?? 資源詳細(xì)信息
?? 溫馨提示:本資源由用戶 jiabin 上傳分享,僅供學(xué)習(xí)交流使用。如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
資源簡(jiǎn)介
摘要:對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析,對(duì)TLP250,EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖,還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項(xiàng),對(duì)每種驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn),通過(guò)有關(guān)的波形驗(yàn)證了它們的特點(diǎn),最后得出結(jié)論:IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是集過(guò)流保護(hù)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。
關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過(guò)流保護(hù)
1前言
電力電子變換技術(shù)的發(fā)展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代,為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門(mén)極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個(gè)MoS門(mén)極區(qū)來(lái)控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開(kāi)關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,它是日前最為常見(jiàn)的一種器件。
立即下載此資源
資源說(shuō)明
下載說(shuō)明
- 下載需消耗 2積分
- 24小時(shí)內(nèi)重復(fù)下載不扣分
- 支持?jǐn)帱c(diǎn)續(xù)傳
- 資源永久有效
使用說(shuō)明
- 下載后用解壓軟件解壓
- 推薦 WinRAR 或 7-Zip
- 如有密碼請(qǐng)查看說(shuō)明
- 解壓后即可使用
積分獲取
- 上傳資源獲得積分
- 每日簽到免費(fèi)領(lǐng)取
- 邀請(qǐng)好友注冊(cè)獎(jiǎng)勵(lì)
- 查看詳情 →