44b0閃存測試，nor flash 2M 29lv160 ADS環境下編譯
資源簡介：44b0閃存測試，nor flash 2M 29lv160 ADS環境下編譯
上傳時間： 2014-11-12
上傳用戶：縹緲
資源簡介：嵌入式ARM7的示范程序。本例程用于嵌入式處理器中的的閃存測試。
上傳時間： 2016-01-22
上傳用戶：xlcky
資源簡介：基于三星的44b0或2410微處理器的閃存控制程序
上傳時間： 2013-12-08
上傳用戶：yimoney
資源簡介：NAND型閃存接口程序 里面包含了datasheet以及測試程序
上傳時間： 2017-03-31
上傳用戶：qilin
資源簡介：STM32閃存編程 超清版
上傳時間： 2013-05-15
上傳用戶：eeworm
資源簡介：STM32閃存編程手冊 超清書簽版
上傳時間： 2013-07-03
上傳用戶：eeworm
資源簡介：本文以一個PDA項目為依托,在項目中,主要是開發該設備的軟件。其工作包括：上層應用程序的開發、引導程序的編寫、Linux操作系統的移植和各種外設驅動程序的編寫以及文件系統的改進。 本文首先分析了Linux操作系統的虛擬文件系統、高速緩沖區、MTD以及驅動程序...
上傳時間： 2013-07-26
上傳用戶：damozhi
資源簡介：STM32F10x閃存編程手冊(2009年6月第6版)
上傳時間： 2013-07-16
上傳用戶：2007yqing
資源簡介：如何對STM8S的閃存存儲器和數據EEPROM編程
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：jennyzai
資源簡介：采用納瓦技術的8/14引腳閃存8位CMOS單片機 PIC12F635/PIC16F636/639數據手冊 目錄1.0 器件概述 2.0 存儲器構成3.0 時鐘源4.0 I/O 端口 5.0 Timer0 模塊6.0 具備門控功能的Timer1 模塊 7.0 比較器模塊8.0 可編程低壓檢測（PLVD）模塊9.0 數據EEPROM 存儲器10.0...
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：qlpqlq
資源簡介：6引腳8位閃存單片機 PIC10F200/202/204/206數據手冊 目錄1.0 器件概述2.0 PIC10F200/202/204/206 器件種類3.0 架構概述4.0 存儲器構成5.0 I/O 端口6.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F200/202）7.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F204/206）8.0 比較器模...
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：chenhr
資源簡介：NEC閃光胸牌電路板的構成電路板是由單片機應用電路部分和閃存編程器兩部分構成的。■單片機應用電路部分單片機應用電路部分主要是由電池（1220），開關和NEC 78K0/KB2(uPD78F0500)8位閃存單片機構成。把程序寫入單片機內置的閃存存儲器，就可以進行各種控制了...
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：frank1234
資源簡介：文中研究并實現了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態存儲系統,成果為實際研制應用于星的基于閃存的大容量存儲器奠定了基礎,具體較好的指導和借鑒意義。
上傳時間： 2014-10-15
上傳用戶：guanliya
資源簡介：STM32F10xxx閃存編程參考手冊
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：zhaoke2005
資源簡介：開發了一個基于閃存平臺的嵌入式文件系統。為保證閃存扇區的平均使用率和均衡擦寫次數，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動態存儲空間管理模式和先入先出（FIFO）策略。所采用的冗余設計、快速計算和跟蹤策略還可以延長核心扇區使用壽命，保證系統啟動...
上傳時間： 2014-12-30
上傳用戶：lingzhichao
資源簡介：128Mb以上的串行閃存被認為是電子產品滿足市場需求、增加更多功能的一個主要障礙，針對需要128Mb以上串行閃存的應用要求，美光科技 (Micron Technology)推出一個簡單的獨一無二的擴容解決方案。這個解決方案可以把存儲容量輕松地擴大到4G或更大，完全兼容現有...
上傳時間： 2013-12-20
上傳用戶：569342831
資源簡介：閃存U盤開發電路圖和固件程序
上傳時間： 2015-01-25
上傳用戶：vodssv
資源簡介：文檔詳細說明了NOR和NAND閃存各自的特性， 和使用要點。
上傳時間： 2014-11-29
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資源簡介：TMS320FC20X C24X DSP (集成閃存）技術參考手冊
上傳時間： 2013-12-22
上傳用戶：koulian
資源簡介：使用閃存的文件系統,FAT16的. 應用環境是AVR的ATMega128芯片. 應用環境單一,也是轉載,參考可以,直接使用 肯定有問題.
上傳時間： 2013-12-17
上傳用戶：heart520beat
資源簡介：SST28SF040是SST公司推出的高速可編程閃存。它具有512k*8的存儲結構 芯片擦除及寫入的時間快,可靠性高,能夠重復寫100,000次,低功耗.以上程序是用c51編寫的驅動程序，希望對使用該芯片的同仁有所幫助
上傳時間： 2014-12-22
上傳用戶：徐孺
資源簡介：MIPS 虛存測試, 表明在裸機環境, 無OS,無LOADER時如何定位目標碼,將虛存與相應的物理單元做比較.原創.
上傳時間： 2014-01-05
上傳用戶：13160677563
資源簡介：此為FLASH閃存類編程國際標準，對閃存編程的朋友有指導價值
上傳時間： 2013-12-04
上傳用戶：jcljkh
資源簡介：讀閃存卡的讀寫程序，包括讀和寫FLASH卡的操作子程序實例，很有價值。
上傳時間： 2015-04-22
上傳用戶：h886166
資源簡介：用PDIUSBD12和K9F5608U0A設計USB移動閃存
上傳時間： 2014-01-24
上傳用戶：youke111
資源簡介：這是ARM嵌入式開發中閃存的源碼，相信對你有幫助
上傳時間： 2014-01-04
上傳用戶：dsgkjgkjg
資源簡介：44b0的led測試代碼應用在44b0的IO口操作
上傳時間： 2013-12-16
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資源簡介：“閃存(Flash)”這一名稱，是源于該存儲器件只需單步操作即能擦除其中所有內容的能力。軍用裝備很早就從這一能力中獲益，軍用裝備都包含機密信息，一旦即將落入敵手，就應該迅速予以破壞。與EEPROM類似，Flash的數據存儲也是通過向其晶體管柵區存入電荷來實現...
上傳時間： 2013-12-13
上傳用戶：葉山豪
資源簡介：Flash-ROM（閃存）已經成為了目前最成功、流行的一種固態內存，與 EEPROM 相比具有讀寫速度快，而與 SRAM 相比具有非易失、以及價廉等優勢。而基于 NOR 和 NAND 結構的閃存是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。 Intel 于 1988 年首先開發出 NOR flash 技術...
上傳時間： 2015-08-06
上傳用戶：lanwei
資源簡介：1.閃存卡(Flash Card )資料收集總結之一（詳細版本）
上傳時間： 2015-09-01
上傳用戶：zq70996813
