此評(píng)估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在全橋LLC電路中的系統(tǒng)性能，該電路通常可用于電動(dòng)汽車的快速DC充電器。 采用4L-TO247封裝的新型1000V額定器件專為SiC MOSFET設(shè)計(jì)，具有開(kāi)爾文源極連接，可改善開(kāi)關(guān)損耗并減少門電路中的振鈴。 它還在漏極和源極引腳之間設(shè)有一個(gè)凹口，以增加蠕變距離，以適應(yīng)更高電壓的SiC MOSFET。
圖1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封裝的最新Cree 1000V SiC MOSFET。
該板旨在讓用戶輕松：
在全橋諧振LLC電路中使用4L-TO247封裝的新型1000V，65mΩSiCMOSFET時(shí)，評(píng)估轉(zhuǎn)換器級(jí)效率和功率密度增益。
檢查Vgs和Vds等波形以及振鈴的ID。
