亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲蟲首頁| 資源下載| 資源專輯| 精品軟件
登錄| 注冊

您現在的位置是:蟲蟲下載站 > 資源下載 > 技術資料 > MOSFET開關過程的研究及米勒平臺振蕩的抑制

MOSFET開關過程的研究及米勒平臺振蕩的抑制

  • 資源大小:1483 K
  • 上傳時間: 2022-04-02
  • 上傳用戶:默默
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標      簽: mosfet

資 源 簡 介

設計功率MOSFET驅動電路時需重點考慮寄生參數對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項重要參數,在驅動電路的設計時需要重點關注。重點觀察了MOSFET的開通和關斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅動設計具有一定的指導意義。

When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.

相 關 資 源

主站蜘蛛池模板: 阜平县| 禹城市| 庆阳市| 乌拉特中旗| 武宣县| 大庆市| 文成县| 桐梓县| 呼伦贝尔市| 澄迈县| 江永县| 德安县| 周至县| 富阳市| 南郑县| 敖汉旗| 温泉县| 昌黎县| 新竹县| 和林格尔县| 广西| 垣曲县| 界首市| 齐河县| 永新县| 嘉义县| 筠连县| 华坪县| 安吉县| 出国| 松溪县| 齐齐哈尔市| 大竹县| 翼城县| 高密市| 新乡县| 南江县| 金山区| 五大连池市| 连江县| 图们市|