MOSFET和IGBT內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.
1, 由于MOSFET的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能
力沒有IGBT強。
2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT
硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是
九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品.
3, 就其應用, 根據其特點:MOSFET應用于開關電源, 鎮流器, 高頻感應加熱, 高頻
逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,
電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領域
開關電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率
半導體器件的選擇，即開關管和整流器。
雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應
用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的
參考作用。
本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS ( 零電壓轉換) 拓撲中的開
關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損
耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET
或 IGBT 導通開關損耗的主要因素， 討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。
導通損耗
除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類
似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調節PNP BJT集電極基極
區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾（ voltage tail ）出現。
資源簡介：mosfet和igbt內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.1, 由于mosfet的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有igbt強。2,igbt 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前igbt硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯...
上傳時間： 2022-06-21
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資源簡介：ＣＡＸＡ制造工程師實體造型生成曲面的數控加工進退刀方法的探討
上傳時間： 2013-07-01
上傳用戶：eeworm
資源簡介：本文講述了一種運用于功率型mosfet 和igbt 設計性能自舉式柵極驅動電路的系統方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關應用場合。不同經驗的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數開關應用中
上傳時間： 2013-04-24
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資源簡介：主要測試fork和vfork區別的代碼 比較簡單，但是能說明很多問題 讀者可以嘗試對文件描述符的的共享特性進行測試 還有vfork死鎖問題的特性進行測試
上傳時間： 2016-02-29
上傳用戶：www240697738
資源簡介：開關電源常用的cmos管和igbt，很實用，對于選管很有用處
上傳時間： 2013-12-01
上傳用戶：weiwolkt
資源簡介：本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基igbt結...
上傳時間： 2021-11-02
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上傳時間： 2021-11-07
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資源簡介：該文檔為各種功率半導體器件和igbt電路符號總結文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時間： 2021-12-16
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資源簡介：該文檔為FPGA和ARM和STM32和DSP區別總結文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
上傳時間： 2022-08-09
上傳用戶：canderile
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上傳時間： 2019-01-29
上傳用戶：風梭@6
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上傳時間： 2021-11-24
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上傳時間： 2022-03-10
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上傳時間： 2022-06-19
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上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：yuzsu
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上傳時間： 2021-11-07
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上傳時間： 2022-06-22
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資源簡介：igbt是mosfet和GTR的復合器件，它具有開關速度快、熱穩定性好、驅動功率小和驅動電路簡單的特點，又具有通態壓降小、耐壓高和承受電流大等優點.igbt作為主流的功率輸出器件，特別是在大功率的場合，已經被廣泛的應用于各個領域。本文在介紹了1GBT結構、工作特...
上傳時間： 2022-06-22
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上傳時間： 2013-04-24
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上傳用戶：tb_6877751
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上傳時間： 2022-06-18
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上傳時間： 2022-06-29
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