IGBT基本參數詳解 - 免費下載
技術資料資源
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資源簡介
1，Vs：集射極阻斷電壓
在可使用的結溫范圍內，柵極和發射極短路狀況下，集射極最高電壓。手冊里一般為25℃下的數據，隨著結溫的降低，VcEs會逐漸降低。由于模塊內外部的雜散電感，IGBT在關斷時Vcs最容易超過限值
2，Poat：最大允許功耗
在25℃時，IGBT開關的最大允許功率損耗，即通過結到殼的熱帆所允許的最大耗散功Pat =（Ty-T）/Rtaie其中，Ty為結溫， 為環境溫度。二極管的最大功耗可以用同樣的公式獲得。
在這里，順便解釋下這幾個熱阻，Rtice 結到殼的熱阻抗，乘以發熱量獲得結與克的溫差；Rthig芯片熱源到周圍空氣的總熱阻抗，乘以發熱量獲得器件溫升；Rehb芯片結與PCB間的熱阻抗，乘以單板散熱量獲得與單板的溫差。
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