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MOS管的米勒效應(yīng)-講的很詳細(xì)

  • 資源大小:294 K
  • 上傳時(shí)間: 2022-03-20
  • 上傳用戶:得之我幸78
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標(biāo)      簽: MOS管

資 源 簡(jiǎn) 介

MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程,可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過(guò)程;當(dāng)Cgs達(dá)到門(mén)檻電壓之后, MOSFET就會(huì)進(jìn)入開(kāi)通狀態(tài);當(dāng)MOSFET開(kāi)通后,Vds開(kāi)始下降,Id開(kāi)始上升,此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng),Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升,此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大,而Vds還在繼續(xù)下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值,此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū),此時(shí)Vds徹底降下來(lái),開(kāi)通結(jié)束。由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)


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