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IGBT基本參數(shù)詳解

  • 資源大小:569 K
  • 上傳時間: 2022-06-21
  • 上傳用戶:kid1423
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標(biāo)      簽: igbt

資 源 簡 介

1,Vs:集射極阻斷電壓

在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi),柵極和發(fā)射極短路狀況下,集射極最高電壓。手冊里一般為25℃下的數(shù)據(jù),隨著結(jié)溫的降低,VcEs會逐漸降低。由于模塊內(nèi)外部的雜散電感,IGBT在關(guān)斷時Vcs最容易超過限值

2,Poat:最大允許功耗

在25℃時,IGBT開關(guān)的最大允許功率損耗,即通過結(jié)到殼的熱帆所允許的最大耗散功Pat =(Ty-T)/Rtaie其中,Ty為結(jié)溫, 為環(huán)境溫度。二極管的最大功耗可以用同樣的公式獲得。

在這里,順便解釋下這幾個熱阻,Rtice 結(jié)到殼的熱阻抗,乘以發(fā)熱量獲得結(jié)與克的溫差;Rthig芯片熱源到周圍空氣的總熱阻抗,乘以發(fā)熱量獲得器件溫升;Rehb芯片結(jié)與PCB間的熱阻抗,乘以單板散熱量獲得與單板的溫差。


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