益成熟。根據(jù)對(duì)國(guó)內(nèi)晶閘管技術(shù)發(fā)展前景和需求的展望，本文采用...

  標(biāo)簽： 高壓變頻器 逆變 晶閘管

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  標(biāo)簽： 280 6.3 可控硅

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  資源簡(jiǎn)介：一種實(shí)用的晶閘管調(diào)速電路

  標(biāo)簽： 晶閘管 調(diào)速電路

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• 晶閘管實(shí)用技術(shù)問(wèn)題解答-215頁(yè)-2.6.pdf免費(fèi)下載

  資源簡(jiǎn)介：專輯類-應(yīng)用電路專輯-71冊(cè)-594M 晶閘管實(shí)用技術(shù)問(wèn)題解答-215頁(yè)-2.6.pdf

  標(biāo)簽： 215 晶閘管 實(shí)用技術(shù)

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  資源簡(jiǎn)介：SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計(jì)與應(yīng)用，文中提出了一種簡(jiǎn)化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發(fā)信號(hào)就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采...

  標(biāo)簽： STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路

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• 晶閘管實(shí)用技術(shù)問(wèn)題解答 215頁(yè) 2.6.pdf免費(fèi)下載

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  資源簡(jiǎn)介：晶閘管實(shí)用技術(shù)問(wèn)題解答 2.6

  標(biāo)簽： 2.6 晶閘管 實(shí)用技術(shù)

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  標(biāo)簽： 晶閘管 變流技術(shù) 題例 電路設(shè)計(jì)

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  標(biāo)簽： 215 2.6 晶閘管

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