MOSFET和IGBT內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.

1, 由于MOSFET的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能

力沒有IGBT強。

2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT

硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是

九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品.

3, 就其應用, 根據其特點:MOSFET應用于開關電源, 鎮流器, 高頻感應加熱, 高頻

逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,

電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領域

開關電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率

半導體器件的選擇，即開關管和整流器。

雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應

用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的

參考作用。

本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS ( 零電壓轉換) 拓撲中的開

關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損

耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET

或 IGBT 導通開關損耗的主要因素， 討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。

導通損耗

除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類

似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調節PNP BJT集電極基極

區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾（ voltage tail ）出現。

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