三相逆變器中IGBT的幾種驅(qū)動(dòng)電路的分析. - 免費(fèi)下載

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摘要:對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析,對(duì)TLP250,EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖,還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項(xiàng),對(duì)每種驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn),通過(guò)有關(guān)的波形驗(yàn)證了它們的特點(diǎn),最后得出結(jié)論:IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是集過(guò)流保護(hù)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。

關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過(guò)流保護(hù)

1前言

電力電子變換技術(shù)的發(fā)展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代,為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門(mén)極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個(gè)MoS門(mén)極區(qū)來(lái)控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開(kāi)關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,它是日前最為常見(jiàn)的一種器件。


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